anneal heat treatmentとは 意味・読み方・使い方

In the process, not short-time heating by lamp anneal but furnace anneal is added as heat treatment after formation of an NSG layer 16 which is an uppermost layer of the first interlayer insulation film 10.例文帳に追加

このとき第１の層間絶縁膜１０の最上層であるＮＳＧ層１６の形成後の熱処理として、ランプアニールによる短時間加熱ではなく炉アニールを加える。 - 特許庁

This high- temperature heat treatment can anneal out contaminants in the thermal oxidation film 4 and improve the quality of the thermal oxidation film 4.例文帳に追加

このような高温熱処理により、熱酸化膜４中の汚染物質をアニールアウトし、熱酸化膜４の品質を向上させることができる。 - 特許庁

To suppress contamination of a wafer by a metal impurity from a heat treatment furnace member, etc., while utilizing the merit of high- temperature anneal using hydrogen.例文帳に追加

水素を用いた高温アニールの利点を活用しつつ、熱処理炉用部材などからの金属不純物によるウェーハ汚染を抑制する。 - 特許庁

As a result, the reference light source device for high temperature high-speed radiation thermometers can be provided, which performs radiation temperature measurement of the surface temperature of the silicon wafer processed by a flash lamp anneal method (FLA) under development as a next-generation wafer heat treatment process, and a laser anneal method (LA).例文帳に追加

次世代ウエハ熱処理工程として開発中のフラッシュランプアニール法（ＦＬＡ）やレーザーアニール法（ＬＡ）において処理されるシリコンウエハの表面温度を放射温度計測するための高温高速放射温度計用参照光源装置を提供することが可能である。 - 特許庁

An individual electrode 44 is formed on an upper surface of the piezoelectric layer 42, and then heat treatment is performed to anneal the piezoelectric layer 42 and calcine the common electrode 43 and the individual electrode 44.例文帳に追加

次に、圧電層４２の上面に個別電極４４を形成し、その後、加熱処理を行って、圧電層４２のアニールと共通電極４３及び個別電極４４の焼成とを行う。 - 特許庁

The progress of the processing of the wafer of which defects have been detected (for example, a heat treatment process, such as rapid thermal anneal) is stopped to prevent damage to the wafer.例文帳に追加

欠陥が検知されたウェーハの処理（例えば、ラピッド・サーマル・アニールのような熱処理工程）の進行を停止し、ウェーハの破損を防止する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor epitaxial wafer and a method of manufacturing the same, which can improve quality of crystal, simplify a process, and reduce a cost by improving a material of a metallic substrate and improving an epitaxial structure and a process of thermal cycle anneal heat treatment.例文帳に追加

金属基板の材料を改良するとともに、エピタキシャル構造および冷熱サイクルアニール熱処理の工程を改良することにより、結晶の品質を向上させ、工程を簡略化し、コストを下げることが可能な化合物半導体エピタキシャルウェハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁