Ｃ/Ｖの英語

To provide a Ge channel element small in hysteresis in a C-V characteristic.例文帳に追加

Ｃ−Ｖ特性におけるヒステリシスの小さなＧｅチャネル素子を得る。 - 特許庁

The method also comprises a step of thereafter executing an after C-V measurement by the instrument (S6).例文帳に追加

その後、非接触型Ｃ−Ｖ測定器によるアフターＣ−Ｖ測定を実施する（Ｓ６）。 - 特許庁

To provide a method which enables satisfactory C-V measurement, even if a high voltage is applied.例文帳に追加

高い電圧を印加しても、良好にＣ−Ｖ測定ができる方法を提供する。 - 特許庁

(where [C] and [V] denote the containing % of C and V, f>100, and f=100).例文帳に追加

ｆ＝１００−１２５[C] ＋２２．５[V] ……(1) 但し、[C] ，[V] はＣ，Ｖの含有％であり、ｆ＞１００でｆ＝１００である。 - 特許庁

(e) if acceptance is deferred because of subparagraph 17A.21(1)(c)(v) -- when the registration of the other trade mark is renewed or the other trade mark is removed from the Register; and例文帳に追加

(e) 受理が規則 17A.21 (1)(c)(v)を理由として延期された場合－他の商標の登録が更新されたか、又は他の商標が登録簿から抹消されたとき、及び - 特許庁

C-V measuring is performed (32) while increasing the voltage toward a maximum value and the reaction of the semiconductor wafer to the C-V measuring is recorded.例文帳に追加

電圧を最大値に向かって増加させながらＣ−Ｖ測定動作を行い（３２）、このＣ−Ｖ測定動作に対する半導体ウェハの反応を記録する。 - 特許庁

By comparing this ideal C-V characteristic and an actual measurement result of the C-V characteristic of a MIS capacitor to be evaluated, the interface level density, etc., can be efficiently evaluated.例文帳に追加

この理想Ｃ−Ｖ特性と、評価すべきＭＩＳキャパシタのＣ−Ｖ特性の実測結果とを比較して、効率よく界面準密度等を評価することができる。 - 特許庁

Then, the amount of electric charges injected into the semiconductor device is measured, and after the electric charges are injected into the semiconductor device, the final C-V characteristics of the semiconductor device are measured.例文帳に追加

その後、前記半導体装置内に注入された電荷の量を測定し、さらに前記半導体装置内に前記電荷が注入された後において、前記半導体装置の終期C-V特性を測定する。 - 特許庁