VI-IIとは 意味・読み方・使い方

To prevent oxidization of the outermost surface BeTe layer of a multilayer contact layer in a II-VI semiconductor device.例文帳に追加

II-VI族半導体素子において、多層コンタクト層の最表面ＢｅＴｅ層の酸化を防止する。 - 特許庁

To provide a dry etching method of a II-VI compound semiconductor crystal for dry-etching the II-VI compound semiconductor crystal such as a ZnTe crystal at room temperature while keeping a flat surface as it is.例文帳に追加

ＺｎＴｅ結晶などのII−VI族化合物半導体結晶を平坦な表面を保ったまま室温でドライエッチングできるII−VI族化合物半導体結晶のドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

SYNTHESIS OF II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体合成方法 - 特許庁

A part of an element of group II contained in a semiconductor of II-VI groups is replaced with Cr through a molecular epitaxy method so as to synthesize the insulating ferromagnetic semiconductor.例文帳に追加

分子エピタキシー法により、II−VI族半導体のII族元素の一部をＣｒで置換して絶縁性強磁性半導体を合成する。 - 特許庁

Zn, Cd, of Hg is selected as the element of group II, and S, Se, Te, or O is selected as the element of group VI.例文帳に追加

II族元素としては、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、VI族元素としてはＳ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｏが選択できる。 - 特許庁

The invention further provides new crystalline forms II-VI of modafinil and processes for preparing them.例文帳に追加

本発明はさらに、モダフィニルの新たな結晶形II-VIおよびそれらを製造する方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing the fine complex particle contains one or more processes to grow a II-VI group compound different from band gap with the first II-VI group compound on the surface of the fine particle and one or more processes to grow the II-VI group compound at least different from impurity concentration.例文帳に追加

第一のII−VI族系化合物の微細粒子の表面に、前記第一のII−VI族系化合物とバンドギャップが異なるII−VI族系化合物を成長させる成長工程を１以上含むことを特徴とする複合微細粒子の製造方法および第一のII−VI族系化合物の微細粒子の表面に、前記第一のII−VI族系化合物と少なくとも不純物濃度が異なるII−VI族系化合物を成長させる成長工程を１以上含むことを特徴とする複合微細粒子の製造方法である。 - 特許庁

(vi) Confirmation set forth under Article 17 paragraph (3) item (ii) of the Act発音を聞く 例文帳に追加

六　法第十七条第三項第二号の確認 - 日本法令外国語訳データベースシステム