Mis-1とは 意味・読み方・使い方

This voltage generating circuit 30 is provided with a differential amplifier circuit 1, Nch MIS transistors NT1-3, Nch MIS transistors NT11-13, and Pch MIS transistors PT11-13, resistances R_A1-R_A4, and resistances R_S1-R_S4.例文帳に追加

電圧発生回路３０には、差動増幅回路１、Ｎｃｈ ＭＩＳトランジスタＮＴ１乃至３、Ｎｃｈ ＭＩＳトランジスタＮＴ１１乃至１３、Ｐｃｈ ＭＩＳトランジスタＰＴ１１乃至１３、抵抗Ｒ_Ａ１乃至Ｒ_Ａ４、及び抵抗Ｒ_Ｓ１乃至Ｒ_Ｓ４が設けられる。 - 特許庁

In a control part 2, two transistor, namely, an n typ MIS transistor TN1 for receiving a clock signal CK and an N type MIS transistor TN3 for a signal of a control node nc of an inputting part 1 are connected in series.例文帳に追加

制御部２では、クロック信号ＣＫを受けるｎ型ＭＩＳトランジスタＴＮ１と、入力部１の制御ノードｎｃの信号を受けるｎ型ＭＩＳトランジスタＴＮ３とが２個直列に接続される。 - 特許庁

The semiconductor device includes the p-type MIS transistor pTr formed on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１に形成されたｐ型ＭＩＳトランジスタｐＴｒを備えた半導体装置である。 - 特許庁

By reducing the size of a mask for etching, the area of a capacitor of the MFM section which consists of a first electrode, ferroelectric thin film, and second electrode can be made smaller than the area of a capacitor of the MIS section which consists of a substrate, gate insulation film, and the first electrode, by one and the same mask.例文帳に追加

エッチング時にマスクのサイズが小さくなるようにすることで、1つのマスクで第1の電極と強誘電体薄膜と第2の電極からなるMFM部のキャパシタの面積を、基板とゲート絶縁膜と第1の電極からなるMIS部のキャパシタ面積より小さくすることが可能となる。 - 特許庁

To provide an optical 1:1 switch device that can prevent mis- connection when setting the switch (during switching request) in the case of switching between a working system and a protection system due to a fault or maintenance or the like.例文帳に追加

障害又は保守等によるワーキング系及びプロテクション系との間で切替える場合、切替設定中（切替要求中）の誤接続を防止する。 - 特許庁

The mis-erasing prevention valve 13 to be operated in a slidable manner over the recordable position and unrecordable position is provided in a cartridge case 1.例文帳に追加

カートリッジケース１内に、記録可能位置と記録不可位置とにわたってスライド操作される誤消去防止弁１３を備えている。 - 特許庁

A gate structure 4c of MIS transistors is formed on an upper surface 1a of a semiconductor substrate 1 in a semiconductor layer 80.例文帳に追加

半導体層８０における半導体基板１の上面１ａ上には、ＭＩＳトランジスタのゲート構造４ｃが形成されている。 - 特許庁

3. Integrated circuits with a neutron flux corresponding to 1 megaelectron volt (integrated value) of 50 trillion or more per square centimeter (excluding MIS type)発音を聞く 例文帳に追加

三）　一メガ電子ボルト相当の中性子束（積算値）が一平方センチメートル当たり五〇兆個以上となるもの（ＭＩＳ形のものは除く。 - 日本法令外国語訳データベースシステム