Electron Optics Systemとは 意味・読み方・使い方

The electron optics irradiation system is able to selectively irradiate a relatively large field in the mask surface (8), focus an electron beam on the mask surface (8), or shape it into a desired electron-beam profile.例文帳に追加

電子光学的照射システムにより、選択的に、マスク面（８）内の比較的大きなフィールドが照射可能であるか、又は、電子線をマスク面（８）に合焦可能か、或いは、所望の電子線プロフィールに整形可能である。 - 特許庁

An auxiliary electronic irradiation device 15, that radiates an electron beam directed toward the sample is provided at an inclination of θ degrees with respect to an optical axis O1 of an electron optics system, to which a primary electron beam EB is radiated.例文帳に追加

試料に向けて電子ビームを照射する補助電子照射器１５が一次電子ビームＥＢが照射される電子光学系の光軸Ｏ１に対して角度θ傾けられて設けられている。 - 特許庁

To enable efficient long observation without readjusting an electron gun and an electron optics system in a magnetic field immersion type Cold-FE electron gun.例文帳に追加

磁場界浸型Cold-FE電子銃において、長時間の観察においても電子銃や電子光学系の再調整の必要が無く、効率のよい観察を可能とする。 - 特許庁

This reflection-type charged particle beam lithography system is equipped with an electron optics system, where electrons reflected from a mask 217 are bent by an angle of 180° with a projection optics system 216 to be projected onto the surface of a example 219 as reduced in size, a mask stage 218 and an example table stage 220 are kept horizontal in position and prevented from deteriorating in traveling accuracy.例文帳に追加

マスク２１７から反射して得られた電子を投影光学系２１６で１８０度曲げて試料２１９面に縮小投影させる電子光学系を実現し、マスクステージ２１８と試料台ステージ２２０を水平にして双方の走行精度を劣化させないようにする。 - 特許庁

The electron beam device comprising a plurality of electron guns EG1, EG2, ..., having the anode 10 and the cathode 11, and electron optics system OS1, OS2, ..., mounted on respective electron guns has an adjusting mechanism for shifting the relative position of the cathode 10 against the anode 11.例文帳に追加

カソード１及びアノード１０、１１を有する複数の電子銃ＥＧ１、ＥＧ２、・・と、各電子銃に設けられた電子光学系ＯＳ１、ＯＳ２、・・とを備えた電子線装置は、各電子銃においてカソード１とアノード１０、１１との間の相対位置を変化させるための調整機構を具備する。 - 特許庁

Then, the deflection center of the electron optics system is positioned at the center of the group of the sub-fields 66-21 to 66-40, by moving the reticle stage and the wafer stage.例文帳に追加

次に、電子光学系の偏向中心がサブフィールド群６６−２１〜６６−４０の中央に位置するように、レチクルステージ及びウェハステージを移動させる。 - 特許庁

In conducting calibration of the beam, the deflection center of the electron optics system is positioned at the center of the group of sub- fields 66-1 to 66-20, the sub-fields 66-1 to 66-20 are sequentially scanned by the beam, and the beam property is measured at each position.例文帳に追加

ビームの較正を行う際には、まず、電子光学系の偏向中心をサブフィールド群６６−１〜６６−２０の中央に位置させ、サブフィールド６６−１〜６６−２０に順次ビーム走査し、各位置においてビーム性状の測定を行う。 - 特許庁