面チャネリングの英語

この発明は、内燃機関の制御装置に関し、サブ放電電極を利用した沿面放電の意図しない発生を抑制することによりチャネリングを防止することを目的とする。例文帳に追加

To provide a control device for an internal combustion engine that prevents channeling by suppressing unintended creeping discharge using a sub-discharge electrode. - 特許庁

表面チャネリング現象を防止するためのチャンネルストップの形成に余分のマスキング構成を要しないトレンチ型ＭＯＳＦＥＴの構造を提供する。例文帳に追加

To provide a trenched MOSFET structure which does not require any additional masking steps to form a channel stop for prevention of surface channeling phenomena. - 特許庁

球形ビーズ（２４）間の点接触は空洞（２２）のほぼ完全な充填と一緒になって気相の最小のチャネリング並びに喫煙中の気相と球形ビーズ（２４）のカーボン表面との間の最大接触を生み出す。例文帳に追加

Point-to-point contact between the spherical beads carbon (24) together with substantially complete filling of the cavity (22) produces minimal channeling of ambulatory gas phase as well as maximum contact between the gas phase and the carbon surface of the spherical beads carbon (24) during smoking. - 特許庁

本発明のレーザ加工装置は、レーザパルスをサファイアの表面近傍に集光照射して、サファイアの表面を起点として内部に向かう、光軸方向に伸張した形状の応力ひずみ領域を、セルフチャネリング効果により形成する。例文帳に追加

The laser machining apparatus condenses the laser pulse and irradiates the vicinity of the surface of the sapphire with the laser pulse to form a stress strain region starting at the surface of the sapphire and directed to the inside and having a shape extending in the optical axis direction by utilizing self-channeling effects. - 特許庁

Ｐ型ウェル４の不純物濃度のピーク部分を形成するために所定のレジストパターン３を介して、半導体基板１の主面側に直に高エネルギーでＢイオンをイオンチャネリングを起こすように半導体基板１の結晶軸の方向にイオン注入する。例文帳に追加

B ion is directly implanted at high energy on the main surface side of a semiconductor substrate 1 in the direction of crystal axis of the semiconductor substrate 1 to cause ion channeling, by way of a specified resist pattern 3 to form a peak part in impurity concentration of a p-type well 4. - 特許庁

ＭＯＳＦＥＴのソース・ドレイン拡散層を形成するにあたって、まず側壁を有するゲート電極１３を形成し、これをマスクとし且つ基板１１の配向面と整合した方向からＩｎ又はＡｓイオン注入を行って、基板深さ方向に濃度勾配が小さなチャネリングテールを有するディープＳＤ領域２４を形成し、次いで、Ｂ又はＡｓの通常のイオン注入によってソース・ドレイン領域２５を形成する。例文帳に追加

When the source-drain diffusion layer of an MOSFET is formed, a gate electrode 13 having a sidewall is formed at first and In or As ions are implanted from a direction aligned with the orientation face of a substrate 1 using the gate electrode 13 as a mask thus forming a deep SD region 24 having a channeling tail of small concentration gradient in the depth direction of the substrate. - 特許庁