A second N base layer 3 and a first N^- base layer 22 are epitaxially grown on a N^+ drain layer 21 successively, a P base region 23 is selectively formed on its surface, and a N^+ source region 24 is selectively formed on a surface in it.例文帳に追加

N^+ドレイン層21上に第２のNベース層3及び第１のN^-ベース層22を順次エピタキシャル成長し、その表面部分にPベース領域23を選択的に形成し、その中の表面部分にN^+ソース領域24を選択的に形成する。 - 特許庁

When, the N^+ regions 17 of source/drain are formed.例文帳に追加

ソース・ドレインのＮ^+領域１７を形成する。 - 特許庁

An N-type source region 10 and an N-type drain region 11 are arranged opposite to each other in the second direction.例文帳に追加

N形ソ−ス領域１０とN形ドレイン領域１１とは第２の方向において互いに対向配置されている。 - 特許庁

An N+ diffused layer 22, which is to be a drain, is covered with an N-type well 52, while an N+ diffused layer 23 which is to be a source is covered with an N-type well 2.例文帳に追加

ドレインとなるＮ＋拡散層２２をＮ型ウェル５２で覆うとともに、ソースとなるＮ＋拡散層２３をＮ型ウェル２で覆う。 - 特許庁

In addition, a source driver 14 sets the potentials V_s(P, n), V_s(N, n) so determined as to satisfy equation: C=(V_s(P, n)+V_s(N, n))/2-ΔV_gd(n) in source wiring, according to gradation n, and positive pole driving or negative pole driving.例文帳に追加

また、ソースドライバ１４は、Ｃ＝（Ｖ_ｓ（Ｐ，ｎ）＋Ｖ_ｓ（Ｎ，ｎ））／２−ΔＶ_ｇｄ（ｎ）を満足するようにして定められた電位Ｖ_ｓ（Ｐ，ｎ），Ｖ_ｓ（Ｎ，ｎ）を階調ｎおよび正極性駆動か負極性駆動かに応じてソース配線に設定する。 - 特許庁

A semiconductor base of the IGFET includes an N^+-type first drain region 34, an N^--type second drain region 35, a P-type first body region 36, a P^--type second body region 37, an N-type first source region 38, and an N^+-type second source region 39, and a trench 31 for forming an IGFET cell.例文帳に追加

IGFETの半導体基体は、N^+型の第１のドレイン領域３４とN^-型の第２のドレイン領域３５とP型の第１のボデイ領域３６とP^-型の第２のボデイ領域３７とN型の第１のソース領域３８とN^+型の第２のソース領域３９とを有し、更にIGFETセルを構成するトレンチ３１を有する。 - 特許庁

A source layer functioning as an emitter consists of a 1st emitter n^+-type source layer 5 and a 2nd emitter n^+-type source layer 6.例文帳に追加

エミッタとして機能するソース層を、１ｓｔエミッタＮ^＋型ソース層５および２ｎｄエミッタＮ^＋型ソース層６で構成する。 - 特許庁

N^+-SiC Formed on the n^-drift layer is made a source layer, and a part of the n^-drift layer is made a channel region by forming a trench extending from the n^+ source layer to a predetermined depth of the n^-drift layer.例文帳に追加

ｎ^-ドリフト層上に形成されたｎ^＋−ＳｉＣをソース層とし、ｎ^＋ソース層からｎ^-ドリフト層の所定深さまでトレンチ溝を形成することでｎ^-ドリフト層の一部をチャネル領域とする。 - 特許庁

An adaptive processing part receives the audible sound signal x(n) from the sound source and an output signal e(n) of the error microphone and forms a signal y(n) that cancels an ultrasonic sound wave generated by the primary sound source and an audible sound wave demodulated from an ultrasonic sound wave by using an adaptive filter and supplies the signal as an input signal for the second sound source.例文帳に追加

適応処理部は信号源からの可聴音信号x(n)とエラーマイクの出力信号e(n)とが入力され、適応フィルタを用いて、１次音源が発生する超音波及び超音波から復調された可聴波を打ち消す信号y(n)を生成し、２次音源の入力信号として供給する。 - 特許庁

The MOS transistor has a high density source layer N^+S, a high density drain layer N^+D, a low density source layer N^-S and/or a low density drain layer N^-D both of which are diffused deeper than the high density source layer N^+S and the high density drain layer N^+D.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタは、高濃度ソース層Ｎ＋Ｓ及び高濃度ドレインＮ＋Ｄ層と、高濃度ソース層Ｎ＋Ｓ及び高濃度ドレイン層Ｎ＋Ｄより深く拡散された低濃度ソース層Ｎ−Ｓ又は／及び低濃度ドレイン層Ｎ−Ｄを有する。 - 特許庁

An N+ type source layer 3 is formed on a surface of the N type epitaxial layer 6.例文帳に追加

前記Ｎ型エピタキシャル層６の表面にＮ＋型ソース層３を形成する。 - 特許庁

The n-type source region 120 and an n-type emitter region 210 are isolated structurally.例文帳に追加

ｎ型ソース領域１２０とｎ型エミッタ領域２１０とは、構造的に分離して形成されている。 - 特許庁

The n^- region 101 and n type source region 103 are formed on the main surface 12.例文帳に追加

ｎ^-領域１０１およびｎ型ソース領域１０３は主表面１２に形成される。 - 特許庁

The N-type source region 16 is made smaller than the N-type drain region 18.例文帳に追加

Ｎ型ソース領域１６を、Ｎ型ドレイン領域１８に比して小さくする。 - 特許庁

A silicon oxide film 16 is embedded in the n^--type offset layer 13 between the n^+-type source layer 14 and the n^+-type drain layer 15.例文帳に追加

ｎ+型ソース層１４とｎ+型ドレイン層１５との間のｎ-型オフセット層１３にはシリコン酸化膜１６が埋め込まれている。 - 特許庁

The semiconductor device 300 is provided with an n^+ source region 31, an n^+ drain region 11, a p^- body region 41 and an n^- drift region 12.例文帳に追加

半導体装置３００は，Ｎ^+ ソース領域３１，Ｎ^+ ドレイン領域１１，Ｐ^- ボディ領域４１およびＮ^- ドリフト領域１２を備えている。 - 特許庁

The semiconductor element has an n^- region 101, n type source region 103, p type base region 105, n^+ region 107, and gate electrode 113.例文帳に追加

半導体素子は、ｎ^-領域１０１、ｎ型ソース領域１０３、ｐ型ベース領域１０５、ｎ^+領域１０７およびゲート電極１１３を含む。 - 特許庁

The semiconductor device 100 comprises an n^+-type source region 31, an n^+-type drain region 11, a p^--type body region 41 and an n^--type drift region 12.例文帳に追加

半導体装置１００は，Ｎ^+ ソース領域３１，Ｎ^+ ドレイン領域１１，Ｐ^- ボディ領域４１およびＮ^- ドリフト領域１２を備えている。 - 特許庁

An n+-type source layer 4 is formed on the surface of the p-type well layer 2, and an n+-type drain layer 6 is formed on the surface of the n-type drift layer 3.例文帳に追加

ｐ型ウエル層２の表面にｎ^+ 型ソース層４が形成され、ｎ型ドリフト層３の表面にｎ^+ 型ドレイン層６が形成される。 - 特許庁

The branching part 20 outputs N of branched lights L_1-L_N, by branching the light output from the light source 10 N times.例文帳に追加

分岐部２０は、光源１０から出力される光をＮ分岐してＮ個の分岐光Ｌ_１〜Ｌ_Ｎを出力する。 - 特許庁

A MOSFET 1 is provided with an n^+SiC substrate 10, an n^-SiC layer 20, a p well 21, an n^+ source region 22, and an insulation layer 35.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ１は、ｎ^＋ＳｉＣ基板１０と、ｎ^−ＳｉＣ層２０と、ｐウェル２１と、ｎ^＋ソース領域２２と、絶縁層３５とを備えている。 - 特許庁

A MOSFET 1 includes an n^+SiC substrate 10, an n^-SiC layer 20, a p-well 21, an n^+source region 22, and an insulating layer 35.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ１は、ｎ^＋ＳｉＣ基板１０と、ｎ^−ＳｉＣ層２０と、ｐウェル２１と、ｎ^＋ソース領域２２と、絶縁層３５とを備えている。 - 特許庁

A first contact hole 9 is formed on an interlayer insulating film 8 covering the N+type source layer 7, and a part of the N+type source layer 7 is exposed.例文帳に追加

Ｎ＋型ソース層７上を被覆する層間絶縁膜８に第１のコンタクトホール９を形成し、Ｎ＋型ソース層７の一部を露出する。 - 特許庁

In the plurality of P-type body layers 6, an N^+-type first source layer 7 and an N^+-type second source layer 9 are alternately formed.例文帳に追加

複数のＰ型ボディ層６にはＮ＋型第１ソース層７とＮ＋型第２ソース層９を交互に形成する。 - 特許庁

RDBMS stores not only ID of a parent node very close to branch information but also ID (source node id livel N) of a parent node in each hierarchy up to a root node.例文帳に追加

ＲＤＢＭＳは枝情報に直近の親ノードのＩＤのみならず、ルートノードまでの各階層毎の親ノードのＩＤ（source_node_id_level_N）を格納する。 - 特許庁

A diffusion layer depth of an N-type high concentration source region 107 is larger than that of an N-type low concentration source region 105b.例文帳に追加

Ｎ型高濃度ソース領域１０７は、Ｎ型低濃度ソース領域１０５ｂよりも拡散層深さが深くなっている。 - 特許庁

The primary sound source is a parametric speaker and emits an ultrasound sound wave modulated by the audible sound signal x(n) from the sound source.例文帳に追加

１次音源はパラメトリックスピーカであり、信号源からの可聴音信号x(n)により変調された超音波を放射する。 - 特許庁

The source region (18) has an n-type low-doped region (32) and an n^+-region (34), but does not have any source halo region.例文帳に追加

ソース領域（１８）は、ｎ型の低濃度ドープ領域（３２）と、ｎ^＋領域３４とを有するが、ソースｈａｌｏ領域は有しない。 - 特許庁

It is preferable that the first to n-th light source processing is light source processing corresponding to the light reflecting characteristics of the first to n-th materials.例文帳に追加

前記第１〜第ｎの光源処理は第１〜第ｎの物質の光の反射特性に応じた光源処理が好ましい。 - 特許庁

The p-type/n-type source/drain layers 37, 40 are patterned to form p-type/n-type source/drains 37a, 37b, 40a, 40b.例文帳に追加

ｐ型／ｎ型ソース・ドレイン層３７，４０をパターニングして、ｐ型／ｎ型ソース・ドレイン３７ａ，３７ｂ，４０ａ，４０ｂを形成する。 - 特許庁

The N-type and P-type latchup prevention regions 8, 12 are arranged between the P-type source region and drain region and the N-type source region and drain region respectively, and formed also under a gate connection conductor layer.例文帳に追加

N形及びP形ラッチアップ防止領域８、１２は前記P形ソ−ス領域及びドレイン領域とN形ソ−ス領域及びドレイン領域との間にそれぞれ配置され且つゲ−ト接続導体層の下にも形成されている。 - 特許庁

Regions between channel regions 9 are N+ source regions 5 or N+ drain regions 4, N+ source regions 5 and N+ drain regions 4 are alternately arranged.例文帳に追加

そして、チャネル領域９間の領域がＮ＋ソース領域５又はＮ＋ドレイン領域４となっており、Ｎ＋ソース領域５とＮ＋ドレイン領域４とは交互に配列されている。 - 特許庁

Further, the common drain source line DSL in one group G_N and the common drain source line DSL in other group G_N are different from each other.例文帳に追加

さらに、一のグループＧ_Nにおける共通のドレインソース線ＤＳＬと、他のグループＧ_Nにおける共通のドレインソース線ＤＳＬとが互いに異なっている。 - 特許庁

Further, the source of an N-channel MOS transistor M5 is connected to the gate of a P-channel MOS transistor M7 in the push-pull circuit 15, and the P-channel MOS transistor M7 is driven by an output from the source of the N-channel MOS transistor M5.例文帳に追加

また、NチャネルMOSトランジスタM5のソースは、プッシュプル回路１５のPチャネルMOSトランジスタM7のゲートと接続され、NチャネルMOSトランジスタM5のソース出力によって、PチャネルMOSトランジスタM7が駆動される。 - 特許庁

In the P-type well 23, a second N-type impurity diffusion layer 42 is formed so as to protrude from the N^+-type source layer 26 to the first N-type impurity diffusion layer 41 side, while overlapping the N^+-type source layer 26.例文帳に追加

Ｐ型ウエル２３内には、Ｎ^＋型ソース層２６と重なり、かつＮ^＋型ソース層２６から第１Ｎ型不純物拡散層４１側にはみ出すように、第２Ｎ型不純物拡散層４２が形成されている。 - 特許庁

A plurality of output terminals of the counter COUNT drive the plurality of source lines SL<0> to SL<n>, or a plurality of source lines SLB<0> to SLB<n> in a column direction in write units WU, by time sharing.例文帳に追加

カウンタCOUNTの複数の出力端子は、書き込み単位WUの複数のソース線SL＜0＞…SL＜n＞もしくは複数の列方向ソース線SLB＜0＞…SLB＜n＞を時分割で駆動する。 - 特許庁

The LED light source module comprises light source blocks 1 to N which can be individually lighted.例文帳に追加

ＬＥＤ光源モジュールは、独立に点灯可能な１〜Ｎの光源ブロックからなる。 - 特許庁

On the n^+-type GaN layer 4, a source electrode 15 forms an ohmic contact.例文帳に追加

ｎ^+型ＧａＮ層４には、ソース電極１５がオーミック接触している。 - 特許庁

A P^+ diffusion layer 9 forms a source/drain along with the N^+ diffusion layer 8.例文帳に追加

Ｐ^+拡散層９は、Ｎ^+拡散層８とともにソース／ドレインを形成する。 - 特許庁

Trenches 3 are formed on both the sides of the N+ type source layer 4.例文帳に追加

Ｎ＋型ソース層４の両側にトレンチ３を形成する。 - 特許庁

The light source is made to have a component type and has N sets of the light emitting diodes.例文帳に追加

光源は、コンポーネント型にして、Ｎ個の発光ダイオードを有する。 - 特許庁

A p^+-type diffusion layer 15 is not formed just under the n^+-type source 17E unlike an n^+-type source region 17 in a region A and a sheet resistor R1 in the n^+-type source region 17E is larger than a sheet resistor R2 in the n^+-type source 17 (R1>R2).例文帳に追加

ｎ＋型ソース領域１７Ｅの直下には、領域Ａのｎ＋型ソース領域１７と異なり、ｐ＋型拡散層１５は形成されておらず、ｎ＋型ソース領域１７Ｅのシート抵抗Ｒ１は、ｎ＋型ソース領域１７のシート抵抗Ｒ２よりも大きい（Ｒ１＞Ｒ２）。 - 特許庁

The N+ diffusion layer 210 is connected to power source wiring 208.例文帳に追加

Ｎ＋拡散層２１０は、電源配線２０８と接続される。 - 特許庁

N^- regions of source/drain and sidewall spacers 16 are formed.例文帳に追加

ソース・ドレインのＮ^-領域１５、サイドウォールスペーサ１６を形成する。 - 特許庁