Masked (film)とは 意味・読み方・使い方

To provide a correcting liquid for lithographic printing plate with which an unnecessary image part can be masked with a hydrophilic film and easily erased.例文帳に追加

不要画像部を親水性膜でマスキングして、容易に消去することができる、他の平版印刷版用修正液を提供すること。 - 特許庁

A silicon oxide film spacer 27 is formed on the opening part side wall of the silicon nitride film 24, the silicon nitride film 24 and the silicon oxide film spacer 27 are etched and masked, and a trench 28 is formed on a silicon board 21.例文帳に追加

シリコン窒化膜２４の開口部側壁にシリコン酸化膜スペーサ２７を形成し、シリコン窒化膜２４およびシリコン酸化膜スペーサ２７をエッチングマスクとして、シリコン基板２１にトレンチ２８を形成する。 - 特許庁

A thin-film film Fa is laminated on the surface of a thin-film solar cell 1 that opposes the suction stage 6, and the connection hole 68 and the power collection hole 67 formed in the thin-film solar cell 1 are masked.例文帳に追加

吸着ステージ６に対向する薄膜太陽電池１の表面に薄膜フィルムＦａを積層して薄膜太陽電池１に形成された接続孔６８及び集電孔６７をマスクする。 - 特許庁

The second oxide film is preferably formed by etching the first oxide film, and the etching is preferably performed after a resist layer 21 is formed on the surface of the substrate not masked with the first oxide film.例文帳に追加

第２酸化膜は、第１酸化膜をエッチングして形成することが好ましく、そのエッチングは、第１酸化膜でマスクされていない基板の表面にレジスト層２１を形成した後に行うことが好ましい。 - 特許庁

Then patterning through wet etching, etc., is performed to remove a barrier metal film 4, a seed film 5 and the metal wiring film 6, except the part masked with the patterning mask 7.例文帳に追加

そして、このパターニング用マスク７でマスキングされた部分以外のバリアメタル膜４、シード膜５および金属配線膜６を除去すべく、たとえばウエットエッチングによるパターニングを行う。 - 特許庁

After the n-channel MISFET region is masked by a silicon nitride film 6, the polycrystalline SiGe film 7 in the p-channel region is thermally oxidized selectively to increase its Ge concentration.例文帳に追加

ｎチャネルＭＩＳＦＥＴ領域をシリコン窒化膜６によりマスクして、ｐチャネル領域の多結晶ＳｉＧｅ膜７を選択的に熱酸化することにより、そのＧｅ濃度を高くする。 - 特許庁

Next, the resist film is masked, the metal film is etched , an IDT (interdigital transducer) electrode is formed (step 50c), and many SAW elements are formed on the wafer.例文帳に追加

次に、レジスト膜をマスクにして金属膜をエッチングしてＩＤＴ電極を形成し（ステップ５０ｃ）、ウエハに多数のＳＡＷ素子を形成する。 - 特許庁

After the barrier 8 is masked, by dry etching the silicon oxide base film 9' with C_4F_8 gas, remaining part of the silicon oxide base film 9' becomes a base layer 9.例文帳に追加

次に、隔壁８をマスクとして、Ｃ_4Ｆ_8ガスで酸化シリコン下地膜９’をドライエッチングすると、酸化シリコン下地膜９’の残った部分が下地層９となる。 - 特許庁