「charge isolation」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To generate an electric charge by photoelectric-converting a light incident on an element isolation portion, and to utilizes the electric charge for a signal.例文帳に追加

素子分離部へ入射した光を光電変換して電荷を生成し、その電荷を信号に利用する。 - 特許庁

To prevent an occurrence of a smear due to an unnecessary charge in an element isolation part in a solid state image pickup element including the element isolation part provided between a photoelectric conversion part and a charge transfer part.例文帳に追加

光電変換部と電荷転送部との間に素子分離部が設けられた固体撮像素子において、素子分離部での不要電荷にともなうスミアの発生を防止する。 - 特許庁

Impurity concentration of an impurity layer having polarity the reverse of that of a light receiving part 2 is changed depending on an element isolation region around the light receiving part 2, an element isolation region of a read out region of a charge transfer transistor 3 and an element isolation region around a floating region 4 functioning as a charge voltage conversion part.例文帳に追加

受光部２の周囲の素子分離領域、電荷転送トランジスタ素子３の読み出し領域の素子分離領域および電荷電圧変換部としてのフローティング領域４の周囲の素子分離領域に応じて、受光部２とは逆極性の不純物層の不純物濃度を変えている。 - 特許庁

The solid-state image-sensing device comprises a pn-junction sensor part 111, a device isolation layer for trench isolation for isolating the sensor part into pixels, and a semiconductor region formed protruding from the device isolation layer toward the sensor part and having a conductivity type opposite to that of a charge accumulation region of the sensor part.例文帳に追加

固体撮像装置は、ｐｎ接合型のセンサ部と、センサ部を画素分離するトレンチ分離による素子分離層と、素子分離層からセンサ部側に張出して形成されたセンサ部の電荷蓄積領域とは逆導電型の半導体領域とを有する。 - 特許庁

Consequently, an electric charge 220 is not allowed to build up in the upper isolation layer but rather bleeds from the field shield into the lower isolation layer and into the substrate below.例文帳に追加

その結果、電荷は、上側絶縁分離層内に蓄積されるのではなく、フィールド・シールドから下側絶縁分離層内へ、そしてその下の基板内に流れ込む。 - 特許庁

To detect failure of a power supply caused by a charge voltage of the primary smoothing capacitor of an isolation transformer, without being provided with a dedicated insulating mechanism in between the primary side of the isolation transformer.例文帳に追加

絶縁トランスの１次側との間に専用の絶縁機構を設けることなく、絶縁トランスの１次側の平滑コンデンサの充電電圧に起因する電源の異常を検出すること。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor device which has trench isolation, has a structure accumulating a charge in a part, suppresses fluctuation of a memory characteristic near an end of trench isolation and has a stable memory characteristic.例文帳に追加

トレンチ分離を有し、局所に電荷を蓄積する構造の不揮発性半導体装置において、レンチ分離の端部近傍におけるメモリ特性の変動を抑制して、安定したメモリ特性を有する不揮発性半導体装置を実現する。 - 特許庁

According to a manufacturing method of the element, the element isolation film which defines the active region on the semiconductor substrate defined the sell region is formed, the charge storing insulation film is formed on the whole surface of the semiconductor substrate in which the element isolation film is formed.例文帳に追加

この素子の製造方法によると、セル領域が定義された半導体基板に活性領域を限定する素子分離膜を形成し、素子分離膜が形成された半導体基板の全面に電荷貯蔵絶縁膜を形成する。 - 特許庁

ARRAY WITHOUT CONTACT POINT AND ISOLATION OF NONVOLATILE MEMORY CELL, EACH HAVING FLOATING GATE FOR CHARGE STORAGE, AND MANUFACTURING METHOD AND ITS USAGE例文帳に追加

各々が電荷蓄積用浮遊ゲートを持つ不揮発性メモリセルのアイソレーションの無い接点の無い配列、その製造方法及び使用方法 - 特許庁

In isolation from the light screening metal, wiring lines 91, 92 for charge injection are electrically connected to the farthest end photosensitive elements 7E-1 to 7E-2m.例文帳に追加

その遮光メタルとは分離して、最遠端の受光素子７Ｅ−１、７Ｅ−２、…に電荷注入用配線９１、９２が電気的に接続されている。 - 特許庁

To provide a cylindrical nonaqueous electrolyte secondary battery excellent in charge and discharge cycle characteristics and large current characteristics by using an isolation layer including cellulose.例文帳に追加

セルロースを含む隔離層を用いて、充放電サイクル特性および大電流特性に優れた円筒型非水電解質二次電池を提供する。 - 特許庁

The second element isolation section is disposed between the electric charge retaining section and at least a portion of a plurality of transistors.例文帳に追加

そして、第２の素子分離部は電荷保持部と複数のトランジスタの少なくとも一部との間に配される。 - 特許庁

Whole surface of the cell region comprising the active region and the element isolation film is enveloped by the charge storing insulation film 74C.例文帳に追加

活性領域及び素子分離膜を含むセル領域の全面は電荷貯蔵絶縁膜74Cで覆われる。 - 特許庁

This field shield further provides a protective barrier against any electric charge that becomes trapped within the lower isolation layer or substrate.例文帳に追加

このフィールド・シールドはさらに、下側絶縁分離層または基板内に閉じ込められた電荷に対する防護障壁を提供する。 - 特許庁

The plurality of charge storage layers 13 are formed in isolation from one another along the surface of the tunnel insulating layer 12.例文帳に追加

複数の電荷蓄積層１３は、トンネル絶縁層１２の表面に沿って互いに離間して形成されている。 - 特許庁

An upper surface of an element isolation layer 23B in the second region is higher than that of an element isolation layer 23A in the first region, and the curvature radius of an upper corner of a charge storage layer 32B in the second region is larger than that of a charge storage layer 43 in the third region.例文帳に追加

第２の領域の素子分離層２３Ｂの上面は、第１の領域の素子分離層２３Ａの上面より高く、第２の領域の電荷蓄積層３２Ｂは、上部の角の曲率半径が、第３の領域の電荷蓄積層４３よりも大きい。 - 特許庁

To reduce the burden to a person in charge of efficient execution of isolation task planning and system management in an isolation execution stage to reduce the occurrence probability of human errors, by reducing isolation devices requiring management to those within a rational range in a system isolation system of a nuclear power plant, which is useful for efficiently performing system isolation planning in periodical inspection work for the nuclear power plant, isolation execution and restoration management, etc.例文帳に追加

原子力プラントの定期点検作業における系統の隔離計画ならびに隔離の実施・復旧管理等の効率化に有用な原子力プラントの系統隔離システムに関し、管理の必要な隔離機器を合理的な範囲のものに削減することによって、効率的な隔離作業計画の実施と隔離実施段階における系統管理担当者の負担軽減を図り、ヒューマンエラーの発生確率を低減させる。 - 特許庁

Thereby, a part of the P-type region 5 of one side of the electric charge transfer region 7 is set as an element isolation region 5a, and another part of the P-type region 5 of the other side of the electric charge transfer region 7 is set as a read-out gate region 5b.例文帳に追加

これによって、電荷転送領域７の一側方のＰ型領域５部分を素子分離領域５ａとし、電荷転送領域７の他側方のＰ型領域５部分を読み出しゲート領域５ｂとする。 - 特許庁

A failure detector 6 detects the failure of the power supply caused by the charge voltage of the primary smoothing capacitor 12 of the isolation transformer 14 by monitoring the voltage V3 between the secondary terminals of the isolation transformer 14 provided in a control power supply 3.例文帳に追加

電源異常検出部６は、制御電源部３に設けられた絶縁トランス１４の２次側の端子間電圧Ｖ３を監視することで、絶縁トランス１４の１次側の平滑コンデンサ１２の充電電圧に起因する電源の異常を検出する。 - 特許庁

A charge read region 4 is formed between a photoelectric conversion part 2 and a charge transfer path 3 corresponding to the photoelectric conversion part 2, and a PD-VCCD element isolation region 5 is formed in a region except for the charge read region 4 out of a region between the photoelectric conversion part 2 and the charge transfer path 3 at a side thereof.例文帳に追加

光電変換部２とこれに対応する電荷転送路３との間には電荷読み出し領域４が形成され、光電変換部２とこの側部にある電荷転送路３との間の領域のうち、電荷読み出し領域４を除く領域には、ＰＤ−ＶＣＣＤ間素子分離領域５が形成されている。 - 特許庁

A charging system (92) coupled to the dc buses (52 and 176) via a charge bus (94) comprises a receptacle (120) configured to mate with a connector (126) coupled to a voltage source (132) external to the power electronic drive circuit, and an isolation transformer (112) configured to electrically isolate the charge bus (94) from the receptacle (120).例文帳に追加

充電バス（９４）を介してｄｃバス（５２、１７６）に結合された充電システム（９２）は、外部にある電圧源（１３２）に結合されたコネクタ（１２６）と係合するレセプタクル（１２０）と、該レセプタクル（１２０）から充電バス（９４）を電気的に分離する分離変成器（１１２）とを備える。 - 特許庁

A tunnel oxide film 3, a charge accumulation layer 4, a current cutoff layer 5 are laminatedly formed on the first main face (surface) of the semiconductor substrate between the STIs (shallow trench isolation) 2.例文帳に追加

ＳＴＩ（シャロートレンチアイソレーション）２の間の半導体基板の第１主面（表面）上にトンネル酸化膜３、電荷蓄積層４、及び電流遮断層５が積層形成される。 - 特許庁

Furthermore, the depth of an N type charge storage region where the impurity concentration of the photoelectric conversion element part 3 is maximized is shallower than the depth of the trench isolation part 5.例文帳に追加

しかも、光電変換素子部３の不純物濃度が最大となるＮ型電荷蓄積領域の深さがトレンチ分離部５の深さよりも浅く構成されている。 - 特許庁

Further, by embedding the gate electrode in the substrate, a barrier to dark current is arranged between a charge transmission path formed below the gate electrode and a side wall of an element isolation region 12.例文帳に追加

また、ゲート電極を基板内に埋め込むことで、ゲート電極下に形成される電荷転送路と素子分離領域１２の側壁との間に、暗電流に対する防壁を設ける。 - 特許庁

Plurality of parallel gate lines traversing in upper part of the element isolation film on the charge storing insulation film are formed, and a conductive pattern is arranged between considered gate lines.例文帳に追加

電荷貯蔵絶縁膜上に素子分離膜の上部を横切る複数個の平行なゲートラインが形成され、所定のゲートラインの間に導電性パターンが配置される。 - 特許庁

The bit line equalizing voltage generating circuit generates a bit line equalizing voltage by recycling the boosting voltage charge of a bit line isolation signal.例文帳に追加

ビットラインイコライジング電圧発生回路はビットラインアイソレーション信号の昇圧電圧チャージをリサイクルしてビットラインイコライジング電圧を発生させる。 - 特許庁

To provide a cylindrical nonaqueous electrolyte secondary battery having excellent charge and discharge cycle characteristics in which the occurrence of internal short circuit is suppressed by using an isolation layer including cellulose.例文帳に追加

セルロースを含む隔離層を用いて、内部短絡の発生が抑制された、優れた充放電サイクル特性を有する円筒型非水電解質二次電池を提供する。 - 特許庁

To improve transfer efficiency of charges from a photoelectric conversion portion to a charge-voltage conversion portion and to reduce noise generated by a dark current due to an interface state of an element isolation portion below a transfer electrode.例文帳に追加

光電変換部から電荷電圧変換部への電荷の転送効率を向上するとともに、転送電極の下における素子分離部の界面準位に起因した暗電流によるノイズを低減する。 - 特許庁

To provide a one-transistor (1T) nonvolatile random access memory (NVRAM) cell that utilizes silicon carbide (SiC), enabling both the isolation of nonequilibrium charge, and fast and nondestructive charging/discharging.例文帳に追加

炭化ケイ素（ＳｉＣ）を使用して非平衡電荷の分離および高速で非破壊充放電の両方を可能にする１トランジスタ（１Ｔ）不揮発性ランダム・アクセス・メモリ・セルを提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus in which STIs are used for element isolation regions, wherein dark current and occurrence of a white blemish are reduced and achieves storage charge amount increase.例文帳に追加

素子分離領域としてＳＴＩを用いた固体撮像装置であって、暗電流及び白キズの発生を低減すると共に、蓄積電荷数の増加を実現する固体撮像装置提供する。 - 特許庁

In the non-volatile semiconductor memory device, a charge accumulation layer is eliminated from element isolation regions and from an insulation region between a memory transistor and a select transistor to prevent electric charges from being injected and accumulated in these regions.例文帳に追加

素子分離領域、及びメモリトランジスタと選択トランジスタとの間の絶縁領域中の電荷蓄積層をなくして同部に電荷が注入または蓄積されないようにする。 - 特許庁

To efficiently transfer a signal charge without affected by potential of an element isolation region even when a pixel is miniaturized and a gate width of a transfer gate is reduced.例文帳に追加

本発明は、画素を微細化してトランスファゲートのゲート幅が縮小されても、素子分離領域の電位の影響を受けずに信号電荷を転送することを特徴とする。 - 特許庁

The bottoms of the charge accumulating sections 21a and 21b, comprising the photodiodes 20a and 20b, are located deeper from the principal surface of the semiconductor substrate 10 than the bottom of the element isolation section 33a.例文帳に追加

フォトダイオード２０ａおよび２０ｂを構成する、電荷蓄積部２１ａおよび２１ｂの底部は、素子分離部３３ａの底部よりも半導体基板１０の主面から深い位置にある。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has an SOD (Spin On Dielectric) single-layer film of good quality free of an influence of fixed charge etc., and having excellent electric characteristics and also has a device isolation region for a micro-LSI process.例文帳に追加

固定電荷等の影響がなく電気的特性の優れた良質なＳＯＤ単層膜を備えた、微細ＬＳＩプロセス用の素子分離領域を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

The element isolation region 15 is provided for each second column of PDs 12 along the column between columns of adjacent PDs 12 with the VCCD 13 not interposed, and separates the adjacent PDs 12 to prevent electric charge from migrating between the PDs 12.例文帳に追加

素子分離領域１５は、ＰＤ１２の列に沿って２列おきに、ＶＣＣＤ１３を介さずに隣接するＰＤ１２の列の間に設けられ、隣接するＰＤ１２を各々に分離し、ＰＤ１２間での電荷の移動を防ぐ。 - 特許庁

A first narrow region 60 is provided at an isolation region 56 in a charge transfer direction between one of channel regions 50 and one of the drain regions 54, and other part is made a relatively wide second region 62.例文帳に追加

チャネル領域５０とドレイン領域５４との間に設けられる分離領域５６のうち電荷転送方向の一部分に幅の狭い第１領域６０を設け、他の部分は相対的に幅の広い第２領域６２とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device of which the height of upper face of an element isolation insulating film between memory cell transistors is controlled so that the upper face is positioned within the thickness range of a charge storage film in an MONOS type semiconductor memory device.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型の半導体記憶装置で、メモリセルトランジスタ間の素子分離絶縁膜の上面の高さが、電荷蓄積膜の厚さの範囲に位置するように制御された半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The power accumulation unit 102 is provided with a first power accumulation element 103, an isolation diode 104, a second power accumulation element 105, a one-way electrical energy output limiting circuit 106, and a charge control circuit 111.例文帳に追加

蓄電ユニット１０２は、第一蓄電エレメント１０３、隔離ダイオード１０４、第二蓄電エレメント１０５、片方向電気エネルギー出力制限回路１０６および充電制御回路１１１が設けられる。 - 特許庁

First insulating films 13-1, 13-2, 13-3, etc., charge storage layers 14-1, 14-2, 14-3, etc., a second insulating film 15, and a control gate 16 are formed on the main surface of the semiconductor substrate sectioned by the element isolation regions.例文帳に追加

半導体基板の素子分離領域で区画された主表面上に第１の絶縁膜１３−１，１３−２，１３−３，…、電荷蓄積層１４−１，１４−２，１４−３，…、第２の絶縁膜１５、コントロールゲート１６が形成されている。 - 特許庁

To prevent unnecessary charges from flowing into a photoelectric conversion part in a charge accumulation period when driving a CMOS solid-state image pickup device wherein an element isolation means comprises a diffusion layer and an insulating film thereon.例文帳に追加

素子分離手段を拡散層とその上の絶縁膜で構成したＣＭＯＳ固体撮像素子の駆動において、電荷蓄積期間の光電変換部に不要な電荷が流れ込まないようにする。 - 特許庁

The electrostatic coating device 1 is provided with an isolation valve 32 provided in the coating material supply path 22 and electrically isolating the coating material supply path 22 into the applied side to which the high voltage is applied and the non-applied side; and a high speed grounding device 40 for discharging the residual electrical charge in the coating material supply path 22.例文帳に追加

静電塗装装置１は、塗料供給路２２に設けられ、この塗料供給路２２を、塗装ガン１３に導通した印加側と塗装ガン１３から絶縁された非印加側とに分断する絶縁分離バルブ３２と、塗料供給路２２の残留電荷を放電する高速接地装置４０と、を備える。 - 特許庁

A part of an electron charge storage layer 7 on a first gate insulating film 22 is partially overlapped on said first part in the isolation region to be formed in a self-aligning manner to the second part, and has a flat top surface flush with the top surface of the second part.例文帳に追加

第１のゲート絶縁膜２２上の電荷蓄積層７は、一部分が素子分離領域の前記第１の部分上にオーバーラップして第２の部分と自己整合的に形成され、第２の部分の上面と一致された平坦な上面を有している。 - 特許庁

At least, a potential of a source-drain region 49 of a transistor of one pixel which is adjacent to photoelectric conversion parts (38 and 39) of another pixel with an element isolation means 85 therebetween is set so as not to become 0V within the charge accumulation period when charges are accumulated in the photoelectric conversion parts, and each pixel is driven.例文帳に追加

少なくとも、画素の光電変換部（３８，３９）に素子分離手段８５を介して隣接する他の画素のトランジスタのソース・ドレイン領域４９の電位を、光電変換部に電荷を蓄積する電荷蓄積期間内で０Ｖにならない電位に設定して、各画素を駆動する。 - 特許庁

To suppress diffusion of nitrogen and carbon contained in an inter-electrode insulating film via an application type element isolation insulating film to the side of an active region, directly below a gate insulating film, generation of fixed charge and adverse effects on the electrical characteristics of a device.例文帳に追加

電極間絶縁膜に含有される窒素や炭素が塗布型素子分離絶縁膜を介してゲート絶縁膜直下の活性領域脇に拡散して固定電荷を発生し、デバイスの電気的特性に悪影響を及ぼすことを抑制する。 - 特許庁

The MONOS type memory cell of the nonvolatile semiconductor memory device includes a tunnel insulating film formed on the active region of a semiconductor substrate, a charge storage film formed continuously on the active region and an element isolation insulating film and having a function of storing electric charges, a block insulating film formed on the charge storage film, and a control gate electrode formed on the block insulating film.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置のＭＯＮＯＳ型メモリセルは、半導体基板の活性領域上に形成されるトンネル絶縁膜と、活性領域上及び素子分離絶縁膜上に連続的に形成される電荷を蓄積する機能を有する電荷蓄積膜と、電荷蓄積膜上に形成されたブロック絶縁膜と、ブロック絶縁膜上に形成されるコントロールゲート電極とを備える。 - 特許庁