IL-24とは 意味・読み方・使い方

The current through the resistor 24 is reduced by the quantity equivalent to the increase in the load current IL and thus power consumption by the resistor 24 is minimized.例文帳に追加

負荷電流ＩLが増加した分だけ、抵抗24を流れる電流が小さくなり、抵抗24による電力消費を極力抑制できる。 - 特許庁

A light emitting part 20 includes a light emitting layer 26 which emits irradiation light IL, a first electrode 22 which transmits the irradiation light IL and reflected light RL, and second and third electrodes 24 which shield the irradiation light IL and the reflected light RL and are provided away from each other.例文帳に追加

発光部２０は、照射光ＩＬを発する発光層２６と、照射光ＩＬと反射光ＲＬを透過する第１電極２２と、照射光ＩＬと反射光ＲＬを遮光すると共に互いに離間して設けられた第２，第３電極２４とを備える。 - 特許庁

When a load current IL increases and the voltage produced across the current detector 41 increases, the current through the semiconductor device 44 and the resistor 24 is reduced.例文帳に追加

逆に、負荷電流ＩLが増加して電流検出器41の両端間に発生する電圧が上昇すると、半導体素子44および抵抗24を流れる電流が減少する。 - 特許庁

Under the exposure light IL in a vacuum ultraviolet ray region, the image of the pattern of a reticle 12 is projected on the wafer 1 7a on the wafer stage 18a within a wafer chamber 24 through a projective optical system PL.例文帳に追加

真空紫外域の露光光ＩＬのもとで、レチクル１２のパターンの像が投影光学系ＰＬを介して、ウエハ室２４内のウエハステージ１８ａ上のウエハ１７ａに投影される。 - 特許庁

A shielding layer BM is provided at a position corresponding to the aperture of the second electrode 24, shields the irradiation light IL and the reflectance RL, and has an aperture.例文帳に追加

遮光層ＢＭは、第２電極２４の開口部に対応する位置に設けられ、照射光ＩＬと反射光ＲＬを遮光すると共に開口部が形成されている。 - 特許庁

When a load current IL decreases and the voltage produced across a current detector 41 drops, a control signal is outputted from a voltage monitor circuit 43 to a semiconductor device 44, so as to compensate for the voltage drop and thus the current through the semiconductor device 44 and a resistor 24 is increased.例文帳に追加

負荷電流ＩLが低下して電流検出器41の両端間に発生する電圧が低下すると、この電圧の低下を補うように電圧監視回路43から半導体素子44に制御信号が出力され、半導体素子44および抵抗24を流れる電流が増加する。 - 特許庁

The light shielding layer BM is an insulator which is provided on a position corresponding to a separation region between the second and third electrodes 24 of a surface on the side of the light emitting layer 26 of the first electrode 22, shields the irradiation light IL and the reflected light RL, and has an opening.例文帳に追加

遮光層ＢＭは、第１電極２２の発光層２６側の表面のうち第２，第３電極２４間の離間領域に対応する位置に設けられ、照射光ＩＬと反射光ＲＬを遮光すると共に開口部が形成された絶縁体である。 - 特許庁