結晶内のの英語

ＣＺ法による単結晶の製造において、複数の単結晶を育成する際に、単結晶製造装置のチャンバ内の構造物を取り替えることなく、各単結晶がそれぞれ所望の結晶品質を有するように単結晶を製造できる単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing single crystals, by which a plurality of single crystals, each having a respectively desired crystal quality, can be manufactured without changing structures in a chamber of a single crystal production apparatus when the plurality of single crystals are grown in the production of the single crystals by a CZ method. - 特許庁

マトリクスが多結晶組織からなり、結晶粒とは異なる組成の結晶粒界相が存在し、結晶粒内および結晶粒界相内に同一種類のフォノン散乱粒子が分散している。例文帳に追加

A matrix comprises a polycrystalline structure, a crystal grain boundary phase of different composition from crystal grains is present, and phonon scattered particles of the same kind are dispersed in the crystal grains and crystal grain boundary phase. - 特許庁

マトリクスが多結晶組織からなり、結晶粒とは異なる組成の結晶粒界相が存在し、結晶粒内および結晶粒界相内に同一種類のフォノン散乱粒子が分散している。例文帳に追加

In the nanocomposite thermoelectric conversion material, a matrix comprises a polycrystalline structure, a crystal grain boundary phase of different composition from crystal grains is present, and phonon scattered particles of the same kind are dispersed in the crystal grains and crystal grain boundary phase. - 特許庁

坩堝内の結晶周辺部に発生した転位が結晶内部に蓄積することを低減した単結晶製造方法及び装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus for manufacturing a single crystal which decreases accumulation of dislocations, which generate in a peripheral part of the crystal in a crucible, within a crystal. - 特許庁

この工程により結晶性半導体薄膜１０３の表面が著しく平坦化され、且つ、結晶粒界及び結晶粒内の欠陥が消滅して単結晶半導体薄膜又は実質的な単結晶半導体薄膜が得られる。例文帳に追加

By this process, the surface of the crystalline semiconductor thin film 103 is markedly planarized, and defects in grain boundaries or crystal grains are eliminated and thus a single-crystal semiconductor thin film or a substantially single-crystal semiconductor thin film is obtained. - 特許庁

この工程により結晶性半導体薄膜１０４の表面が著しく平坦化され、且つ、結晶粒界及び結晶粒内の欠陥が消滅して単結晶半導体薄膜又は実質的な単結晶半導体薄膜が得られる。例文帳に追加

By this process, the surface of the crystalline semiconductor thin film 104 is markedly planarized and defects in grain boundaries or crystal grains are eliminated, and thus a single-crystal semiconductor thin film or a substantially single-crystal semiconductor thin film is obtained. - 特許庁

結晶内の組成のばらつきの小さいランガサイト系単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a langasite-based single crystal showing little variation of the composition in the crystal. - 特許庁