結晶の境界線の英語

結晶化境界近傍における半径方向の軸線方向温度勾配の変動を実質的に回避することができる、シリコン単結晶の引き上げ方法を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon single crystal pulling-up method by which the variation in the radial direction of the temperature gradient in the axial direction, in the vicinity of a crystallization boundary of a single crystal being grown, can substantially be avoided. - 特許庁

フォトニック結晶線欠陥導波路１１０は、高誘電率媒質１１１１内にフォトニック結晶による孔１１２が三角格子状に２つのグループに分けて配列され、その境界部には線欠陥部１１３が形成されている。例文帳に追加

The photonic crystal line defect waveguide 110 is arrayed with holes 112 by photonic crystals within a high dielectric constant medium 1111 by dividing these holes to two groups in a triangular grid form and the line defect section 113 is formed at their boundary. - 特許庁

結晶学上の面によって制約されない非線形経路を用いることによって、ウエハ毎のデバイス収率は、非線形境界を有するダイに関して特に実質的に改善される。例文帳に追加

The yield of device per wafer is especially, substantially improved for a die having a non-linear border. - 特許庁

略帯状結晶の半導体膜とそれ以外の半導体膜との間の境界領域に存在する半導体膜を、略帯状結晶の半導体膜を用いた薄膜トランジスタに接続される配線及び/又は抵抗として利用する。例文帳に追加

A semiconductor film existing in the border region between the semiconductor film of roughly belt-shaped crystal and semiconductor film other than this is utilized as an interconnect line and/or a resistor connected to a thin film transistor using the semiconductor film of the roughly belt-shaped crystal. - 特許庁

このようにすれば、シリコン層の多結晶化のためのレーザー照射の時互いに異なるレーザーショットで露光される部分が互いに混在するようにし、レーザーショット間の境界が線として認識されることを防止できる。例文帳に追加

Consequently, parts which are exposed to the different laser shots in laser irradiation for making the silicon layer polycrystalline are mixed with one another to prevent a border between laser shots from being recognized as a line. - 特許庁

貼り合わせの際に複数枚の半導体基板間の境界線で間隔または重畳部分が生じてもそれらの間隔または重畳部分に単結晶半導体層が重ならない画素構成とする。例文帳に追加

A pixel is constituted so that even if a gap or an overlapping portion is generated in a boundary between a plurality of semiconductor substrates, a single crystal semiconductor layer does not overlap with the gap or the overlapping portion. - 特許庁

主面を（００１）結晶面とする単結晶Ｇｅ基板１１と、主面上にマトリックス状に配列されたメモリセル１２と、メモリセル１２同士を区切るメモリ境界線１３などから構成し、メモリセル１２は、結晶面の最表面にあるＧｅ原子１４が形成するダイマー１５が２行２列に並んだ４つのダイマー１５から構成されている。例文帳に追加

The memory comprises a single crystal Ge substrate 11 whose main surface is a (001) crystal face, memory cells 12 arranged in a matrix on the main surface, memory boundary lines 13 partioning the memory cells 12, and a dimer 15 constituted of four dimers 15 formed of Ge atoms 14 on the uppermost of the crystal face and arranged in 2 lines 2 rows. - 特許庁

めっき線では、横断面におけるめっき部分の面積占有率が１０〜４０％の厚めっきを施され、このめっき層３が微細な結晶粒径からなる急冷組織を持ち、めっき層３と素地鉄鋼との境界に厚さ０．５〜１０μの中間層４を保有している。例文帳に追加

The plated wire has a thick plated layer 3 having a quenched structure consisting of crystals with fine grain sizes, in the cross section of which a rate of occupied area by the plated part is 10-40%, and has an intermediate layer 4 with a thickness of 0.5-10 μ in a boundary between the plated layer 3 and the steel base. - 特許庁