Ti surfacesとは 意味・読み方・使い方

Further, an iron based or other workpiece in which diamond whose substantially all outer surfaces are coated with one or more kinds selected from Ti(1-x)Bx and Cr(1-x)Bx (wherein, x≤0.05) is buried is provided.例文帳に追加

また、外面が実質的にすべてＴｉ_(1-x)Ｂ_x及びＣｒ_(1-x)Ｂ_x（ただし、ｘ≦０．０５）の１種以上で被覆されたダイヤモンドを内部に埋め込まれた鉄系又はその他の工作物も開示する。 - 特許庁

In the method, one or more kinds of metallic layer materials selected from Ti(1-x)Bx and Cr(1-x)Bx (wherein, x≤0.05) are chemically vapor- deposited on substantially all the outside surfaces of diamond.例文帳に追加

本発明の方法は、Ｔｉ_(1-x)Ｂ_x及びＣｒ_(1-x)Ｂ_x（ただし、ｘ≦０．０５）から選択される１種以上の金属層材料をダイヤモンドの実質的にすべての外面に化学蒸着する。 - 特許庁

To provide a film forming method of Ti type film capable of suppressing a fluctuation between surfaces of process film thickness without causing adverse consequence such as a reaction between a precoat film and shower head or susceptor during film formation.例文帳に追加

成膜中にプリコート膜とシャワーヘッドやサセプタとの反応等の不都合を生じさせずに、プロセス膜厚の面間ばらつきを抑制することができるＴｉ系膜の成膜方法を提供すること。 - 特許庁

The surfaces of hexaboride particles covered with a compound of at least one element selected from the groups are consisting of Si, Ti, Al and Zr, for example, a Si-compound including an alkoxy group such as an alkoxysilane.例文帳に追加

六ホウ化物粒子の表面を、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｒの群から選ばれた少なくとも１種の元素の化合物、例えばアルコキシシランのような分子中にアルコキシ基を含むＳｉの化合物で被覆する。 - 特許庁

After a lower thin film 30 composed of titanium Ti is formed on the upper surfaces of a contact hole 20 and a semiconductor substrate 10, the lower thin film 30 is subjected to plasma treatment, and a TiNx film composed of titanium nitrogen compound is formed from the surface as far as a prescribed depth.例文帳に追加

コンタクトホール２０及び半導体基板１０の上面に、チタニウムＴｉの下部薄膜３０を形成した後、該下部薄膜３０に対しプラズマ処理を施して、表面から所定の深さまでをチタニウム窒素化合物のＴｉN_X膜とする。 - 特許庁

A contact hole 103 and a recessed groove 104 for wiring are formed on an interlayer insulation film 102 being deposited on a semiconductor substrate 101, and a TiN/Ti film 105 being used as a diffusion prevention film is formed on the wall surfaces of the contact hole 103 and the recessed groove 104.例文帳に追加

半導体基板１０１の上に堆積された層間絶縁膜１０２にコンタクトホール１０３及び配線用凹状溝１０４を形成した後、コンタクトホール１０３及び配線用凹状溝１０４の壁面に拡散防止膜となるＴｉＮ／Ｔｉ膜１０５を形成する。 - 特許庁

The silicon carbide material for the monolithic refractory excellent in driability and corrosion resistance is the one wherein the surfaces of the silicon carbide material are coated with an oxide film mainly consisting of at least one oxide of Si, Ti, Al, Mg, Ca, Pb, Zr, B, P, Na, K, or Li.例文帳に追加

炭化けい素原料の粒子の表面がＳｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｐｂ、Ｚｒ、Ｂ、Ｐ、Ｎａ、Ｋ、Ｌｉの酸化物の１種又は２種以上を主成分とする酸化物で被覆されていることを特徴とする乾燥性と耐食性に優れた不定形耐火物用炭化けい素原料。 - 特許庁

A negative electrode material for a lithium secondary battery is coated at least a part of carbon particle surfaces of pitch-based low-temperature-baked carbon with a metal or a metal compound selected from Sn, Pb, Pd, Mn, Ni, Si, Al, Ti, V, and a composite material or mixture material thereof.例文帳に追加

ピッチ系低温焼成炭素の炭素粒子表面の少なくとも一部をＳｎ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、及びこれらの複合材料または混合材料から選ばれる金属または金属化合物で被覆して、リチウム二次電池用負極材料とする。 - 特許庁