channel currentsとは 意味・読み方・使い方

To provide a transistor capable of suppressing junction leak currents while ensuring a short channel margin and a method for manufacturing it.例文帳に追加

本発明は、短チャネルマージンを確保しつつ、接合リーク電流を抑制することができるトランジスタ及びその形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device suppressing a short channel effect and reducing a voltage difference between on/off discrimination currents.例文帳に追加

短チャネル効果を抑制し、かつオン／オフ判別電流間の電圧差を低減できる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

At high tide, the ocean currents from the Bungo-suido Channel and the Kii-suido Channel flow into the Seto Inland Sea, where they collide off the coast of Tomonoura (located roughly in the center of the Seto Inland Sea); at low tide, however, they flow away from each other, with the current from the Kii-suido Channel flowing to the east and that from the Bungo-suido Channel flowing to the west and the coast of Tomonoura serving as a kind of central border.発音を聞く 例文帳に追加

瀬戸内海の海流は満潮時に豊後水道や紀伊水道から瀬戸内海に流れ込み瀬戸内海のほぼ中央に位置する鞆の浦沖でぶつかり、逆に干潮時には鞆の浦沖を境にして東西に分かれて流れ出してゆく。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Consequently, much currents are caused to flow in the part 8b on a trench base 7b-side of the N^-- type channel layer 8 when a gate voltage is applied.例文帳に追加

このため、ゲート電圧印加時において、Ｎ^-型チャネル層８のトレンチ底面７ｂ側の部分８ｂに、電流を多く流すことができる。 - 特許庁

When the thin film transistor(TFT) is irradiated with light, photoleakage currents generated in a channel layer are captured by the flaws in the first amorphous silicon layer.例文帳に追加

ＴＦＴが光に照射されたとき、チャンネル層に発生したフォト・リーケイジ電流は第一のアモルファス・シリコン層内の瑕疵に捕捉される。 - 特許庁

In order to achieve higher on-currents, a nanowire-based TFET with a germanium (Ge) tunnel barrier in another silicon (Si) channel is used.例文帳に追加

より高いオン電流を達成するために、他のシリコン（Ｓｉ）チャネル中にゲルマニウム（Ｇｅ）トンネルバリアを備えたナノワイヤベースのＴＦＥＴが用いられる。 - 特許庁

When currents of P-channel transistors M4 and M5 are set equal, gate/back-gate voltages of P-channel transistors M11-M20 become equal to that of the P-channel transistor M10, and Vout becomes a reference voltage of which the temperature coefficient is approximately zero.例文帳に追加

ＰチャネルトランジスタＭ４とＭ５の電流を等しく設定すると、ＰチャネルトランジスタＭ１１〜Ｍ２０のそれぞれのゲート・バックゲート間の電圧はＰチャネルトランジスタＭ１０と等しくなり、Ｖｏｕｔは温度係数がほぼゼロの基準電圧となる。 - 特許庁

With this structure, a channel region is efficiently arranged to suppress occurrence of parasitic currents in the P-type diffusion layer, thereby preventing fluctuation in on-resistance value of an N-channel MOS transistor 1.例文帳に追加

この構造により、効率的にチャネル領域が配置され、Ｐ型の拡散層での寄生電流の発生が抑制され、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタ１のオン抵抗値の変動が防止される。 - 特許庁