P-23とは 意味・読み方・使い方

3. Lange, 2nd edit., p. 23.発音を聞く 例文帳に追加

[3]：ランゲ、第二版２３ページ - John Tyndall『英国科学協会ベルファースト総会での演説』

The p-Ga1-z1Alz1N/GaN first clad layer 23 is removed to the middle to form a recess of a width of 2 μm.例文帳に追加

p-Ga_1-z1Al_z1N/GaN第一クラッド層23の途中まで除去して２μｍの幅の溝を形成する。 - 特許庁

Rules 20 to 23, shall apply, mutatis mutandis, to industrial designs and for this purpose the letter “P,” in Rule 23, shall be read as the letter “D.”発音を聞く 例文帳に追加

第20規則乃至第23規則は、意匠に準用され、準用の目的上、第23規則の「P」の文字は「D」の文字と読み替えられる。 - 特許庁

The P layer 23 encloses the P layer 22 without coming into contact with the P layer 22.例文帳に追加

Ｐ層２３は、Ｐ層２２に接することなく当該Ｐ層２２を取り囲んでいる。 - 特許庁

A p-type electrode 26 is formed on the p-type cap layer 23.例文帳に追加

ｐ型キャップ層２３上にはｐ形電極２６が形成されている。 - 特許庁

On an n-GaAs substrate 21, an n-AlGaAs clad layer 22, an undoped AlGaAs optical guide layer 23, an undoped active layer 24, an undoped AlGaAs optical guide layer 25, a p-AlGaAs clad layer 25, and a p-GaAs cap layer 27 are in sequence laminated.例文帳に追加

n-GaAs基板21の上に、n-AlGaAsクラッド層22、アンドープAlGaAs光ガイド層23、アンドープ活性層24、アンドープAlGaAs光ガイド層25、p-AlGaAsクラッド層26、p-GaAsキャップ層27を順次積層する。 - 特許庁

Further, boron, etc. are selectively injected into the p-well region 23 from the direction vertical to the surface of the substrate to form p^+-well contact region by activating the p-well region 23.例文帳に追加

基板表面の鉛直方向からｐウェル領域２３に選択的にホウ素等を注入し、活性化させてｐ^+ウェルコンタクト領域を形成する。 - 特許庁