雰囲気制御熱処理の英語

円筒状金属コイルを効率よく、均一に雰囲気制御したまま、短時間で生産性良く熱処理できる熱処理方法を得る。例文帳に追加

To provide a heat-treatment process for efficiently heat-treating a cylindrical metal coil in a uniformly controlled atmosphere with a high productivity within a short time. - 特許庁

熱処理炉内の雰囲気の置換性や制御性を損なうことなく、熱処理における基板の面内温度分布の均一性の向上を図る。例文帳に追加

To enhance uniformity in the in-plane temperature distribution of a substrate at the time of heat treatment without sacrifice of the substitutability or controllability of atmosphere in a heat treatment furnace. - 特許庁

金属クロム粉または窒化クロム粉を、常圧下、窒素雰囲気下で加熱処理する際に、加熱温度を１０５０℃未満、または１０５０℃以上〜１５００℃以下に制御し、また加熱処理後の冷却雰囲気を窒素雰囲気または非窒素雰囲気に調整することによって、窒素含有量の異なる窒化クロム粉を製造する。例文帳に追加

The chromium nitride powder having a difference in nitrogen contents is manufactured by controlling the heating temperature to <1050°C or ≥1050°C to ≤1500°C at the time of heating metal chromium powder or chromium nitride powder under a normal pressure and a nitrogen atmosphere and adjusting the cooling atmosphere after heating to a nitrogen atmosphere or a non-nitrogen atmosphere. - 特許庁

大気圧以下の処理槽内蒸気雰囲気で、過熱温度を拾わないよう正確な飽和蒸気温度を測定し加熱処理を制御する。例文帳に追加

To control heat treatment by measuring an accurate saturated steam temperature, without taking the overheat temperature in a steam atmosphere in a treatment vessel below an atmospheric pressure. - 特許庁

炉内雰囲気の制御を必要とし、加熱後の冷却時においても所定の炉内雰囲気を維持しながら強制冷却することを要するバッチ式の熱処理炉である。例文帳に追加

This batch type heat treatment furnace needs the control of furnace atmosphere, and needs the forced cooling while keeping the specific furnace atmosphere even in cooling after heating. - 特許庁

浸炭窒化方法は、０．８質量％以上の炭素を含有する鋼からなる被処理物を浸炭窒化するための浸炭窒化方法であって、熱処理炉内の雰囲気が制御される雰囲気制御工程と、被処理物に付与される温度履歴が制御される加熱パターン制御工程とを備える。例文帳に追加

The carbo-nitriding method is the method for carbo-nitriding a treating material composed of steel containing ≥0.8mass% carbon, and is provided with: an atmosphere control process for controlling the atmosphere in a heat-treatment furnace; and a heating pattern control process for controlling the temperature hysteresis given to the treating material. - 特許庁

被処理物を加熱処理する雰囲気をＳｉ蒸気圧下又は真空下に自在に制御してグラフェン半導体ウエーハやＳｉＣ半導体ウエーハの製造を可能とするＳｉＣ半導体ウエーハ熱処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a heat treatment apparatus for an SiC semiconductor wafer which can produce a graphene or SiC semiconductor wafer by controlling the heat treatment atmosphere of a target article freely under Si vapor pressure or vacuum. - 特許庁

酸素濃度及びアルゴン濃度が制御され、且つ密閉された雰囲気下で、強誘電体膜の熱処理工程を実施することができる半導体装置の製造方法及び熱処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of executing a heat treatment process of a ferrodielectric film in a sealed atmosphere where oxygen concentration and argon concentration are controlled; and a heat treatment device. - 特許庁