潜在欠陥の英語

イメージング装置の検出器内の離散的ピクセル領域に関連した潜在的に欠陥のある回路を識別するための方式を提供する。例文帳に追加

To provide a method to identify a potentially defective circuit related to a discrete pixel area in a detector of an imaging device. - 特許庁

所望の範囲の外側に位置するピクセルは潜在的に欠陥があるものとして標識を付けるか又はマスクする。例文帳に追加

The pixels placed at the outside of the desired range are marked or masked by regarding it potentially defective. - 特許庁

半導体装置のスクリーニング方法において、潜在的欠陥を顕在化させるためのバーンインに要する時間を短縮する。例文帳に追加

To shorten the time required for burn-in for actualizing potential defects, in the screening method of a semiconductor device. - 特許庁

その後、検出された値が総合評価に統合され、この総合評価にもとづき、潜在する赤目欠陥の存在に関する判定が行われる。例文帳に追加

Thereafter, the determined values are combined for an overall evaluation, and a decision about the presence of potential red-eye defects is made based upon the overall evaluation. - 特許庁

測定箇所の超音波エネルギーが、隣接する測定箇所の超音波エネルギーよりも小さい時に、測定箇所は潜在的欠陥位置である。例文帳に追加

When the ultrasonic energy of the measuring place is smaller than the ultrasonic energy of the adjacent measuring place, the measuring place is the latent defect position. - 特許庁

欠陥ブロックとして識別される、潜在的に使用可能なブロックが予備ブロックとして用いられることを可能にする。例文帳に追加

To use a block identified as a defective block but usable potentially as a spare block. - 特許庁

従来、観察が困難であった押圧部材の直下を容易に観察することができ、潜在的な短絡欠陥の検出漏れを低減することができる液晶表示装置の検査装置、検査方法および潜在的な短絡欠陥の検出漏れが少ない液晶表示装置の製造方法を提供する例文帳に追加

To provide an inspection device for liquid crystal device that can easily observe right under a pressing member that is difficult to observe by the conventional one and reduce missing of detection of potential short-circuit defect, and to provide an inspection method and a method of manufacturing a liquid crystal device by which missing of detection of potential short-circuit defect is suppressed. - 特許庁

アモルファス・セレン（ａ−Ｓｅ）半導体厚膜形成時に潜在的に生成される構造欠陥と、欠陥の電荷捕獲中心への変化を最低限に抑えて、感度が劣化しない大面積Ｘ線検出器を提供する。例文帳に追加

To provide an X-ray detector with a large area which does not degree by suppressing a minimum structural defect latently produced during forming an amorphous-selenium (a-Se) semiconductor thick film and a variation in the defect to a charge capture center. - 特許庁