bulk diffusionとは 意味・読み方・使い方

With such a structure, an electric line of force generating between the bulk transistor 10 and the SOI transistor 20 can be shut off by the impurity diffusion layer 91, and a crosstalk noise can be suppressed between the bulk transistor 10 and the SOI transistor 20.例文帳に追加

このような構成であれば、バルクトランジスタ１０と、ＳＯＩトランジスタ２０との間で生じる電気力線を不純物拡散層９１で遮断することができ、バルクトランジスタ１０とＳＯＩトランジスタ２０との間でのクロストークノイズを抑制することができる。 - 特許庁

The objective epitaxial silicon wafer is characterized in that the silicon epitaxial layer is formed on the nitrogen-doped silicon single crystal wafer, dislocation loops are contained in the bulk, the BMD density in the bulk is ≥5×108 pieces/cm3, and the carrier diffusion length is 300 to 600 μm.例文帳に追加

および、窒素がドープされたシリコン単結晶ウエーハの表面にシリコンエピタキシャル層が形成されたものであり、バルク中に転位ループと５×１０^８個／ｃｍ^３以上のＢＭＤ密度を有し、かつ、キャリアの拡散長が３００〜６００μｍであることを特徴とするエピタキシャルシリコンウエーハ。 - 特許庁

The bulk semiconductor material includes a minority charge carrier diffusion length property configured to substantially match a predetermined hole diffusion length value and a thickness configured to substantially match a predetermined photodiode layer thickness.例文帳に追加

バルク半導体材料は、予め決められた正孔拡散距離値に実質的に一致するように構成されている少数電荷担体拡散距離特性と、予め決められたフォトダイオード層厚に実質的に一致するように構成されている厚みとを含んでいる。 - 特許庁

An SOI region obtained by laminating a semiconductor layer 5 on an insulating layer 103 and a bulk region where an underlayer is composed of only a substrate are provided on a same semiconductor substrate 101, and an impurity diffusion layer 91 for fixing a potential is provided in the semiconductor substrate 101 between a bulk transistor 10 formed in the bulk region and an SOI transistor 20 formed in the SOI region.例文帳に追加

絶縁層１０３上に半導体層５が積層されてなるＳＯＩ領域と、下地が基板のみからなるバルク領域とを同一の半導体基板１０１に備え、バルク領域に形成されたバルクトランジスタ１０と、ＳＯＩ領域に形成されたＳＯＩトランジスタ２０との間の半導体基板１０１に電位固定用の不純物拡散層９１を備える。 - 特許庁

Further, an n^+ diffusion region 7 acting like a drain of the MOSFET in the MIS region and the p-GaN layer 11 of the pn diode of the bulk region are electrically connected bi a short-circuit electrode 8.例文帳に追加

そして、ＭＩＳ領域のＭＯＳＦＥＴのドレインとなるｎ^+拡散領域７と、バルク領域のｐｎダイオードのｐ−ＧａＮ層１１を、短絡電極８を介して電気的に接続する。 - 特許庁

The conductive electrode (14) shows advantageous properties such as a low or controlled oxide formation (or probably in passive state), high melting point, high bulk modulus, and low diffusion coefficient.例文帳に追加

当該導電性電極（１４）は、低い又は制御された酸化物形成（又はおそらく不動態化されている）、高い融点、高い体積弾性率、及び低い拡散率という特性を有利に示す。 - 特許庁

The gas diffusion layers 5, 6 have through holes with an average diameter in the range 15-45 μm and the specific surface area in the range 0.25-0.55 m^2/g, and have a bulk density in the range 0.35-0.55 g/cm^3.例文帳に追加

ガス拡散層５，６は、１５〜４５μｍの範囲の平均径と０．２５〜０．５ｍ^２／ｇの範囲の比表面積とを有する貫通孔を備えると共に、０．３５〜０．５５ｇ／ｃｍ^３の範囲の嵩密度を備える。 - 特許庁

The bulk density is greater, a placement thickness is relatively smaller and the rate of short or small coals is higher to improve the diffusion efficiency of noises, while a specific surface area is larger to improve moisture control performance.例文帳に追加

この発明は、嵩密度を大きくして敷設厚みを相対的に薄くし、短いもしくは小さな炭の占める割合を高くして音の拡散効率を高めつつ、比表面積を大きくして調湿性能も向上させる。 - 特許庁