「ＭｅＶ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A semiconductor gain chip 30 has an α parameter of more than zero and equal to 6 or less under operation current conditions and a conduction band offset of ≥160 meV and ≤400 meV.例文帳に追加

半導体ゲインチップ３０は、動作電流条件下におけるαパラメータが０より大きく、６以下であり、伝導帯のバンドオフセットは、１６０ｍｅＶ以上、４００ｍｅＶ以下である。 - 特許庁

This project is intended to make sub-Angstrom, sub-100 meV EELS analysis a reality for the dedicated STEM. 例文帳に追加

このプロジェクトは、STEM専用機に対してサブオングストローム、サブ100meVのEELS解析を現実のものにすることを意図されている(意図する)。 - 科学技術論文動詞集

Accordingly, the concentration distribution of the light element can be measured sensitively and precisely in a zone of the low incident ion energy of 1 MeV or less.例文帳に追加

それにより、１ＭｅＶ以下の低い入射イオンエネルギーの領域で、軽元素の濃度分布を高感度かつ高精度で計測することが可能となる。 - 特許庁

To generate X-rays of high energy, for example, of several MeV or more which are different from each other at lower costs than that of the conventional art.例文帳に追加

例えば数ＭｅＶ以上の高エネルギーのＸ線であって、かつ異なるエネルギーのＸ線を従来よりも安価に発生させる。 - 特許庁

The thickness of the second layer which loses almost all of the energy of a beta ray of targeted 2 to 3 MeV is selected.例文帳に追加

２層目の厚さは目標とする２〜３ＭｅＶのベータ線のエネルギーをほぼすべて失うものを選択する。 - 特許庁

To provide an active layer energy band for a laser diode by which a conduction band gap differential value between a quantum well and a well barrier of the laser diode is improved up to 300 meV or 450 meV and a characteristic temperature of the laser diode is improved.例文帳に追加

レーザダイオードの量子井戸と井戸障壁との間の伝導帯ギャップ差値が、３００ｍｅＶ乃至４５０ｍｅＶまで向上され、レーザダイオードの特性温度が向上されるレーザダイオードの活性層エネルギー帯を提供する。 - 特許庁

In addition, the silicon layer 8 is patterned with dry etching using a reactive gas with the second inorganic film 8 used as a mask, an ion 12 is implanted into the silicon substrate 2 in energy of 5 MeV to 8 MeV using the silicon layer 6 as a mask.例文帳に追加

さらに、第２の無機膜８をマスクとする反応性ガスを用いたドライエッチングによりシリコン層６をパターン化し、このシリコン層６をマスクとして、５ＭｅＶないし８ＭｅＶのエネルギーでシリコン基板２にイオン１２を注入する。 - 特許庁

To satisfy the measuring accuracy within ±20% at 60 keV-6 MeV of energy range by efficiently detecting the rear scattering rays generated when a worker has a pocket dosimeter and raising sensitivity thereof at 0.2 MeV or so.例文帳に追加

ポケット線量計を人間が装着した時に発生する後方散乱線を効率よく検出するようにして、０．２ＭｅＶ近傍での感度を持ち上げ、エネルギー範囲６０ｋｅＶ〜６ＭｅＶで±２０％以内の測定精度を満たすようにできる。 - 特許庁

Among the barrier layers 6a, 6c, 6d inside the active layer 6, the band discontinuous amount ΔE_C1 at a conduction band side of the barrier layer 6c held by the quantum well layers 6b, 6d and the quantum well layers 6b, 6d is set at 26 meV or more and 300 meV or less.例文帳に追加

活性層６内のバリア層６ａ，６ｃ，６ｄのうちの量子井戸層６ｂ，６ｄによって挟まれたバリア層６ｃと量子井戸層６ｂ，６ｄとの伝導帯側のバンド不連続量ΔＥ_C1は、２６ｍｅＶ以上、３００ｍｅＶ未満に設定される。 - 特許庁

The energy difference between the first quantum level of the positive holes in the InGaAs well layer 32 and the top of the valence band in the InGaAsP barrier layer 33 is about 107 meV, and the energy difference between the first quantum level of the electron in the InGaAs well layer 32 and the bottom of the conduction band of the InGaAlAs barrier layer 33 is about 186 meV.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓ井戸層における正孔の第１量子準位とＩｎＧａＡｓＰ障壁層における価電子帯のトップとのエネルギー差は，約１０７ｍｅＶとされ，ＩｎＧａＡｓ井戸層における電子の第１量子準位とＩｎＧａＡｌＡｓ障壁層における伝導帯のボトムとのエネルギー差は，約１８６ｍｅＶとされる。 - 特許庁

To provide a charged particle beam deceleration device and method in which a phase adjusting unit of a high frequency band is not used and a charged particle beam of a high energy of 10 MeV or higher can be decelerated to 1 MeV or lower efficiently and as a result, a shield of a large scale is dispensed with and a system can be made smaller and a cost can be made lower.例文帳に追加

高周波帯域の位相調整器を用いることなく、１０ＭｅＶ以上の高エネルギーの荷電粒子ビームを、１ＭｅＶ未満まで効率よく減速することができ、これにより大規模な遮蔽を不要とし、システムの小型化や低コスト化を達成することができる荷電粒子ビーム減速装置および方法を提供する。 - 特許庁

In a TTG-DFB-LD including an MQW wavelength control layer 16 wherein a refraction factor is changed by a current injection, the effective forbidden bandwidth of the MQW wavelength control layer 16 becomes greater than energy of light generated in an MQW active layer 20 just by a value of ≥40 meV and <60 meV.例文帳に追加

電流注入により屈折率が変化するＭＱＷ波長制御層１６を有するＴＴＧ−ＤＦＢ−ＬＤにおいて、ＭＱＷ波長制御層１６の実効的な禁制帯幅が、ＭＱＷ活性層２０で発生した光のエネルギーよりも４０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ未満の値だけ大きくなっている。 - 特許庁

For instance, hydrogen ions 23 are accelerated at 2.4 MeV and a quartz optical fiber 21 of 125 μm diameter is irradiated with the hydrogen ions 23 from the surface of the clad 22.例文帳に追加

例えば、直径１２５μｍの石英系光ファイバ２１に対し、水素イオン２３を２．４ＭｅＶで加速し、そのクラッド２２の上から照射する。 - 特許庁

In order to generate neutrons substantially containing no harmful fast neutron, protons having acceleration energy in the range of 4-11 MeV are used as irradiation protons.例文帳に追加

有害な速中性子が殆ど含まれていない中性子を発生させるために照射陽子として４ＭｅＶ以上１１ＭｅＶ未満の範囲にある陽子を用いる。 - 特許庁

To provide a compact, inexpensive and wide-range implanter capable of generating and implanting ions having energy from a keV level to a MeV level.例文帳に追加

ｋｅＶ単位のエネルギからＭｅＶ単位のエネルギまでのイオンを生成して注入することのできる、コンパクトで低コストの広範囲のインプランタを提供する。 - 特許庁

The laser beam totally reflects in the droplets to form plasma having a high-speed electron of 50 to 200 keV, and a hard X ray having a directionality of 0.1 MeV to 1 GeV are generated.例文帳に追加

レーザ光は液滴内で全反射し、５０〜２００ｋｅＶの高速電子を有するプラズマを形成し、０．１ＭｅＶ〜１ＧｅＶの指向性を有する硬Ｘ線が発生される。 - 特許庁

To provide a desktop type radiation therapy/diagnosis apparatus capable of simultaneously performing the X-ray diagnosis and the therapy by generating about 6 MeV high-energy electrons, rotating the electrons and hitting the electrons at a target to generate X rays.例文帳に追加

６ＭｅＶ程度の高エネルギー電子を発生して周回させ、標的にぶつけてＸ線を発生し、Ｘ線診断と治療を同時に行うことの出来る卓上型放射光治療診断装置を提供する。 - 特許庁

The implantation layers 2, 3, 4 are formed through ion implantation with high energy of a metallic element of 1 MeV or higher and with a high dose of 1016 cm-2 or higher.例文帳に追加

この注入層２、３、４は、金属元素１ＭｅＶ以上の高エネルギで、かつ１０^16ｃｍ^-2以上の高ドーズ量でイオン注入することで形成される。 - 特許庁

Since the base subband has a wide-band width of about 200 meV, the electrons which shift from the subband of n=2 to the base subband move to a low-energy region in the base subband in a very short time.例文帳に追加

ここで、基底サブバンドは、約２００ｍｅＶといった広いバンド幅を有しているため、ｎ＝２のサブバンドから基底サブバンドへと遷移した電子は、基底サブバンド内の低エネルギー領域へと極めて短い時間のうちに移動する。 - 特許庁

To provide a device and a method of detecting high-energy X-rays with which the energy of high-energy X-rays exceeding 1 MeV is detected.例文帳に追加

１ＭｅＶを超える高エネルギーＸ線のエネルギーを検出することができる高エネルギーＸ線の検出装置と検出方法を提供する。 - 特許庁

Since the threshold of wave height discrimination of high-speed neutron detection can be lowered, the neutrons in the neighborhood of 0.01-0.1 MeV in which the conventional sensitivity is worse can be detected to improve sensitivity characteristics.例文帳に追加

高速中性子検出の波高弁別のしきい値を低くできるので、従来感度の悪かった０．０１〜０．１ＭｅＶ近傍の中性子も検出できるようになり、感度特性が向上した。 - 特許庁

In this case, the third semiconductor materials and the thickness of the quantum well layer are selected, so that the difference between the energy level of the lower part of the conductive band of the carrier closed layer and the base level of electrons in the quantum well layer can be set, so that is not less than 100 meV.例文帳に追加

キャリア閉込層の伝導帯下端のエネルギ準位と、量子井戸層内の電子の基底準位との差が１００ｍｅＶ以上になるように、第３の半導体材料、及び量子井戸層の厚さが選択されている。 - 特許庁

Band gap difference between the p-type contact layer 28 and the p-type intermediate layer 26 and that between the p-type intermediate layer 26 and the p-type clad layer 24 are set at 200 meV or less.例文帳に追加

p型コンタクト層28と前記p型中間層26間および、p型中間層26と前記p型クラッド層24間のバンドギャップ差がそれぞれ200meV以下となるように構成する。 - 特許庁

To provide a spectroscopic method and apparatus for an ion energy, capable of measuring a concentration distribution of an intended light element sensitively and precisely in the depth direction of an object to be measured, with a low incident ion energy of 1 MeV or less by using an incident ion heavier than He.例文帳に追加

Ｈｅよりも重い入射イオンを用いて、１ＭｅＶ以下の低い入射イオンエネルギーで、軽元素を対象として被測定物深さ方向の濃度分布を、高感度かつ高精度で計測できるイオンエネルギーの分光方法と装置を提供することである。 - 特許庁

Germination of potato during storage is inhibited by irradiating low energy electron beams having an energy more than 100 keV and less than 1 MeV.例文帳に追加

請求項１記載の本発明は、バレイショの表面に、エネルギーが１００ｋｅＶを超え、１ＭｅＶ未満の低エネルギー電子線を照射することを特徴とするバレイショ貯蔵時の発芽抑制方法と、前記請求項１記載の方法により得られる、貯蔵時の発芽の抑制されたバレイショとを提供する。 - 特許庁

In particular, the compounds have inhibiting activity against viruses such as human immunodeficiency virus (HIV), respiratory syncytial virus (RSV), human parainfluenza virus (HPV), measles virus (MeV), and simian immunodeficiency virus (SIV) and have extended duration of action for the treatment of viral infections.例文帳に追加

特に、ヒト免疫不全ウイルス（ＨＩＶ）、呼吸器合胞体ウイルス（ＲＳＶ）、ヒトパラインフルエンザウイルス（ＨＰＶ）、麻疹ウイルス（ＭｅＶ）、およびサル免疫不全ウイルス（ＳＩＶ）などのウイルスに対して阻害活性を有し、しかもウイルス感染の処置のために長時間作用を有する複合体。 - 特許庁

The method for producing the zeolite has an ion irradiating step where the linear cluster groups 20 are formed by irradiating a zeolite 10 (LTA-type zeolite and the like) containing metal ions (Ag^+ and the like) with ion irradiation (Au-200 MeV ion beam irradiation and the like).例文帳に追加

本製造方法は、金属イオン（Ａｇ^＋等）を含んだゼオライト１０（ＬＴＡ型ゼオライト等）に対してイオン照射（Ａｕ−２００ＭｅＶイオンビーム照射等）を行って、直線状クラスタ群２０を形成するイオン照射工程を備える。 - 特許庁

Energy spacing between the injection level and the upper level is set larger than 10 meV and smaller than energy of an LO phonon, and light emission intensity from the injection level to the lower level is set smaller than the light emission intensity from the upper level to the lower level.例文帳に追加

また、注入準位と上準位とのエネルギー間隔は１０ｍｅＶよりも大きくＬＯフォノンのエネルギーよりも小さく設定され、注入準位から下準位への発光強度は上準位から下準位への発光強度よりも小さい強度に設定される。 - 特許庁

To provide an energy discrimination inspection device for high-energy X-rays, capable of performing energy discrimination of high-energy X-rays exceeding 1 MeV and generating pileup which is less apt to occur, even if high-energy X-ray pulses are generated, and to provide a detection method.例文帳に追加

１ＭｅＶを超える高エネルギーＸ線のエネルギー弁別ができ、かつ高エネルギーＸ線がパルスで発生しても、パイルアップが生じにくい高エネルギーＸ線のエネルギー弁別検査装置と検出方法を提供する。 - 特許庁

Subsequently, an oxide film is grown on the surface of the substrate, a region becoming a first P type well region 170 is opened using resist and injected with boron ions at about 5E10-3E11 with an injection energy of 3-10 MeV, for example.例文帳に追加

その後、この基板の表面に酸化膜を成長させ、第１Ｐ型ウエル領域１７０となる領域をレジストで開口し、その上からボロンイオンを例えば３ＭｅＶ〜１０ＭｅＶの注入エネルギーで例えば５Ｅ１０〜３Ｅ１１程度注入する。 - 特許庁

The materials for the quantum well layer and for the carrier confinement layers and the thickness of the quantum well layer are selected so that the difference between the energy level at the carrier confinement layer conduction band lower edge and the ground level of electrons in the quantum well layer is 100 meV or higher.例文帳に追加

キャリア閉込層の伝導帯下端のエネルギ準位と、量子井戸層内の電子の基底準位との差が１００ｍｅＶ以上になるように、量子井戸層とキャリア閉込層の材料、及び量子井戸層の厚さが選択されている。 - 特許庁

In Fig.2, the fact that the structure of chrysotile is changed from acicular ones to grains may be confirmed from the crystal structure determined by X-ray diffraction and measurement results of a surface structure determined by an electron microscope by irradiating a sulfuric aqueous solution in which the chrysotile is immersed with electron beams with an incidence energy of 0.8 MeV.例文帳に追加

図２では、白石綿を浸漬した硫酸水溶液中に、入射エネルギー０．８ＭｅＶの電子線を照射することで、白石綿の構造が針状から粒状に変化することが、Ｘ線回折による結晶構造ならびに電子顕微鏡による表面構造の測定結果から確認できる。 - 特許庁

An analyzer 39 for detecting gamma radiation counts in a predetermined energy spectrum having a lower limit of 0.1 Mev or greater and an upper limit which is less than the characteristic primary energy of the source is connected to the detector, and the density is calculated on the basis of the gamma radiation counts obtained by the analyzer.例文帳に追加

０．１Ｍｅｖの下限から線源の固有一次エネルギー未満の上限までの所定のエネルギースペクトルに含まれる放射線計数を検出するためにアナライザ３９が検出器に接続され、密度はアナライザによって得られたガンマ放射線計数に基づいて計算される。 - 特許庁

In the DFB laser 1 having an MQW-SCH active layer 4 and a grating provided on the MQW-SCH active layer 4 in a lamination structure provided on an n-type semiconductor substrate 2, a difference is more than 150 meV between the oscillation wavelength of the DFB laser 1 and the wavelength of a compound semiconductor band gap constituting the grating layer 6 of the grating.例文帳に追加

ｎ型半導体基板２上に設けられた積層構造内にＭＱＷ−ＳＣＨ活性層４及びＭＱＷ−ＳＣＨ活性層４上に設けられた回折格子を有するＤＦＢレーザ１において、前記ＤＦＢレーザ１の発振波長と、前記回折格子の回折格子層６を構成する化合物半導体バンドギャップ波長の差が１５０ｍｅＶ以上であることを特徴とする。 - 特許庁

Since the accelerator is a folding type tandem accelerator, a 180° analysis electromagnet is arranged at a high voltage terminal part, and a slit having an energy analysis and diffusion restricting slit function is installed at the entrance part of the acceleration tube on high energy side, and once again the beam is accelerated by the accelerator having a single hole lens effect, and by focusing, an MeV region high energy ion nano beam is formed.例文帳に追加

加速器が、折り返し型タンデム加速器であるため、高電圧ターミナル部に１８０°分析電磁石を置き、高エネルギー側の加速管の入口部にエネルギー分析及び発散制限スリット機能を有するスリットを設置し、再度、単孔レンズ効果を有する加速管によりビームを加速するとともに、集束を行い、ＭｅＶ領域高エネルギーイオンナノビームを形成する。 - 特許庁

A glass ball aggregate A to be used for radiation shielding concrete is composed of glass having high radiation shielding ability with a mass absorption coefficient of γ-ray with energy of 0.3 MeV of 0.10 cm^2/g or more, and has a substantially spherical shape with a grain size of 5 to 100 mm.例文帳に追加

本発明のガラス球骨材Ａは、放射線遮蔽コンクリートに使用されるコンクリート用骨材であって、エネルギーが０．３ＭｅＶのγ線の質量吸収係数が０．１０ｃｍ^2／ｇ以上の高い放射線遮蔽能を有するガラスよりなり、粒径が５ｍｍから１００ｍｍの略球状を呈するものである。 - 特許庁

Semicondcutor thin film crystal is used as an optical nonlinear medium which constitutes a surface type light-light switch, an optical nonlinear reflector, or a nonlinear absorber and the energy of a photon corresponding to the wavelength of light concerned with main operation is set to be ≥80 meV higher than the band gap energy of its semiconductor thin film.例文帳に追加

面型光−光スイッチ、光非線形反射鏡、あるいは光非線形吸収体を構成する光非線形媒質として半導体薄膜結晶を用い、主たる動作に関与する光の波長に対応するフォトンのエネルギーがその半導体薄膜のバンドギャップエネルギーよりも８０ｍｅＶ以上高いエネルギーとなるように設定する。 - 特許庁

An Au ion-containing sodium tetraaurate (III) aqueous solution is prepared, so as to be an original liquid, further, using a surfactant (produced utilizing 4 m mol of a polyethylene glycol monosterate solution as an original liquid) and ultrapure water, so as to be a raw material solution, and electron beam energy of 10 MeV is emitted, thus metal nanoparticulates with a uniform particle diameter are produced.例文帳に追加

Ａｕイオンを含むテトラ金（III）酸ナトリウム水溶液を作製して原液とし、原料溶液に界面活性剤（ポリエチレングリコールモノステラート；４ｍモルの溶液を原液として作製）に超純水を用いて10ＭｅＶの電子線エネルギーを照射し、粒度の均一な金属ナノ微粒子を作製する。 - 特許庁

The desktop type radiation therapy/diagnosis apparatus consists of a device of generating about 6 MeV high-energy electrons, a conversion device with the target whose section size is not more than 100 microns for converting the electronic energy to X rays, a device of rotating electrons so that the electrons having penetrated the target hit at the target again, and a device of shielding regions other than the treated region.例文帳に追加

【解決手段】卓上型放射光治療診断装置は、６ＭｅＶ程度の高エネルギー電子を発生する装置と電子エネルギーをＸ線に変換する標的の断面サイズが１００ミクロン以下である変換装置と標的を透過した電子が再び標的に衝突するように電子を周回させる装置とＸ線イメージを検出する装置と治療部位以外を遮蔽する装置とから構成される。 - 特許庁

In particular, this invention relates to a C34 derivative having inhibiting activity against human immunodeficiency virus (HIV), respiratory syncytial virus (RSV), human parainfluenza virus (HPV), measles virus (MeV), and simian immunodeficiency virus (SIV) with long duration of action for the treatment of the respective viral infections.例文帳に追加

詳細には、本発明は、ヒト免疫不全ウイルス（ＨＩＶ）、ＲＳウイルス（ＲＳＶ）、ヒトパラインフルエンザウイルス（ＨＰＶ）、麻疹ウイルス（ＭｅＶ）、およびサル免疫不全ウイルス（ＳＩＶ）のウイルス感染の処置について長期間の作用を有する、ヒト免疫不全ウイルス（ＨＩＶ）、ＲＳウイルス（ＲＳＶ）、ヒトパラインフルエンザウイルス（ＨＰＶ）、麻疹ウイルス（ＭｅＶ）、およびサル免疫不全ウイルス（ＳＩＶ）のウイルスに対する阻害活性を有するＣ３４誘導体に関する。 - 特許庁

In the electrophotographic photoreceptor having a supporting body 101 and a photoconductive layer 103 consisting of an amorphous material essentially comprising silicon atoms and containing hydrogen atoms and/or halogen atoms, the photoconductive layer 103 has a layer region 111 where charges are transferred and a layer region 112 consisting of two layer regions having 50 to 60 meV characteristic energy in the tail of the exponential function obtained from the spectrum and having different band gaps from each other.例文帳に追加

支持体１０１と、シリコン原子を母体として水素原子及び／又はハロゲン原子を含有するアモルファス材料からなる光導電層１０３とを備えた電子写真感光体において、光導電層１０３は、電荷を輸送する層領域１１１と、光スペクトルから得られる指数関数裾の特性エネルギーが５０〜６０ｍｅＶであってバンドギャップの異なる二つの層領域からなる層領域１１２を有する。 - 特許庁