ＭｅＶの英語

Accordingly, the concentration distribution of the light element can be measured sensitively and precisely in a zone of the low incident ion energy of 1 MeV or less.例文帳に追加

それにより、１ＭｅＶ以下の低い入射イオンエネルギーの領域で、軽元素の濃度分布を高感度かつ高精度で計測することが可能となる。 - 特許庁

To generate X-rays of high energy, for example, of several MeV or more which are different from each other at lower costs than that of the conventional art.例文帳に追加

例えば数ＭｅＶ以上の高エネルギーのＸ線であって、かつ異なるエネルギーのＸ線を従来よりも安価に発生させる。 - 特許庁

The thickness of the second layer which loses almost all of the energy of a beta ray of targeted 2 to 3 MeV is selected.例文帳に追加

２層目の厚さは目標とする２〜３ＭｅＶのベータ線のエネルギーをほぼすべて失うものを選択する。 - 特許庁

To provide an active layer energy band for a laser diode by which a conduction band gap differential value between a quantum well and a well barrier of the laser diode is improved up to 300 meV or 450 meV and a characteristic temperature of the laser diode is improved.例文帳に追加

レーザダイオードの量子井戸と井戸障壁との間の伝導帯ギャップ差値が、３００ｍｅＶ乃至４５０ｍｅＶまで向上され、レーザダイオードの特性温度が向上されるレーザダイオードの活性層エネルギー帯を提供する。 - 特許庁

In addition, the silicon layer 8 is patterned with dry etching using a reactive gas with the second inorganic film 8 used as a mask, an ion 12 is implanted into the silicon substrate 2 in energy of 5 MeV to 8 MeV using the silicon layer 6 as a mask.例文帳に追加

さらに、第２の無機膜８をマスクとする反応性ガスを用いたドライエッチングによりシリコン層６をパターン化し、このシリコン層６をマスクとして、５ＭｅＶないし８ＭｅＶのエネルギーでシリコン基板２にイオン１２を注入する。 - 特許庁

To satisfy the measuring accuracy within ±20% at 60 keV-6 MeV of energy range by efficiently detecting the rear scattering rays generated when a worker has a pocket dosimeter and raising sensitivity thereof at 0.2 MeV or so.例文帳に追加

ポケット線量計を人間が装着した時に発生する後方散乱線を効率よく検出するようにして、０．２ＭｅＶ近傍での感度を持ち上げ、エネルギー範囲６０ｋｅＶ〜６ＭｅＶで±２０％以内の測定精度を満たすようにできる。 - 特許庁

Among the barrier layers 6a, 6c, 6d inside the active layer 6, the band discontinuous amount ΔE_C1 at a conduction band side of the barrier layer 6c held by the quantum well layers 6b, 6d and the quantum well layers 6b, 6d is set at 26 meV or more and 300 meV or less.例文帳に追加

活性層６内のバリア層６ａ，６ｃ，６ｄのうちの量子井戸層６ｂ，６ｄによって挟まれたバリア層６ｃと量子井戸層６ｂ，６ｄとの伝導帯側のバンド不連続量ΔＥ_C1は、２６ｍｅＶ以上、３００ｍｅＶ未満に設定される。 - 特許庁

The energy difference between the first quantum level of the positive holes in the InGaAs well layer 32 and the top of the valence band in the InGaAsP barrier layer 33 is about 107 meV, and the energy difference between the first quantum level of the electron in the InGaAs well layer 32 and the bottom of the conduction band of the InGaAlAs barrier layer 33 is about 186 meV.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓ井戸層における正孔の第１量子準位とＩｎＧａＡｓＰ障壁層における価電子帯のトップとのエネルギー差は，約１０７ｍｅＶとされ，ＩｎＧａＡｓ井戸層における電子の第１量子準位とＩｎＧａＡｌＡｓ障壁層における伝導帯のボトムとのエネルギー差は，約１８６ｍｅＶとされる。 - 特許庁