charge isolationとは 意味・読み方・使い方

Impurity concentration of an impurity layer having polarity the reverse of that of a light receiving part 2 is changed depending on an element isolation region around the light receiving part 2, an element isolation region of a read out region of a charge transfer transistor 3 and an element isolation region around a floating region 4 functioning as a charge voltage conversion part.例文帳に追加

受光部２の周囲の素子分離領域、電荷転送トランジスタ素子３の読み出し領域の素子分離領域および電荷電圧変換部としてのフローティング領域４の周囲の素子分離領域に応じて、受光部２とは逆極性の不純物層の不純物濃度を変えている。 - 特許庁

The solid-state image-sensing device comprises a pn-junction sensor part 111, a device isolation layer for trench isolation for isolating the sensor part into pixels, and a semiconductor region formed protruding from the device isolation layer toward the sensor part and having a conductivity type opposite to that of a charge accumulation region of the sensor part.例文帳に追加

固体撮像装置は、ｐｎ接合型のセンサ部と、センサ部を画素分離するトレンチ分離による素子分離層と、素子分離層からセンサ部側に張出して形成されたセンサ部の電荷蓄積領域とは逆導電型の半導体領域とを有する。 - 特許庁

Consequently, an electric charge 220 is not allowed to build up in the upper isolation layer but rather bleeds from the field shield into the lower isolation layer and into the substrate below.例文帳に追加

その結果、電荷は、上側絶縁分離層内に蓄積されるのではなく、フィールド・シールドから下側絶縁分離層内へ、そしてその下の基板内に流れ込む。 - 特許庁

To detect failure of a power supply caused by a charge voltage of the primary smoothing capacitor of an isolation transformer, without being provided with a dedicated insulating mechanism in between the primary side of the isolation transformer.例文帳に追加

絶縁トランスの１次側との間に専用の絶縁機構を設けることなく、絶縁トランスの１次側の平滑コンデンサの充電電圧に起因する電源の異常を検出すること。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor device which has trench isolation, has a structure accumulating a charge in a part, suppresses fluctuation of a memory characteristic near an end of trench isolation and has a stable memory characteristic.例文帳に追加

トレンチ分離を有し、局所に電荷を蓄積する構造の不揮発性半導体装置において、レンチ分離の端部近傍におけるメモリ特性の変動を抑制して、安定したメモリ特性を有する不揮発性半導体装置を実現する。 - 特許庁

According to a manufacturing method of the element, the element isolation film which defines the active region on the semiconductor substrate defined the sell region is formed, the charge storing insulation film is formed on the whole surface of the semiconductor substrate in which the element isolation film is formed.例文帳に追加

この素子の製造方法によると、セル領域が定義された半導体基板に活性領域を限定する素子分離膜を形成し、素子分離膜が形成された半導体基板の全面に電荷貯蔵絶縁膜を形成する。 - 特許庁

ARRAY WITHOUT CONTACT POINT AND ISOLATION OF NONVOLATILE MEMORY CELL, EACH HAVING FLOATING GATE FOR CHARGE STORAGE, AND MANUFACTURING METHOD AND ITS USAGE例文帳に追加

各々が電荷蓄積用浮遊ゲートを持つ不揮発性メモリセルのアイソレーションの無い接点の無い配列、その製造方法及び使用方法 - 特許庁

In isolation from the light screening metal, wiring lines 91, 92 for charge injection are electrically connected to the farthest end photosensitive elements 7E-1 to 7E-2m.例文帳に追加

その遮光メタルとは分離して、最遠端の受光素子７Ｅ−１、７Ｅ−２、…に電荷注入用配線９１、９２が電気的に接続されている。 - 特許庁