電気的ポテンシャルの英語

電解質に対する半導体構造の局部的な電気化学的ポテンシャルの改変による光電気化学（ＰＥＣ）的エッチングの制御例文帳に追加

CONTROL OF PHOTOELECTROCHEMICAL (PEC) ETCHING BY MODIFICATION OF LOCAL ELECTROCHEMICAL POTENTIAL OF SEMICONDUCTOR STRUCTURE RELATIVE TO ELECTROLYTE - 特許庁

古典的キャリア密度が全キャリア密度と等しくなるように、ショットキー障壁ポテンシャルを変更した補正ショットキー障壁ポテンシャルを用い、古典的・半古典的な輸送方程式を解き、ＭＯＳＦＥＴの電気的特性をシミュレーションする。例文帳に追加

The classical and semiclassical transport equations are solved using a corrected Schottky barrier potential obtained by varying the Schottky barrier potential so that the classical carrier density and all-carrier density become equal to each other, and electric characteristics of the MOSFET are simulated. - 特許庁

少なくとも１つのセンサエレメントを、柔軟な導電層と電気的絶縁層から成る層構造体から構成し、層の導電性ポテンシャル面は側方で間隔を空けて、その間に位置する絶縁層上に配置され、導電性ポテンシャル面の間に電気力線が形成され、当該電気力線が、体または対象物が接近および／または接触した際に測定可能に変化すること。例文帳に追加

At least one sensor element is constituted by a layer structure, consisting of a flexible conductive layer and a flexible electrical insulation layer; conductive potential surfaces of the layers are arranged laterally separately on an insulating layer located between them; electric lines of force are formed among the conductive potential surfaces; and the electric line of force varies measurably, when a body or object approaches and/or touches it. - 特許庁

ビーム走査器とビーム平行化器との間に設けられていて、イオンビームをＹ方向において絞る働きをするユニポテンシャルレンズを構成する電極の組立誤差や製作誤差によって生じるイオンビームのＸＺ平面内での軌道のずれを当該ユニポテンシャルレンズにおいて電気的に修正することができるイオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implanting apparatus which is installed between a beam scanner and a beam collimator, and capable of electrically correcting a deviation of an orbit in an XZ plane of the ion beam caused by an assembling error and a production error of an electrode constituting a unipotential lens to converge the ion beam in Y-direction in the unipotential lens. - 特許庁

この転送ゲートＴＧ２が、Ｎ型浮遊拡散層ＦＤ１と電気的に接続されることによって、Ｎ型浮遊拡散層ＦＤ１に転送される光電荷量に応じてポテンシャルが変化する。例文帳に追加

By electrically connecting the transfer gate TG2 to an N-type floating diffusion region FD1, a potential is changed in accordance with the amount of photogenerated charge transferred to the N-type floating diffusion region FD1. - 特許庁

第１および２のシールド部材が、プリント回路の接地導体トラックに接続された導体トラックを介して電気的に接続され、ポテンシャルの檻を形成し、コネクタ（３）を電磁妨害から保護する。例文帳に追加

The first and the second shield members are electrically connected through a conductive track connected to the ground conductor track of the printed circuit, to form a hutch of potential and protect the connector (3) from electromagnetic interference. - 特許庁

選択性が高い光誘導性のエッチングを達成するために、電解質に対する半導体構造の局部的電気化学的ポテンシャルを戦略的に改変することを含む、ＩＩＩ−窒化物半導体構造を製造するための方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a III-nitride semiconductor structure and including the strategic modification of the local electrochemical potential of the semiconductor structure relative to the electrolyte so that highly-selective photo-induced etching is performed. - 特許庁