BOND STRESSとは 意味・読み方・使い方

The bottom of the fixed part is fixed to the substrate with adhesive bond and the actual stress to be transmitted to the region where the diaphragm 10 is formed is absorbed by the stress mitigating groove 11a.例文帳に追加

固定部の底部は接着剤で基板に固定され、ダイヤフラム１０が形成された領域へ伝達されようとする実装応力は応力緩和溝１１ａによって吸収される。 - 特許庁

To prevent a plated electrode from peeling from a semiconductor substrate surface by stress concentrated on an outer rim of the plated electrode by a bond in a semiconductor device having the plated electrode formed on the semiconductor substrate surface and a heat sink provided on the electrode via the bond.例文帳に追加

半導体基板表面にめっき電極が形成され、接合材を介してめっき電極上にヒートシンクを設けた半導体装置において、接合材によってめっき電極の外縁部に応力が集中することで半導体基板表面からめっき電極が剥離してしまうことを防止する。 - 特許庁

In this permanent magnet rotor, a plastic bond magnet 3 is installed on the outer periphery of an iron core 1, and the outer periphery of the plastic bond magnet 3 is covered with a nonmetallic protective part member 7, having yield stress larger than that of the plastic bonded magnet 3.例文帳に追加

永久磁石ロータは、鉄心１の外周にプラスチックボンド磁石３を装着し、さらに、プラスチックボンド磁石３の外周を、このプラスチックボンド磁石よりも降伏応力の大きい非金属製の保護部材７で被覆したことを特徴とするものである。 - 特許庁

Since the cooling rate slows down in the middle of the cooling, stress in the silicon wafer is relaxed, and since the cooling rate is high to the halfway, thermal energy sufficient to cut a bond between the dopant and the silicon wafer does not act on the dopant in a lowered solid solubility, thereby the dopant does not undesirably diffuse because the bond between the dopant and the silicon wafer is not cut.例文帳に追加

降温速度が途中から低速なのでストレスが緩和され、降温速度が途中まで高速なので固溶度が低下した不純物にシリコンウェハとの結合の切断に充分な熱エネルギが作用せず、不純物はシリコンウェハとの結合が切断されないので無用に拡散しない。 - 特許庁

The heating treatment results in thermal stress due to a difference in thermal expansion coefficient between both substrates 10 and 20, and the chemical bond of silicon atoms in the ion implantation layer 11 is weakened.例文帳に追加

この加熱処理により、シリコン基板１０と石英基板２０の両基板間の熱膨張係数差に起因する熱応力が生じてイオン注入層１１内のシリコン原子の化学結合が弱化する。 - 特許庁

To restrict releasing of resin from a substrate by a thermal stress and secure reliability in the mounting structure as a whole in a semiconductor device, in which a semiconductor chip mounted with a wire bond on the face of a ceramic substrate is sealed with epoxy resin.例文帳に追加

セラミック基板の一面上にワイヤボンド実装された半導体チップをエポキシ樹脂で封止してなる半導体装置において、熱応力による樹脂と基板との剥離を抑制し、実装構造全体の信頼性を確保する。 - 特許庁

In the semiconductor device and the like, excellent heat dissipation performance and stress relaxation performance can be achieved by the porous metal material 16a, an excellent bond strength can be achieved by the solder 16c.例文帳に追加

前記半導体装置等によれば、多孔質金属材１６ａにより良好な放熱性及び応力緩和性を得ることができ、はんだ１６ｃにより良好な接合強度を得ることができる。 - 特許庁

The bond between the lower clad layer 5 and the silicone substrate 6 is cut off by the heat, a stress which is caused during the manufacturing the optical waveguide due to the difference between the thermal expansion coefficients of the quartz-based optical waveguide and the silicone substrate is partially released.例文帳に追加

この熱によって下部クラッド層５とシリコン基板６の間に結合が切れ、光導波路作製時に石英系光導波路とシリコン基板の熱膨張係数の違いにより生じていた応力が一部開放される。 - 特許庁