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英和・和英辞典で「歪体」に一致する見出し語は見つかりませんでしたが、
下記にお探しの言葉があるかもしれません。

「歪体」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 3598



例文

半導みセンサ例文帳に追加

SEMICONDUCTOR STRAIN SENSOR - 特許庁

半導みゲージ例文帳に追加

SEMICONDUCTOR STRAIN GAUGE - 特許庁

半導センサ例文帳に追加

SEMICONDUCTOR STRAIN SENSOR - 特許庁

み補正装置例文帳に追加

DEVICE FOR CORRECTION OF AIRFRAME STRAIN - 特許庁

みセンサ例文帳に追加

SOLID TYPE STRAIN SENSOR - 特許庁

圧電/電磁器組成物、圧電/電歪体、及び圧電/電膜型素子例文帳に追加

PIEZOELECTRIC/ELECTROSTRICTIVE CERAMIC COMPOSITION, PIEZOELECTRIC/ELECTROSTRICTIVE SUBSTANCE, AND PIEZOELECTRIC/ELECTROSTRICTIVE MEMBRANE TYPE ELEMENT - 特許庁

み半導層のみ量測定方法及びみ量測定装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING STRAIN QUANTITY OF STRAINED SEMICONDUCTOR LAYER - 特許庁

み軽減およびみ軽減を適用する工具例文帳に追加

STRAIN RELIEF AND TOOL FOR APPLICATION OF STRAIN RELIEF - 特許庁

圧電/電歪体、及び圧電/電素子例文帳に追加

PIEZOELECTRIC/ELECTROSTRICTIVE BODY, AND PIEZOELECTRIC/ELECTROSTRICTIVE ELEMENT - 特許庁

圧電/電歪体、その製造方法、及び圧電/電素子例文帳に追加

PIEZOELECTRIC/ELECTROSTRICTIVE BODY, MANUFACTURING METHOD OF THE SAME, AND PIEZOELECTRIC/ELECTROSTRICTIVE ELEMENT - 特許庁

補償回路及び低半導増幅器例文帳に追加

DISTORTION COMPENSATION CIRCUIT AND LOW DISTORTION SEMICONDUCTOR AMPLIFIER - 特許庁

板状み検出方法及びみ検出装置例文帳に追加

METHOD AND DEVICE FOR DETECTING DISTORTION OF PLATE - 特許庁

圧電/電歪体、圧電/電積層、及び圧電/電膜型アクチュエータ例文帳に追加

PIEZO-ELECTRICITY/ELECTROSTRICTIVE ELEMENT, PIEZO-ELECTRICITY/ELECTROSTRICTIVE LAMINATE, AND PIEZO-ELECTRICITY/ELECTROSTRICTIVE FILM TYPE ACTUATOR - 特許庁

圧電/電セラミックス焼結例文帳に追加

PIEZOELECTRIC/ELECTROSTRICTIVE CERAMICS SINTERED COMPACT - 特許庁

曲像捕獲ミラー組立例文帳に追加

DISTORTION FREE IMAGE CAPTURE MIRROR ASSEMBLY - 特許庁

卵の立み計測法例文帳に追加

STERIC STRAIN MEASURING METHOD OF EGG - 特許庁

半導センサーおよび半導センサーの取付け方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR STRAIN SENSOR, AND MOUNTING METHOD OF SEMICONDUCTOR STRAIN SENSOR - 特許庁

半導ゲージおよび半導ゲージの製造方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR STRAIN GAUGE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR STRAIN GAUGE - 特許庁

圧電/電構造及び圧電/電構造の製造方法例文帳に追加

PIEZOELECTRIC/ELECTROSTRICTIVE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

圧電/電歪体膜122は、圧電/電磁器組成物の焼結である。例文帳に追加

A piezoelectric/electrostrictive film 122 is a sintered body of a piezoelectric/electrostrictive ceramic composition. - 特許庁

みゲージ4は、導2の電場によりんだ圧電素子3のみ量を検知する。例文帳に追加

A strain gauge 4 detects strain quantity of the piezoelectric element 3 strained by the electric field of the conductor 2. - 特許庁

圧縮半導層12の圧縮を緩和させることにより、無半導層13に伸張を印加する。例文帳に追加

By relaxing the compression strain of the compression-strained semiconductor layer 12, tensile strain is applied to the non-strained semiconductor layer 13. - 特許庁

圧電/電セラミックス焼結及びそれを用いた圧電/電素子例文帳に追加

PIEZOELECTRIC/ELECTROSTRICTIVE CERAMIC SINTERED BODY AND PIEZOELECTRIC/ELECTROSTRICTIVE DEVICE USING THE SAME - 特許庁

みあり符号方法及び装置、みあり符号化プログラム及び記録媒例文帳に追加

DISTORTED CODE METHOD AND APPARATUS, DISTORTED ENCODING METHOD, AND RECODING MEDIUM - 特許庁

歪体2と、みゲージ3とを備えるロードセル1である。例文帳に追加

The load cell 1 includes a distortion generating element 2 and a distortion gauge 3. - 特許庁

み緩和膜の製造方法、および、み緩和膜を有する積層例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF STRAIN MITIGATING FILM, AND LAMINATE HAVING STRAIN MITIGATING FILM - 特許庁

本発明は、電複合構造及び電素子に関する。例文帳に追加

To provide an electrostriction composite structure and an electrostrictive element. - 特許庁

ロードセル10は、起歪体12とみゲージ14とを備えている。例文帳に追加

This load cell 10 is equipped with a strain body 12 and strain gages 14. - 特許庁

画像み補正装置、プログラム、記憶媒及び画像み補正方法例文帳に追加

IMAGE DISTORTION CORRECTING APPARATUS, PROGRAM, STORAGE MEDIUM THEREOF AND METHOD THEREFOR - 特許庁

結晶み測定方法、結晶み測定装置及び記録媒例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR MEASUREMENT OF CRYSTAL STRAIN AS WELL AS STORAGE MEDIUM - 特許庁

ブリッジ回路は、起歪体2に設けられたゲージ7からなる。例文帳に追加

The bridge circuit comprises a strain gage 7 provided in the strain element 2. - 特許庁

パタ—ン検出方法、パタ—ン検出装置およびその記録媒例文帳に追加

METHOD AND DEVICE FOR DETECTING PATTERN DISTORTION AND ITS RECORDING MEDIUM - 特許庁

素片の磁膜は磁界印加によって伸び又は縮み、磁素片の基と磁膜との間でずれ応力が生じる。例文帳に追加

The magnetostriction film of the magnetostriction element piece is elongated or contracted by the application of a magnetic field whereby a shear stress is generated between the substrate of the magnetostriction element piece and the magnetostriction film. - 特許庁

このみ発生部材23の中間部23aに、み発生部材23のみ量を検出するみ量検出24を設ける。例文帳に追加

A strain amount detecting body 24 for detecting a strain amount of the strain generation member 23 is provided at the intermediate portion 23a of the strain generation member 23. - 特許庁

半導ゲージを用いた半導センサーにおいて、特性が長期間安定し、測定対象物のに応じてセンサーチップに生じるの変換係数が、測定レンジにおいて安定にする。例文帳に追加

To stabilize characteristics for a long period of time and stabilize the conversion coefficient of a strain generated in the strain sensor chip corresponding to a strain of a subject to be measured, within a strain range, in a semiconductor strain sensor having a semiconductor strain sensor gauge. - 特許庁

荷重変換器は、荷重伝達部125から伝達された荷重に応じてむ起歪体122と、起歪体122に貼り付けられ、起歪体122のに応じた電気信号を出力する金属ゲージ123と、起歪体122に貼り付けられ、起歪体122のに応じた電気信号を出力する半導ゲージ124とを有する。例文帳に追加

The load converter has a flexure element 122 distorted in accordance with the load transmitted by the load transmitting part 125, a metal strain gauge 123 attached to the flexure element 122 to output the electric signal corresponding to the distortion of the flexure element 122 and a semiconductor strain gauge 124 attached to the flexure element 122 to output the electric signal corresponding to the distortion of the flexure element 122. - 特許庁

ロードセル用起歪体、並びに、該ロードセル用起歪体を用いたロードセル及び重量測定装置、該ロードセル用起歪体の製造方法例文帳に追加

LOAD CELL STRAIN BODY, LOAD CELL AND WEIGHT MEASURING DEVICE USING LOAD CELL STRAIN BODY, AND METHOD FOR PRODUCING LOAD CELL STRAIN BODY - 特許庁

歪体8のを検出するセンサ11を設けると共に、起歪体8に軸方向の荷重を印加する荷重印加部材9を、起歪体8と間座5との間に転がり接触させて設けた。例文帳に追加

A distortion sensor 11 for detecting the distortion of the distorted body 8 is provided, and a load applying member 9 for applying an axial load to the distorted body 8 is provided between the distorted body 8 and a spacer 5 to come into sliding contact with them. - 特許庁

半導デバイス内のみを正規化する方法及びみが正規化された半導デバイス例文帳に追加

METHOD FOR NORMALIZING STRAIN IN SEMICONDUCTOR DEVICE, AND STRAIN-NORMALIZED SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

第1起歪体20の剛性は、第2起歪体30の剛性よりも大きい。例文帳に追加

The rigidity of the strain body 20 is larger than the rigidity of the strain body 30. - 特許庁

母相単の残留率よりも添加材相単の残留率が大きい。例文帳に追加

A residual strain ratio of the additional material phase alone is larger than a residual strain ratio of the matrix phase alone. - 特許庁

に発生するみを正確に計測し、その物みを大幅に低減すること。例文帳に追加

To accurately measure strains generated in an object and significantly reduce the strains. - 特許庁

歪体、物理量/電気量変換器および起歪体の製造方法例文帳に追加

STRAIN-CAUSING BODY, PHYSICAL QUANTITY/ELECTRICAL QUANTITY CONVERTER, AND MANUFACTURING METHOD OF THE STRAIN-CAUSING BODY - 特許庁

例文

筒状の製造方法、筒状磁素子の製造方法及び磁素子組立例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING TUBULAR BODY AND TUBULAR MAGNETOSTRICTIVE ELEMENT, AND MAGNETOSTRICTIVE ASSEMBLY - 特許庁

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