Drift Offとは 意味・読み方・使い方

To improve the breakdown voltage of a semiconductor device by raising the strength of an electric field in a drift layer when the semiconductor device is off.例文帳に追加

半導体装置がオフのときに、ドリフト層内の電界強度を高くし、半導体装置の耐圧を向上させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device whose on-resistance is reduced with high breakdown strength by improving the structure of a drift region which is depleted in an OFF mode.例文帳に追加

オフ状態で空乏化するドリフト領域の構造を改良することにより、高耐圧で、オン抵抗の低減した半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a drift pin of simple structure that prevents it from falling off after a pin body is driven to a member or penetrated in the penetration hole of the member.例文帳に追加

簡単な構造で、ピン本体を部材に打ち込んだ後又は部材の貫通孔に貫通させた後に抜けを防止するドリフトピンを提供する。 - 特許庁

To eliminate the need for time correcting work for real time clocks in slave stations and control proper flash control without causing synchronous drift or off-timing.例文帳に追加

子局のリアルタイムクロックの時刻修正作業が不要で、同期ずれやタイミングずれのない適正な閃光制御を行うようにする。 - 特許庁

In the IGBT 100, a lot of holes are stored in an emitter region-side part 22a in the drift region 22 in turning off.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１００では、ターンオン時にドリフト領域２２内のエミッタ領域側の部位２２ａにも正孔が多く蓄積される。 - 特許庁

A MOSFET 1 comprises: a silicon carbide substrate 11; a drift layer 12 that has a surface (primary surface 12A) having an off-angle of 50° or more to 65° or less to the {0001} plane and is composed of silicon carbide; and a gate oxide film 21 that is formed in contact with the primary surface 12A of the drift layer 12.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ１は、炭化珪素基板１１と、｛０００１｝面に対するオフ角が５０°以上６５°以下である表面（主面１２Ａ）を有し、炭化珪素からなるドリフト層１２と、ドリフト層１２の主面１２Ａ上に接触して形成されたゲート酸化膜２１とを備えている。 - 特許庁

In at least part of a drift region 26 provided in the semiconductor device, the concentration of holes is kept at a value of not less than ten times the impurity concentration of the drift region during the turn-off period immediately after turning off a gate signal of the semiconductor device performing a bipolar operation.例文帳に追加

バイポーラ動作する半導体装置であり、この半導体装置のゲート信号をオフした直後のターンオフ期間中において、その半導体装置に設けられているドリフト領域２６内の少なくとも一部では、正孔濃度がそのドリフト領域の不純物濃度の１０倍以上に維持されていることを特徴としている。 - 特許庁

A silicon carbide based power device has a silicon carbide drift layer having a flat surface which forms an off-axis angle smaller than 8° in <0001> direction.例文帳に追加

炭化ケイ素ベースのパワーデバイスが、＜０００１＞方向に対して８°よりも小さいオフアクシス角を形成する平坦な表面を有する炭化ケイ素ドリフト層を含む。 - 特許庁