窒化層深さの英語

窒化ガリウム基板２の表面に形成されている第１の窒化ガリウム層４の一部を窒化ガリウム基板２に達しない深さまでエッチングする。例文帳に追加

Firstly, a part of a first nitride gallium layer 4 formed on a surface of a nitride gallium substrate 2 is etched up to a depth not reaching the nitride gallium substrate 2. - 特許庁

特に、窒化処理層における白層部の面積率や深さを特定の範囲とすることにより、マンドレル寿命を格段と向上させることができる。例文帳に追加

Particularly, the service life can be improved by regulating the area ratio and the depth of a white layer part in the nitrided layer to specified ranges. - 特許庁

表面硬化層（浸炭層又は浸炭窒化層）の所定深さまでの領域での残留オーステナイト量は、深さ方向断面における面積率で２５％以下に調整されている。例文帳に追加

Residual austenite quantity in a region to specified depth of a surface hardened layer (cemented layer or carbonitrided layer) is adjusted to be less than 25% at an area rate at a cross section in the depth direction. - 特許庁

鉄又は鉄合金を化合物層を発生させないで、より短時間で窒素の浸透処理を行い、所望の深さの窒素拡散層を実現し、この後焼入れを行って十分に高い硬さの硬化層を得ること。例文帳に追加

To provide a method for producing a nitrided quenched part where iron or an iron alloy is subjected to penetration treatment of nitrogen in a shorter time without generating a compound layer, a nitrogen-diffused layer with a desired depth is attained, and thereafter, quenching is performed, so as to obtain a hardened layer having a sufficiently high hardness. - 特許庁

高濃度シリコン基板の上に窒化ガリウムの半導体層を積層し、窒化ガリウム半導体層側の表面には、窒化ガリウム層の８０％以上の深さにエッチングしたメサ溝によって囲まれる主電流の流れる活性領域をそなえる構成の半導体装置とする。例文帳に追加

A semiconductor layer of gallium nitride is formed on a heavily doped silicon substrate, and an active region passing a main current surrounded by a mesa groove formed by etching the gallium nitride layer down to a depth of 80% or more is provided on the gallium nitride semiconductor layer side surface. - 特許庁

また、ターゲット基板には、深さ方向に層状に酸化種と窒化種と交互に吸着させておく構成、幅方向に酸化種と窒化種の濃度分布をつけて吸着させておく構成を含む。例文帳に追加

Moreover, this includes such constitution that the target substrate is made to adsorb beforehand the oxidative seeds and the nitric seeds in stratified formation in depthwise direction, and that it is made to adsorb beforehand the oxidative seeds and nitric seeds, giving them concentration distribution in widthwise direction. - 特許庁

二相ステンレス鋼よりなる基材の表面を窒化することにより基材の表面から深さ方向に形成された窒化層１１と、基材の二相ステンレス鋼である基層１２とを備えている。例文帳に追加

The separator for a fuel cell comprises: a nitriding layer 11 formed from the surface of a base material composed of a two-phase stainless steel to the depth direction by nitriding the surface of the base material; and a base layer 12 as a two-phase stainless steel of the base material. - 特許庁

次に、第１の窒化ガリウム層６の一部をアライメントマーク４に達しない深さまでエッチングする。例文帳に追加

A part of the first nitride gallium layer 6 is etched down to such a depth as not to reach the alignment mark 4. - 特許庁