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負電界領域の英語
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英訳・英語 negative electric field
「負電界領域」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 9件
そして、電子放出領域の直前電界を負電界とする。例文帳に追加
An electric field just before an electron emission area is set to be a negative electric field. - 特許庁
センサは、座席領域における負荷に応答して、静電容量、電界効果又は他の特性を測定する。例文帳に追加
A sensor measures capacitance, electric field effects or other characteristic responsive to a load in a seating area. - 特許庁
反対のタイプの密にドープされた領域を2つの部分間に負荷して電界をさらに高める。例文帳に追加
A heavily-doped opposite region is loaded between two parts for further enhancing the electric field. - 特許庁
静電気保護ダイオードの動作抵抗を低減すると共に負性抵抗による半導体素子の破壊を防止するため、アバランシェ時の最大電界強度と強電界領域の平均電界の比率や強電界領域周辺の不純物濃度勾配を最適化する。例文帳に追加
To optimize the ratio of maximum electric field strength at the time of an avalanche to the average electric field of a strong electric field area and the gradient of impurity concentration around the strong electric field area in order to reduce the operation resistance of an electrostatic protection diode, and to prevent the destruction of a semiconductor element due to negative resistance. - 特許庁
第一の負誘電率媒質102と第二の負誘電率媒質101の少なくとも一方には、利得媒質103との間の境界部に形成される空乏領域を変化させるための電界を印加する電界印加手段122B、121が設けられている。例文帳に追加
At least one of these has electric field applying devices 122B and 121 for applying electric fields to change a depletion region formed at the boundary between the gain medium 103. - 特許庁
波長多重光信号から任意の1波長の光信号を選択する波長可変フィルタとして用いることができるファブリペロー型光導波路フィルタに関し、正負の高電界印加時にも、光導波路の伝搬モードが、カットオフ領域やマルチモード領域へ移行しないようにする。例文帳に追加
To prevent the propagating mode of an optical waveguide from transferring to a cut-off area and multi-mode area when high positive and negative electric fields are applied as well with respect to a Fabry-Perot type optical waveguide filter capable of being used as the wavelength variable filter selecting an optical signal of one optical wavelength from wavelength multipleed optical signals. - 特許庁
また、背面基板と着色粒子32が封入された領域間に、基板間に形成される電界に応じて、正負の極性が交互に入れ替え可能な帯電特性を有する帯電層34を設け、帯電層34の帯電特性によって着色粒子32の基板への付着力を増大させる。例文帳に追加
A charging layer 34 having charging characteristics that positive and negative polarities can be alternately exchanged according to the electric field generated between the substrates is provided between the back substrate and the region where the color particles 32 are sealed so as to enhance the adhesion strength of the color particles 32 to the substrate by the charging characteristics of the charging layer 34. - 特許庁
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「負電界領域」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 9件
軽負荷時に平滑チョークコイルに流れる電流が不連続になる領域を検出して、その期間は電界効果トランジスタによる同期整流動作を停止させることにより、ショート電流を防ぎ、無効電流による効率の悪化及び同期整流用電界効果トランジスタの安全性低下を防ぐ。例文帳に追加
To prevent the deterioration of efficiency caused by a reactive current and also prevent the lowering of the safety of a synchronous rectifying field effect transistor, by preventing the generation of a short-circuited current by detecting a region where a current flowing to a smoothing choke coil is discontinuous at the time of a light load, and stopping a synchronous rectifying operation by the field effect transistor during that time. - 特許庁
電力用半導体装置1において、カスコード素子20の電力用半導体スイッチング素子21のソース領域と負極端子11との間に複数直列接続された第1の金属絶縁膜半導体型電界効果トランジスタ22及び第2の金属絶縁膜半導体型電界効果トランジスタ23を備え、カスコード素子20に対して電気的に並列に高速ダイオード30を備える。例文帳に追加
In a power semiconductor device 1, a first metal insulating film semiconductor type field effect transistor 22 and a second metal insulating film semiconductor type field effect transistor 23, connected serially in a plurality of numbers, are provided between a negative electrode terminal 11 and the source region of a power semiconductor switching element 21 of a cascode element 20, with a high-speed diode 30 electrically provided in parallel with the cascode element 20. - 特許庁
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negative electric field
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