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自由イオンの英語
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英訳・英語 free‐ion
「自由イオン」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 78件
また、検出するイオン種に応じた構造を自由に選択できる。例文帳に追加
In addition, a structure corresponding to the ion kind to be detected can be selected freely. - 特許庁
従って、イオン風の吹出し方向を水平360°自由に可変できる。例文帳に追加
Thus, an ion air blowing direction is freely varied horizontally by 360°. - 特許庁
ターゲットにイオン注入する不純物の濃度プロファイルを自由に制御できるイオン注入装置及びイオン注入方法を実現する。例文帳に追加
To realize an ion implantation device in which impurity concentration profile that is implanted into a target can be controlled freely, and an ion implantation method. - 特許庁
固体電解質のイオン伝導度に関与する自由イオン(特に、リチウムイオン、Li^+)の担持効率がはるかに向上した主鎖有機化合物に、自由イオンと金属イオンとが配位してなる配位高分子、ならびにそれを含む固体電解質を提供すること。例文帳に追加
To provide a coordination polymer in which a free ion and a metal ion coordinate to a main chain organic compound being far improved in the carrying efficiency for the free ion (especially lithium ion, Li^+) participating in the ion conductivity of a solid electrolyte, and a solid electrolyte containing the coordination polymer. - 特許庁
設置場所の自由度の高いマイナスイオン発生器を新規に提供する。例文帳に追加
To provide a novel negative ion generator of high degree of freedom in an installation space. - 特許庁
本発明によれば、また、この配位高分子に自由イオンを担持させた固体電解質が提供される。例文帳に追加
The solid electrolyte contains the coordination polymer carrying the free ions. - 特許庁
タングステンフィラメント6は、ガスクラスターイオンビーム10をイオン化させて自由曲面成形型12の表面に向かって照射させる。例文帳に追加
A tungsten filament 6 ionizes the gas cluster ion beam 10 and emits the same toward the surface of a free curved face forming mold 12. - 特許庁
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「自由イオン」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 78件
イオントラップ2内にイオンを蓄積してクーリングを行った後、イオンを排出するまでの間に、電極21、22、23への印加電圧を零としてイオンを自由運動させる期間を設ける。例文帳に追加
A period of time for permitting the free movement of ions by setting applied voltages to electrodes 21, 22 and 23 to be zero is provided after the accumulation of ions inside the ion trap 2 and cooling until discharging ions. - 特許庁
これにより、超音速自由噴流によるマッハディスクやバレルショックが抑制され、イオン光軸C付近に下流へ向かう強いイオン流が生じ、高周波電場によりイオンを収束させつつ輸送するイオンガイドにイオンが効率良く捕捉され、イオン通過効率が向上する。例文帳に追加
With this, Mach Disk and a barrel shock due to supersonic free jet are prevented and a strong ion flow toward a downstream is generated near an ion optical axis C, and the ion can be efficiently arrested in an ion guide which converges the ion by a high-frequency electric field and transports it, thereby enhancing ion transmission efficiency. - 特許庁
イオン発生装置におけるイオン発生素子と駆動回路基板との配置の自由度を維持しつつ、イオン発生装置におけるリード線の引き回しを不要にするイオン発生装置、およびこのイオン発生装置を備えた電気機器を提供する。例文帳に追加
To provide an ion generator which dispenses with laying-around of lead wires while maintaining a degree of freedom for arranging an ion generating element and a driving circuit board in the ion generator, and also to provide electrical apparatus equipped with the ion generator. - 特許庁
通常分析の際には、イオン導入穴24及びイオン導出穴25を通過するようにイオン光学系14でイオン流を絞り、フライトチューブ34内空間のほかイオントラップ内空間や第2検出部31内の空間も自由飛行領域として飛行時間を計測する。例文帳に追加
At the time of a normal analysis, an ion flow is stopped by the ion optical system 14 so that it may pass an ion introduction hole 24 and an ion lead-out hole 25, and the flight time is measured using the flight tube 34 interior space, as well as ion trap interior space and the space in the second detection part 31 as a free flight region. - 特許庁
これにより、ガスにイオンビームIBを衝突させて、イオンの乖離や中性化を生じさせることができるので、半導体基板30にイオン注入する不純物の濃度プロファイルを自由に制御できることができる。例文帳に追加
By this, since ion dissociation or neutralization can be formed by making the ion beam IB collide with the gas, the concentration profile of the impurities implantated into the semiconductor substrate 30 can be controlled freely. - 特許庁
この自由運動期間中に各イオンはそれぞれが有する運動エネルギーに応じて広がり、イオン排出時にはイオンの存在位置に依存してそれぞれ異なる運動エネルギーを付与される。例文帳に追加
During this free movement period, the respective ions expand according to the respective kinetic energy, and at the time of ion discharge, different kinetic energy is provided depending on existing positions of the ions. - 特許庁
イオン発生装置を有する家電製品から発生するイオンの濃度を直接計測することができ、しかも室内を自由に移動して任意箇所のイオン濃度を計測することを可能とする手段を提供することを目的とする。例文帳に追加
To provide a means capable of directly measuring a concentration of ions generated from an electric home appliance having an ion generator, and freely moving in a room to measure an ion concentration of an optional place. - 特許庁
例えば単結晶シリコン・ウエハによって形成される、第1および第2の基板の自由表面の分子接合による接着は、少なくとも連続して、自由表面を疎水性にするための、気相のフッ化水素酸での自由表面の洗浄ステップと、30秒以下の時間の、脱イオン水での前記自由表面のすすぎステップと、前記自由表面を接触させるステップと、を含む。例文帳に追加
Adhesion by molecular bonding of two free surfaces of first and second substrates, for example formed by monocrystalline silicon wafers, comprises at least successively: a cleaning step of the two free surfaces with hydrofluoric acid in vapor phase to make the two free surfaces hydrophobic, a rinsing step of the free surfaces with deionized water with a time period less than or equal to 30 seconds, and a step of bringing the free surfaces into contact. - 特許庁
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