antimony concentrationとは 意味・読み方・使い方

A high concentration N type layer 3 is formed on the surface side of a silicon substrate 1 by implanting arsenic (or antimony) ions, and an epitaxial layer 4 is formed on the high concentration N type layer 3 by epitaxial growth.例文帳に追加

シリコン基板１の表面側に、砒素（またはアンチモン）がイオン注入されて高濃度Ｎ型層３が形成され、この高濃度Ｎ型層３上にエピタキシャル層４がエピタキシャル成長して形成されている。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for electrically heating glass, in which the erosion of a molybdenum electrode is prevented without decreasing antimony concentration.例文帳に追加

本発明は、アンチモン濃度を低減させることなく、モリブデン電極の侵食を防止することができるガラスの電気加熱方法及び装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of efficiently separating impurity elements such as bismuth, tin and antimony from a solution of platinum group elements at a low cost and obtaining the solution of the platinum group elements with a low concentration of the impurity elements.例文帳に追加

白金族元素の溶解液から、ビスマス、スズ、アンチモンなどの不純物元素を効率的に且つ低コストで分離して、不純物元素濃度の低い白金族元素の溶解液を得る方法を提供する。 - 特許庁

The objective polyethylene terephthalate-based polyester contains at least one kind of metallic atom selected from antimony, titanium and germanium in an amount of ≤100 ppm, has a terminal carboxyl group concentration of ≤20 equivalent/ton and contains ≤0.5 wt.% cyclic trimer of ethylene terephthalate.例文帳に追加

アンチモン、チタン及びゲルマニウム原子から選ばれた少なくとも１種の金属原子を１００ｐｐｍ以下含有し、末端カルボキシル基濃度が２０当量／トン以下で、かつエチレンテレフタレート環状３量体含有量が０．５重量％以下であるポリエチレンテレフタレート系ポリエステル。 - 特許庁

In a CMOS of a dual-gate structure, a surface channel type PMOS whose gate electrode is formed with a P+ type poly-silicon film, is characterized in that arsenic or antimony is doped into the substrate under the gate electrode and nitrogen whose peak concentration is 2×1021/cm3 or more is doped into the gate oxide.例文帳に追加

デュアルゲート構造のＣＭＯＳにおいて、ゲート電極がＰ^＋型ポリシリコン膜で形成された表面チャネル型のＰＭＯＳを、そのゲート電極下の基板中にヒ素もしくはアンチモンが導入され、ゲート酸化膜に窒素がピーク濃度で２×１０^２１／ｃｍ^３以上導入されたもので構成する。 - 特許庁

To provide a chlorine-leaching method of copper electrolytic slime capable of suppressing leaching of antimony by controlling a chloride concentration in the range of about 85-130 g/L when performing chlorine-leaching of copper electrolytic slime, and preventing clad generation in a solvent extraction step from a leachate or quality decline of recovered gold.例文帳に追加

銅電解スライムを塩素浸出する際に塩化物濃度を約８５〜１３０ｇ／ｌの範囲に制御してアンチモンの浸出を抑制し、浸出液からの溶媒抽出工程でのクラッド発生や回収される金の品質低下を防止することができる、銅電解スライムの塩素浸出方法を提供する。 - 特許庁

The producing method of the moldings comprises using a polyester obtained by mixing a polyester (1) containing the aluminum compound and a phosphorus compound, and on demand, an antimony compound and/or a germanium compound, with another polyester (2) containing a high concentration phosphorus compound or another polyester obtained by simply mixing with a phosphorus compound.例文帳に追加

本発明に係るポリエステル成形物の製造方法は、アルミニウム化合物およびリン化合物と必要に応じてアンチモン化合物および/またはゲルマニウム化合物を含有するポリエステル（１）に、高濃度のリン化合物を含有するポリエステル（２）あるいは単にリン化合物を混合することにより得られるポリエステルを用いることを特徴とする。 - 特許庁

On an n-cathode layer 1 in which antimony is doped, an epitaxial growth layer 20 is formed while doping phosphorous, and a impurity concentration in the epitaxial growth layer 20 is gradually increased from an n^+-layer 1 side to a central part (Xp) and gradually decreased from the central part (Xp) toward the surface of the epitaxial growth layer 20.例文帳に追加

アンチモンを導入したｎカソード層１に、リンをドープさせながらエピタキシャル成長層２０を形成し、このエピタキシャル成長層２０の不純物濃度を、ｎ^＋ 層１側から中央部（Ｘｐ）までは、徐々に増大させ、中央部（Ｘｐ）からエピタキシャル成長層２０表面へ向かって、不純物濃度を徐々に減少させる。 - 特許庁