VDsとは 意味・読み方・使い方

A circulating signal of a circulation loop is applied to a table 25 of Vds-admittance ratios, an admittance ratio of an FET varying with Vds is outputted from the table 25, and a multiplier 26 multiplies the output by a coefficient C.例文帳に追加

循環ループの循環信号はＶｄｓ−アドミタンス比のテーブル２５に印加されて、テーブル２５からＶｄｓにより変化するＦＥＴのアドミタンス比が出力され、この出力に乗算器２６により係数Ｃが乗算される。 - 特許庁

A width of a current path of the variable resistor R12 is controlled by a depletion layer which is expandable in accordance with a drain-source voltage Vds of the transistor 20.例文帳に追加

その可変抵抗体Ｒ１２の電流経路の幅が、トランジスタ２０のドレイン・ソース間電圧Vdsに応じて伸縮する空乏層によって調整されることを特徴としている。 - 特許庁

When a reset current Ir runs during an OFF period Toff, a Zener voltage Vz occurs at a Zener diode 30, and a voltage Vds between a drain and a source becomes a total (Vds=Vi+Vz) of the input voltage Vi and the Zener voltage Vz.例文帳に追加

オフ期間Ｔoffにリセット電流Ｉｒが流れると、ツェナーダイオード30にツェナー電圧Ｖｚが発生し、ドレイン−ソース間電圧Ｖdsは入力電圧Ｖｉとツェナー電圧Ｖｚの和（Ｖds＝Ｖｉ＋Ｖｚ）となる。 - 特許庁

This level-shifted voltage VDS is compared with reference voltage VR2 by a comparator 23 and when VR2<VDS, it is judged that an excess current has been generated and the output of the comparator 23 is inverted.例文帳に追加

このレベルシフトされた電圧ＶDSと基準電圧ＶR2とがコンパレータ２３で比較され、ＶR2＜ＶDSとなったときに、過電流が発生したものとしてコンパレータ２３の出力が反転する。 - 特許庁

Carrying electric current Is to be measured between the drain-sources of FET Q1, and by amplifying the voltage Vds between the drain-sources with an operational amplifier, U1, the output voltage, Vo, is acquired proportional to the current, Is.例文帳に追加

FET Q1のドレイン・ソース間に被測定電流Isを流し、ドレイン・ソース間電圧VdsをオペアンプU1で増幅して電流Isに比例した出力電圧Voを得る。 - 特許庁

By using the exponential function, etc., for the drain voltage dependence of the threshold voltage Vth, a function is oppressed that converges to a certain value in an area with the drain voltage Vds close to zero, and an area where the drain voltage Vds is sufficiently large, respectively.例文帳に追加

しきい値電圧Ｖthのドレイン電圧依存性を指数関数などを用いることにより、ドレイン電圧Ｖdsがゼロに近い領域と、ドレイン電圧Ｖdsが十分大きい領域とで、それぞれある値に収束するような関数で表す。 - 特許庁

Thus, the drain-source voltage Vds of the NMOS 1, 2 is increased to prevent waveform distortion due to reduction in the dynamic range.例文帳に追加

従って、ＮＭＯＳ１，２のドレイン・ソース電圧Ｖｄｓが大きくなり、ダイナミックレンジの縮小による波形歪みを防ぐことができる。 - 特許庁

A temperature sensing element 4 is integrated with a MOSFET 1, and a drain/source voltage Vds and a temperature detection signal Vf are detected.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ１に一体に感温素子４が設けられ、ドレイン／ソース間電圧Ｖｄｓと温度検出信号Ｖｆを検出する。 - 特許庁