窒素レベルの英語

そこで、後処理として、窒素プラズマ処理を行なうことにより、ガスバリア層の透過率向上し、ガスバリア性は劣化せず、高レベルである。例文帳に追加

Then, by performing nitrogen plasma treatment as post-treatment, the permeability of the gas barrier layer is enhanced and the gas barrier properties thereof are held to a high level without being deteriorated. - 特許庁

高温超電導部材を過冷却温度の液体窒素により冷却する装置において、過冷却液体窒素を得るために冷凍機の冷却ヘッドを液体窒素中に直接浸漬させるにあたって、冷凍機のシリンダ部から液体窒素への熱侵入を可及的に防止して、冷却装置の冷却効率の低下を防止し、かつ液体窒素の液面レベルの変動を防止する。例文帳に追加

To prevent decrease in cooling efficiency of a cooling device by hindering heat intrusion into liquid nitrogen from the cylinder of a freezer, and prevent fluctuation of the level of the liquid nitrogen, at the time of direct soaking of a cooling head of the freezer into the liquid nitrogen for obtaining supercooled liquid nitrogen in a device for cooling the high temperature superconductive member by means of the liquid nitrogen of supercooling temperature. - 特許庁

各種ガス中に含まれる一酸化炭素、窒素、一酸化二窒素、一酸化窒素、二酸化窒素、アンモニア、三フッ化窒素、二酸化炭素、メタン、水素、酸素等の微量不純物を選択的にｐｐｍレベル以下まで吸着除去して超高純度のガスを得ることができる吸着剤を提供するとともに、この吸着剤を使用したガス精製方法及び装置を提供する。例文帳に追加

To provide an adsorbent which can obtain an ultrapure gas by selectively adsorbing and removing minute impurities, such as carbon monoxide, nitrogen, dinitrogen monoxide, nitrogen monoxide, nitrogen dioxide, ammonia, nitrogen trifluoride, carbon dioxide, methane, hydrogen, and oxygen, contained in various gasses to the ppm level or below, and a method and an apparatus for purifying gas using the adsorbent. - 特許庁

高温超電導部材を過冷却温度の液体窒素により冷却する装置において、過冷却液体窒素を得るために冷凍機の冷却ヘッドを液体窒素中に直接浸漬させるにあたって、冷凍機のシリンダ部から液体窒素への熱侵入を可及的に防止して、冷却装置の冷却効率の低下を防止し、かつ液体窒素の液面レベルの変動を防止する。例文帳に追加

To prevent reduction in cooling efficiency of a cooling apparatus by preventing heat conduction from the cylinder of a refrigerator to liquid nitrogen and prevent fluctuations in the liquid level of the liquid nitrogen, when the cooling head of the refrigerator is immersed directly in liquid nitrogen, to obtain supercooling liquid nitrogen in the apparatus for cooling a high-temperature superconducting member with the liquid nitrogen at a supercooling temperature. - 特許庁

ゲート電極の少なくともゲート絶縁膜側をハフニウムと窒素とを含む膜で形成し、そのハフニウムと窒素とを含む膜中の窒素を適性な組成比にすることで、従来から用いられているＰｏｌｙ−Ｓｉ電極とほぼ同レベルの良好な移動度を得ることを実現する。例文帳に追加

To provide a semiconductor apparatus which is as good in mobility as a Poly-Si electrode conventionally used, by forming at least a part of a gate electrode which is in contact with a gate insulating film with a film that contains hafnium and nitrogen, and making the composition ratio of nitrogen contained in the film adequate. - 特許庁

触媒担持体１０に、ブラウンミラライト型複合酸化物粒子２１と、貴金属触媒粒子２２の複合物からなる窒素酸化物除去触媒２０を担持させると共に、該窒素酸化物除去触媒２０上に、窒素酸化物を通過させるが、該窒素酸化物除去触媒２０を被毒するガスを通過させない、分子レベルの大きさの細孔３１を持つ選択的ガス透過膜３０を設けて構成する。例文帳に追加

The exhaust gas purifying apparatus is constituted so as to carry the nitrogen oxides removing catalyst 20 composed of brown milarite type multiple oxide particles 21 and noble metal catalyst particles 22 on a catalyst support 10 and to provide a selective gas permeation membrane 30 having molecular level sized fine pores 31, through which nitrogen oxides are passed through but gas poisoning the nitrogen oxides removing catalyst 20 is not passed through, on the nitrogen oxides removing catalyst 20. - 特許庁

細胞機能の２つの重要な伝達因子である、腫瘍壊死因子および酸化窒素の生産を抑制し、腫瘍壊死因子あるいは酸化窒素の望ましくない生産あるいはレベルによって特徴づけられる病理生理学的な状態を措置するための新しい方法の提供。例文帳に追加

To provide a new method for suppressing tumor necrosis factor and nitrogen monoxide, two crucial transfer factors of cell function and treating a pathophysiological state characterized by undesirable production or level of the tumor necrosis factor or nitrogen monoxide. - 特許庁

高濃度のＣＯＤ寄与物質及びアンモニア性窒素成分を含んでいる写真廃液に対して下水道への排出基準を満たすレベルまで効果的にＣＯＤ及びアンモニア性窒素を低減できる写真廃液処理方法を提示すること。例文帳に追加

To provide a photographic waste solution treatment method by which COD (chemical oxygen demand) contribution substances and amonia nitrogen can effectively be reduced to levels satisfying the emission standard to a sewer in a photographic waste solution comprising COD contribution substances and ammonia nitrogen components in high concentrations. - 特許庁