a SiOとは 意味・読み方・使い方

To provide a single crystal pulling device preventing SiO gas from depositing on a radiation shield and effectively discharging SiO gas while keeping rectification.例文帳に追加

輻射シールドへのＳｉＯガスの付着を防ぎ、整流を保ちつつＳｉＯガスを効果的に排出することができる単結晶引上げ装置を提供する。 - 特許庁

The sputtering method and the PLD method are used to deposit the fluorescent film fabricating a target of such as a sputtering process using a substance in which a fluorescent material is mixed with SiO2 or SiO.例文帳に追加

スパッタリング法やPLD法はSiO2またはSiOに蛍光体が混ざり合った物質を使用してスパッタリング工程などのターゲットを作って蛍光膜を蒸着するのに使用する。 - 特許庁

If you have a multiport serial card, check the manual page for sio(4) for more information on the proper values to add to your /boot/device.発音を聞く 例文帳に追加

もしマルチポートシリアルカードを持っていてこれらの設定の正しい数値に関する情報がほしい場合はマニュアルページ sio(4) を参照して下さい。 - FreeBSD

A first SiO film having a refractive index substantially equal to the refractive index of an acrylic resin substrate is formed to a thickness of about 200 nm on the substrate, and a second SiO film having a refractive index assuming a value falling within the range from 1.48 to 1.62 is formed to a thickness of about 200 nm on the first SiO film.例文帳に追加

アクリルの基材上に、該アクリルと同程度の屈折率を有するＳｉＯ膜を約２００ｎｍの膜厚だけ形成し、その上に、１．４８〜１．６２の範囲内の値の屈折率を有するＳｉＯ膜を約２００ｎｍの膜厚だけ形成する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for manufacturing a high purity SiO solid at a high production rate.例文帳に追加

高純度で生産速度の高いＳｉＯ固体の製造方法及び製造装置を提供する。 - 特許庁

The TFT 108 further includes a polycrystalline semiconductor film 14 that is formed and patterned on the SiO film 13 in contact with the SiO film 13 in such a way that all pattern ends are located in close proximity to pattern ends of the SiO film 13.例文帳に追加

さらに、ＴＦＴ１０８は、ＳｉＯ膜１３上においてＳｉＯ膜１３に接し、全てのパターン端がＳｉＯ膜１３のパターン端近傍に配置されるようにパターニング形成された多結晶半導体膜１４を有する。 - 特許庁

For a multiport serial card, place an sio(4) line for each serial port on the card in the device. hints(5) file.発音を聞く 例文帳に追加

マルチポートシリアルカードを使用するためには、カーネルの設定ファイルに、カードの持つそれぞれのシリアルポートに対応する sio(4) の行を記述する必要があります。 - FreeBSD

To realize a method of manufacturing on SIO wafer to improve uniformity of thickness of a semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層の厚さの均一度を向上させるＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁