「BOND STRESS」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a bond pad of a semiconductor element, and its forming method, in which the problem that an insulation film underlying a bond pad metal layer is damaged due to thermal/mechanical stress applied at the time of beam lead bonding can be suppressed.例文帳に追加

ビームリードボンディング時に加わる熱的／機械的ストレスに起因してボンドパッドメタル層の下部の絶縁膜が損傷される問題を抑制できる半導体素子のボンドパッド及びその形成方法を提供する。 - 特許庁

Stress applied convergently on a specific limited part of the ceiling as seen in a conventional prop-up type post is dispersed to a plurality of parts of the ceiling to fix and pressure-bond the post to the ceiling with relatively weak stress.例文帳に追加

従来の突っ張り型支柱に見られるような、天井の限られた特定箇所に集中的にかかる応力を天井の複数の箇所に分散し固定出来るようにし、比較的弱い応力で天井に圧接されるようにした。 - 特許庁

And then, the bond wafer 1 and a base wafer 2 are joined to form a joined wafer 5, and a bending stress and shearing stress are applied to the joined wafer, thereby dividing the joined wafer 5 at the modifying layer 1c.例文帳に追加

続いて、ボンドウェハ１およびベースウェハ２を結合して結合ウェハ５を作成し、その結合ウェハに対して曲げ応力やせん断応力を付与することにより、結合ウェハ５を改質層１ｃを起点にして分断する。 - 特許庁

This polycrystalline silicon is different from the general polycrystalline silicon, so that covalent bond will not break in a grain boundary and the breaking stress is high to be preferable for the structural layer.例文帳に追加

この多結晶シリコンは一般的な多結晶シリコンと異なり結晶粒界で共有結合が途切れず破壊応力が高く構造層に好適となる。 - 特許庁

In this permanent magnet rotor, a plastic bond magnet 3 is installed on the outer periphery of an iron core 1, and the outer periphery of the plastic bond magnet 3 is covered with a nonmetallic protective part member 7, having yield stress larger than that of the plastic bonded magnet 3.例文帳に追加

永久磁石ロータは、鉄心１の外周にプラスチックボンド磁石３を装着し、さらに、プラスチックボンド磁石３の外周を、このプラスチックボンド磁石よりも降伏応力の大きい非金属製の保護部材７で被覆したことを特徴とするものである。 - 特許庁

To provide a substrate bonding device which has a simple structure and control and no involvement of fine air bubbles and which can bond a substrate without generating large stress distribution in the substrate.例文帳に追加

構成や制御が簡便であり、微細な気泡の巻き込みが無く、基板に大きな応力分布を発生することなく基板を貼り付けることができる基板貼付装置を提供する。 - 特許庁

To provide a pressure sensor capable of suppressing reduction of bond strength caused by a spark, and effectively preventing a stress by deformation of a gel member from applying to a diaphragm.例文帳に追加

スパークによる接合強度の低下を抑制するとともに、ゲル部材の変形による応力がダイアフラムに作用するのを効果的に抑制することのできる圧力センサを提供する。 - 特許庁

Furthermore, a slit groove 130 is formed between the bond part of the anchor part 124a and the step part 129, and the anchor part 124a is deformed in a position of the slit groove 130 to relax stress.例文帳に追加

さらに、アンカー部１２４ａの接合部と段差部１２９の間にはスリット溝１３０が形成されており、スリット溝１３０の位置でアンカー部１２４ａが変形して応力を緩和する。 - 特許庁

To provide an anchor bolt capable of preventing the occurrence of cracking of a concrete member around a bolt, of binding another member to the concrete member with a high bond stress, and of shortening the term of the works.例文帳に追加

ボルト回りのコンクリート部材のひび割れの発生を防止する一方で、高い付着力でコンクリート部材に他部材を緊結させ、かつ工期を短縮することができるアンカーボルトを提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device and the like, excellent heat dissipation performance and stress relaxation performance can be achieved by the porous metal material 16a, an excellent bond strength can be achieved by the solder 16c.例文帳に追加

前記半導体装置等によれば、多孔質金属材１６ａにより良好な放熱性及び応力緩和性を得ることができ、はんだ１６ｃにより良好な接合強度を得ることができる。 - 特許庁

The heating treatment results in thermal stress due to a difference in thermal expansion coefficient between both substrates 10 and 20, and the chemical bond of silicon atoms in the ion implantation layer 11 is weakened.例文帳に追加

この加熱処理により、シリコン基板１０と石英基板２０の両基板間の熱膨張係数差に起因する熱応力が生じてイオン注入層１１内のシリコン原子の化学結合が弱化する。 - 特許庁

Since the cooling rate slows down in the middle of the cooling, stress in the silicon wafer is relaxed, and since the cooling rate is high to the halfway, thermal energy sufficient to cut a bond between the dopant and the silicon wafer does not act on the dopant in a lowered solid solubility, thereby the dopant does not undesirably diffuse because the bond between the dopant and the silicon wafer is not cut.例文帳に追加

降温速度が途中から低速なのでストレスが緩和され、降温速度が途中まで高速なので固溶度が低下した不純物にシリコンウェハとの結合の切断に充分な熱エネルギが作用せず、不純物はシリコンウェハとの結合が切断されないので無用に拡散しない。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for testing shear bond strength of a tile capable of being appropriately installed as an apparatus, reasonably applying shearing stress to bonded portions of a tile as a method, improving testing accuracy and definitely testing shear bond strength itself of a tile.例文帳に追加

装置として適切な設置が可能であるとともに、方法としても合理的にタイルの接着個所にせん断力を作用させることが可能であって、試験精度の向上およびタイルのせん断接着強度そのものを的確に試験することができるタイルのせん断接着強度試験装置および試験方法を提供する。 - 特許庁

To prevent a plated electrode from peeling from a semiconductor substrate surface by stress concentrated on an outer rim of the plated electrode by a bond in a semiconductor device having the plated electrode formed on the semiconductor substrate surface and a heat sink provided on the electrode via the bond.例文帳に追加

半導体基板表面にめっき電極が形成され、接合材を介してめっき電極上にヒートシンクを設けた半導体装置において、接合材によってめっき電極の外縁部に応力が集中することで半導体基板表面からめっき電極が剥離してしまうことを防止する。 - 特許庁

The first cBN sintered compact contains 70 to 99.5 vol.% of cBN, wherein the remaining part comprises a bond phase and an inevitable impurity, a residual stress measured by X-ray diffraction of a face (220) of cBN is -40 MPa or less.例文帳に追加

第一のcBN焼結体は、cBNを70体積％以上99.5体積％以下含有し、残部が結合相及び不可避不純物からなり、cBNの（220）面のＸ線回折により測定した残留応力が-40MPa以下である。 - 特許庁

To provide an epoxy resin composition for semiconductor sealing which is prevented from the decrease in bond strength, warps little, and has an excellent solder resistance by decreasing the stress caused during the temperature fall after molding and after post-curing and the stress caused by vapor pressure when subjected to a heating step at 200°C or higher.例文帳に追加

成形後及び後硬化後の降温の際に発生する応力及び２００℃以上の加熱工程にさらされた際の蒸気圧により発生する応力を小さくすることによって密着強度の低下を防ぎ、反りが小さく、優れた耐半田特性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a configuration in which a solder layer bonds a substrate and a semiconductor element with each other, and a tape-like lead wire (a tape bond) is bonded to the semiconductor element, and being capable of reducing stress generated in the solder layer when the semiconductor element generates heat and of suppressing damage caused by the stress.例文帳に追加

基板と半導体素子をはんだ層が接合し、半導体素子にテープ状の導線（テープボンド）がボンディングされた構成の半導体装置に関し、半導体素子が発熱した際のはんだ層に生じるストレスが低減され、当該ストレスに起因する破損を抑制することのできる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The optical element having photoelasticity, including an aliphatic polycarbonate which is expressed in the general formula (1), which is obtained as epoxide and carbon oxide bond alternately, and which does not include an ether bond component that can be detected by ^1H-NMR analysis, is characterized by having a stress optic coefficient within the range of 0.1 to 2.0 GPa^-1.例文帳に追加

一般式（１）で表される、エポキシドと二酸化炭素とが交互に結合して得られ且つ^1Ｈ−ＮＭＲ分析により検出可能なエーテル結合成分を含まない脂肪族ポリカーボネートを含む、光弾性を有する光学素子であって、０．１〜２．０ＧＰａ^-1の範囲の応力光学係数を有することを特徴とする光学素子。 - 特許庁

To improve stress relaxing characteristic in a laser diode and the bond strength of wire bond connections by arranging channels having laser diodes in an array form, and providing aligning markers, which are used for alignment, only for the center channel among the channels.例文帳に追加

本発明は、中央チャネル以外の隣接チャネルに目合わせマーカを不要とし、チャネル数に関わらず、レーザダイオード内の応力緩和特性の向上、ワイヤーボンド接続の接合強度の向上、レーザダイオード放熱性特性の向上、及びレーザダイオードへのボンディングワイヤの実装の容易化を同時に実現するアレイ型レーザダイオード及び製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

The bond between the lower clad layer 5 and the silicone substrate 6 is cut off by the heat, a stress which is caused during the manufacturing the optical waveguide due to the difference between the thermal expansion coefficients of the quartz-based optical waveguide and the silicone substrate is partially released.例文帳に追加

この熱によって下部クラッド層５とシリコン基板６の間に結合が切れ、光導波路作製時に石英系光導波路とシリコン基板の熱膨張係数の違いにより生じていた応力が一部開放される。 - 特許庁

To restrict releasing of resin from a substrate by a thermal stress and secure reliability in the mounting structure as a whole in a semiconductor device, in which a semiconductor chip mounted with a wire bond on the face of a ceramic substrate is sealed with epoxy resin.例文帳に追加

セラミック基板の一面上にワイヤボンド実装された半導体チップをエポキシ樹脂で封止してなる半導体装置において、熱応力による樹脂と基板との剥離を抑制し、実装構造全体の信頼性を確保する。 - 特許庁

A metal-ceramic composite substrate constituted by bonding copper plates 2 and 3 to a ceramic substrate 1 by a direct bonding method is subjected to a temperature cycle of supercooling from a room pressure and returning to the room temperature again to remove the residual stress of the metal-ceramic composite substrate resulting from a heat stress occurring in a process for cooling from the bond temperature to the room temperature.例文帳に追加

セラミックス基板１に銅板２、３を直接接合法で接合して構成した金属−セラミックス複合基板に、室温から更に過冷却し再び室温に戻す温度サイクルを与えることにより、接合温度から室温に冷却する過程で発生する熱応力に起因する金属−セラミックス複合基板の残留応力を除去する。 - 特許庁

According to the EU and IMF support program, the financing on the market through issuance of a long-term government bond will be resumed in 2013. In their report91 on the verification of the economic and financial situations concerning the fourth support fund for Portugal implemented in April 2012, the EU and the IMF stress that the country's efforts to make its fiscal condition healthier have been successful. However, since the current long-term government bond yield is still high, there is speculation on the market that the country may give up issuing a long-term government bond for2013 in the future.例文帳に追加

EU・IMF支援プログラムでは2013年から長期国債発行による市場での資金調達を再開することとなっており、EU・IMFは2012年4月に実施した同国への第4回支援融資に係る経済・財政状況の検証報告書で、同国の財政健全化に向けた取組は順調に進んでいると強調しているものの、現在の長期国債利回りはいまだ高水準のため、今後2013年の長期国債発行断念の可能性が市場で取りざたされている。 - 経済産業省

To provide a curable composition having the excellent heat resistance, light resistance and adhesion useful as a coating agent for various optical materials, a sealing agent for LED or a die bond agent by solving the problems of generation of cracking or defoliation derived from internal stress of a cured product, warpage of a substrate, and the like, and a cured product.例文帳に追加

耐熱耐光性に優れ、硬化物の内部応力に起因するクラック、剥離の発生、基材の反り等の問題を解決し、かつ接着性に優れた各種光学材料のコーティング剤、ＬＥＤの封止剤やダイボンド剤に有用な硬化性組成物および硬化物を提供する。 - 特許庁

In the present invention, a detection element 21 which detects physical quantity such as angular velocity and acceleration is held in space by rigidness of wires 63 for electrically connecting to a case for measuring a characteristic of the detection element, and influence such as adhesive stress by adhesive bond is removed.例文帳に追加

本発明は角速度、加速度等の物理量を検出する検出素子２１を、前記検出素子の特性を測定するためのケースに電気的に接続するためのワイヤ６３の剛性のみで空間に保持し、接着剤による接着応力などの影響を除去したものである。 - 特許庁

This die bond paste 23A used for fixing the IC chip 16 on the positive electrode board 11 contains, as main constituents, low-melting-point glass frit, a vehicle containing a low-temperature degradable resin, a stress relaxing material comprising a ceramics filler and/or a laminar mineral substance and having a coefficient of thermal expansion lower than that of the low-melting-point frit glass.例文帳に追加

ＩＣチップ１６を陽極基板１１上に固着するダイボンドペースト２３Ａは、低融点ガラスフリットと、低温分解性樹脂を含むビークルと、セラミックスフィラー及び又は層状鉱物からなる低融点フリットガラスよりも熱膨張率が低い応力緩和材料とを主成分とする。 - 特許庁

Lower side conductive layers M1 and M2 in the area on the lower side of a passivation opening 314 (the place where a probe chip and a bond wire are arranged) as well as an upper part conductive layer M3 are formed of homogeneous material with no via, to decrease stress concentration points in an internal layer dielectric body 302.例文帳に追加

パッシベーション開口３１４の下側の区域（プローブチップ及びボンドワイヤが配置される場所）における下側導電層Ｍ１、Ｍ２、及び上部導電層Ｍ３をビアなしの均質な物質とし、それにより内部層誘電体３０２における応力集中点を減少させる。 - 特許庁

A plate polysilicon layer 104 is formed additionally between a bond pad metal layer formed by bonding a first metal layer 108 and a second metal layer 112 directly and an underlying first insulation film 102 so that an external thermal/mechanical stress is absorbed thus increasing durability against a tensile force in the vertical direction and enhancing adhesion by preventing slip between the bond pad metal layer and the first insulation film 102.例文帳に追加

第１メタル層１０８と第２メタル層１１２とが直接接着された形のボンドパッドメタル層とその下部に位置する第１絶縁膜１０２との間にプレートポリシリコン層１０４を追加で形成し、外部から加わる熱的／機械的ストレスを吸収するようにして、垂直方向の引張力に対する耐久性を増大させ、ボンドパッドメタル層と第１絶縁膜１０２との滑りを防止して接着性を改善できる。 - 特許庁