「VI-II」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The invention further provides pharmaceutical compositions containing novel modafinil forms II-IV and VI.例文帳に追加

本発明はさらに、新規なモダフィニルII-IVおよびVI型を含有する薬用組成物を提供する。 - 特許庁

Zn, Cd, of Hg is selected as the element of group II, and S, Se, Te, or O is selected as the element of group VI.例文帳に追加

II族元素としては、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、VI族元素としてはＳ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｏが選択できる。 - 特許庁

To provide a method of producing a relaxed group-III-V or -II-VI material-on-insulator.例文帳に追加

緩和III−Ｖ族またはII−VI族マテリアルオンインシュレータの製造方法の提供。 - 特許庁

A part of an element of group II contained in a semiconductor of II-VI groups is replaced with Cr through a molecular epitaxy method so as to synthesize the insulating ferromagnetic semiconductor.例文帳に追加

分子エピタキシー法により、II−VI族半導体のII族元素の一部をＣｒで置換して絶縁性強磁性半導体を合成する。 - 特許庁

(ii) the matters set forth in item (v) and item (vi) of the preceding Article. 例文帳に追加

二　前条第五号及び第六号に掲げる事項 - 日本法令外国語訳データベースシステム

Chapter VI-ii The Local Mining Council 例文帳に追加

第六章の二　地方鉱業協議会 - 日本法令外国語訳データベースシステム

(vi) Confirmation set forth under Article 17 paragraph (3) item (ii) of the Act 例文帳に追加

六　法第十七条第三項第二号の確認 - 日本法令外国語訳データベースシステム

GROUP II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR LASER DIODE例文帳に追加

ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体レーザダイオード - 特許庁

DRY ETCHING METHOD OF II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のドライエッチング方法 - 特許庁

METHOD OF GROWING GROUP II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加

ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶の成長方法 - 特許庁

SYNTHESIS OF II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体合成方法 - 特許庁

GROWING METHOD OF II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加

ＩＩ—ＶＩ族化合物半導体結晶の成長方法 - 特許庁

PROCESS FOR GROWING GROUP II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加

ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶の育成方法 - 特許庁

To provide a dry etching method of a II-VI compound semiconductor crystal for dry-etching the II-VI compound semiconductor crystal such as a ZnTe crystal at room temperature while keeping a flat surface as it is.例文帳に追加

ＺｎＴｅ結晶などのII−VI族化合物半導体結晶を平坦な表面を保ったまま室温でドライエッチングできるII−VI族化合物半導体結晶のドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing the fine complex particle contains one or more processes to grow a II-VI group compound different from band gap with the first II-VI group compound on the surface of the fine particle and one or more processes to grow the II-VI group compound at least different from impurity concentration.例文帳に追加

第一のII−VI族系化合物の微細粒子の表面に、前記第一のII−VI族系化合物とバンドギャップが異なるII−VI族系化合物を成長させる成長工程を１以上含むことを特徴とする複合微細粒子の製造方法および第一のII−VI族系化合物の微細粒子の表面に、前記第一のII−VI族系化合物と少なくとも不純物濃度が異なるII−VI族系化合物を成長させる成長工程を１以上含むことを特徴とする複合微細粒子の製造方法である。 - 特許庁

To provide a method for stably manufacturing the photoelectric conversion function element of high light emission intensity by using a group II-VI compound semiconductor crystal substrate.例文帳に追加

II−VI族化合物半導体結晶基板を用いて、発光強度の高い光電変換機能素子を安定して製造できる方法を提供する。 - 特許庁

Also provided are new methods of preparing clopidogrel hydrogensulfate forms I, II, III, IV, V, VI and the amorphous form.例文帳に追加

クロピドグレル硫酸水素塩形態Ｉ、形態II、形態III、形態IV、形態Ｖ、形態VI及び非晶質形態を調製するための新規方法も供されている。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 105 is composed of a hexagonal II-VI group compound semiconductor, for example, p-type ZnO.例文帳に追加

ｐ型半導体層１０５は、六方晶のII−VI族化合物半導体、例えばｐ型ＺｎＯにより構成されている。 - 特許庁

Additionally, there is another method through which the group IVb, III-V or II-VI impurities are doped during growing process of a silicon nanostructure on a semiconductor substrate.例文帳に追加

更に別法として半導体基板上でシリコン・ナノ構造が成長するときにIVb族、III-V族又はII-VI族不純物を添加する方法がある。 - 特許庁

To provide a device and method by which a group II-VI compound semiconductor excellent in crystallinity can be manufactured.例文帳に追加

結晶性に優れたII−VI族化合物半導体を製造するための半導体製造装置、および、製造方法を提供する。 - 特許庁

To grow a II-VI compound semiconductor single crystal layer of the high completeness of its crystallizability on a ZnTe substrate.例文帳に追加

ＺｎＴｅ基板上に結晶性の完全性高いII-VI族化合物半導体単結晶を成長する。 - 特許庁

A 'mountain' formed by etching is embedded through vacuum deposition of polycrystalline II-VI semiconductor, such as ZnS, ZnSSe, ZnSe or CdS.例文帳に追加

エッチングにより形成した山をＺｎＳ、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＳｅまたはＣｄＳのような多結晶II-VI族半導体の真空蒸着により埋め込む。 - 特許庁

To provide an embedded angle type (embedded heterostructure) II-VI laser diode which is easy to manufacture and having a simple structure.例文帳に追加

構造が単純で製造が容易な埋め込み山型（埋め込みヘテロ構造）II-VI族レーザダイオードを提供する。 - 特許庁

Elizabeth II succeeded George VI as the English sovereign. 例文帳に追加

エリザベス 2 世が英国の君主としてジョージ 6 世の跡を継いだ. - 研究社 新英和中辞典

(ii) Matters concerning quantities as set forth in item (vi) of paragraph (2) of the preceding Article; 例文帳に追加

二　前条第二項第六号に掲げる数量に関する事項 - 日本法令外国語訳データベースシステム

(vi) Where the grounds prescribed in Article 239(5)(ii) exist. 例文帳に追加

六　第二百三十九条第五項第二号に規定する事由があるとき。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

(i) The matters listed in items (i), (ii), (iv), and (vi) of the preceding paragraph; 例文帳に追加

一　前項第一号、第二号、第四号及び第六号に掲げる事項 - 日本法令外国語訳データベースシステム

item (i), item (ii) and item (vi), paragraph (1), Article 48-2 例文帳に追加

第四十八条の二第一項第一号、第二号及び第四号 - 日本法令外国語訳データベースシステム

Chapter VI-II Regulations, etc. Concerning the Use, etc. of International Controlled Material 例文帳に追加

第六章の二　国際規制物資の使用等に関する規制等 - 日本法令外国語訳データベースシステム

II-VI SEMICONDUCTOR POLYCRYSTAL AND ITS PRODUCTION例文帳に追加

ＩＩ−ＶＩ族半導体多結晶体およびその製造方法 - 特許庁

EMBEDDED ANGLE II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR LASER DIODE例文帳に追加

埋め込み山型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体レーザダイオード - 特許庁

II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL AND PHOTOELECTRIC CONVERSION FUNCTIONAL ELEMENT例文帳に追加

ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶および光電変換機能素子 - 特許庁

N-TYPE GROUP II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR FILM AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｎ型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体膜及びその製造方法 - 特許庁

II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体単結晶およびその製造方法 - 特許庁

II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL AND ITS HEAT TREATMENT例文帳に追加

ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶及び熱処理方法 - 特許庁

METHOD FOR GROWING II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL AND APPARATUS THEREFOR例文帳に追加

ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶の成長方法及び装置 - 特許庁

II-VI LASER DIODE WITH FACET DEGRADATION REDUCTION STRUCTURE例文帳に追加

端面劣化低減構造を備えたＩＩ−ＶＩレーザダイオード - 特許庁

RADICAL CELL DEVICE, AND MANUFACTURE OF II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ラジカルセル装置およびＩＩ−ＶＩ族化合物半導体装置の製法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING III-V/II-VI SEMICONDUCTOR INTERFACE例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ／ＩＩ−ＶＩ半導体インターフェイス製造法 - 特許庁

GROUP II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体素子およびその製造方法 - 特許庁

HG-BASED II-VI GROUP COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

Ｈｇ系ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

CHAMBER, APPARATUS AND PROCESS FOR ANNEALING GROUP II-VI SEMICONDUCTOR MATERIAL例文帳に追加

２−６族半導体材料をアニールするためのチャンバー、装置、及び、方法 - 特許庁

The method for forming group II-VI compound semiconductor crystal having twin crystal structure, comprises heating an amorphous group II-VI compound semiconductor at 0-200°C, preferably at 80-120°C in the presence of a chelating agent or its solution.例文帳に追加

キレート剤またはキレート剤溶液の存在下、アモルファスII-VI族化合物半導体を０〜２００℃、好ましくは８０〜１２０℃の温度に加熱することにより、双晶構造を有するII-VI族化合物半導体結晶を生成させる方法を開示する。 - 特許庁

To produce III-V/II-VI semiconductor interface reproducibly.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ／ＩＩ−ＶＩ半導体インターフェイスを再現的に製造する。 - 特許庁

To provide a method for making II-VI compounds semiconductor crystal excellent in crystallinity grow by restraining stress exerted from a supporting member to seed crystal when making II-VI compounds semiconductor crystal grow on seed crystal by sublimation technique or chemical vapor trans port one.例文帳に追加

昇華法又はハロゲン化学輸送法で種結晶上にII−VI族化合物半導体結晶を成長させるときに、前記支持部材から種結晶に加わる応力を抑制して、結晶性に優れたII−VI族化合物半導体結晶の結晶成長方法を提供しようとするものである。 - 特許庁