Chamber Purgingとは 意味・読み方・使い方

Each optical section 12 includes a plurality of discharge ports 20 and a plurality of supply ports 22 for purging the optical chamber.例文帳に追加

さらに、各光学セクション１２は、光学室をパージするための複数の排出ポート２０及び複数の供給ポート２２を含む。 - 特許庁

To reduce the fluctuation in atmospheric temperature inside a chamber over the entire processing step period, from starting of reduced-pressure drying process to the completion of purging.例文帳に追加

減圧乾燥処理の開始からパージング終了までの全処理工程時間を通してチャンバ内の雰囲気温度の変動を小さくすること。 - 特許庁

When the opening/closing valve is pushed up further, a liquid discharging port 23 and an air purging port 33 are opened while communicating with the metering chamber from a channel 28.例文帳に追加

開閉弁を更に押し上げると流路２８から計量室に連通して液排口２３、空気抜き孔３３を開く。 - 特許庁

Furthermore, by directly purging gas in the air chamber 30 in the intake passage 34 by bypass of is through the canister 62, a bladder film hole is detected.例文帳に追加

また、空気室３０内のガスをキャニスタ６２をバイパスして直接に吸気通路３４にパージすることによりブラダ膜穴検出を行う。 - 特許庁

As the result, at carrying of the substrate in, it is possible to prevent the external atmosphere from being involved into the process chamber at the supply amount of an appropriate purging gas.例文帳に追加

その結果、基板搬入の際に、適正なパージガスの供給量で、外部雰囲気の処理室内への巻き込みを防止できる。 - 特許庁

After cleaning, a monosilane (SiH_4)-containing gas, high in reactivity with metals polluted in the treatment chamber due to cleaning is introduced into the treatment chamber for purging the cleaning gas out of the treatment chamber for a rapid decrease in the metal pollution level.例文帳に追加

クリーニング後、クリーニングのダメージにより発生した汚染金属との反応性の高いモノシラン（ＳｉＨ_4）を含むガスを処理室内に導入し処理室内をパージして、金属汚染レベルを速やかに低減させる。 - 特許庁

To avoid a danger of occurrence of oxygen deficiency to an operator caused by sudden opening of a door in the state where nitrogen gas is filled in a sample chamber, when performing analysis after purging the air in the sample chamber or in an analysis chamber.例文帳に追加

試料室や分析室内の空気をパージして分析を行う場合に、窒素ガスが試料室内に充満した状態で扉体が急に開かれて作業者が酸素不足に陥るといった危険を回避する。 - 特許庁

The deposition method comprises the steps of: pulsing a metal amide precursor; purging away the unreacted metal amide; introducing nitrogen source gas into a reaction chamber under plasma atmosphere; purging away the unreacted nitrogen source gas; pulsing a silicon precursor; purging away the unreacted silicon precursor; introducing nitrogen source gas into a reaction chamber under plasma atmosphere; and purging away the unreacted nitrogen source gas.例文帳に追加

金属アミド前駆体をパルス送りする工程、未反応金属アミドをパージ除去する工程、プラズマ雰囲気下で反応チャンバ内に窒素源ガスを導入する工程、未反応窒素源ガスをパージ除去する工程、ケイ素前駆体をパルス送りする工程、未反応ケイ素前駆体をパージ除去する工程、プラズマ雰囲気下で反応チャンバ内に窒素源ガスを導入する工程、及び未反応窒素源ガスをパージ除去する工程を含む被着方法。 - 特許庁