conduction band structureとは 意味・読み方・使い方

The structure(250) has almost the same conduction band energy as the conduction band energy of the base(208) on the interface with the base(208) and has almost the same conduction band energy as the conduction band energy of the emitter(214) on the interface with the emitter(214).例文帳に追加

この構造（２５０）は、ベース（２０８）との界面では、ベース（２０８）の伝導帯エネルギーにほぼ等しい伝導帯エネルギーを有し、エミッタ（２１４）との界面においては、エミッタ（２１４）の伝導帯エネルギーにほぼ等しい伝導帯エネルギーを有する。 - 特許庁

The application of the stress breaks up the band structure of the SiC semiconductor crystals, particularly eliminates the degeneracy of the bottom of a conduction band, suppresses scattering between bands, and reduces the effective mass of electrons.例文帳に追加

応力を与えることでＳｉＣ半導体結晶のバンド構造、特に伝導帯底の縮退が解かれ、バンド間散乱が抑制され、また、電子の有効質量が減少する。 - 特許庁

Therefore, discontinuity of the conduction band becomes large, and high-temperature performance is improved, without increasing the threshold current of the laser structure (100).例文帳に追加

そのため、伝導帯の不連続性が大きくなり、レーザ構造(100)の閾値電流を増大させることなく、高温性能を向上させることができる。 - 特許庁

A buffer layer 13 and an electron gas layer 14 are formed as an AlGaN/GaN hetero structure having a large energy gap at the end of the conduction band.例文帳に追加

伝導帯端に大きなエネルギーギャップを有するＡｌＧａＮ／ＧａＮへテロ構造としてバッファ層１３と電子ガス層１４を形成する。 - 特許庁

Since a heterobarrier wall is high at the interface of the emission layer 3 and the p-type clad layer 5, such a structure as carrier overflow does not occur easily on the conduction band side is attained.例文帳に追加

したがって、発光層３とｐ型クラッド層５との界面のヘテロ障壁が高く、伝導帯側でキャリアオーバーフローが生じ難い構造になっている。 - 特許庁

Energy level of band gap is shifted between the 6H-SiC substrate 11 and the 3C-SiC thin film 12 due to difference of the crystal structure (hexagonal system and cubic system) wherein the conduction band of the substrate 11 is higher than that of the thin film 12 and the valence band of the substrate 11 is also higher than that of the thin film 12.例文帳に追加

６Ｈ—ＳｉＣの基板１１と３Ｃ—ＳｉＣの薄膜１２は、その結晶構造（六方晶系と立方晶系）の相違によりバンドギャップのエネルギレベルがずれており、伝導帯は薄膜１２より基板１１が高く、価電子帯も薄膜１２より基板１１が高い。 - 特許庁

Furthermore, since the source part of both conduction band and valence band has a high energy with respect to the channel part, a structure for injecting accelerated electrons and holes into the channel can be realized and an ultrahigh speed CMOSFET can be fabricated easily using the same material system.例文帳に追加

さらに、伝導帯、価電子帯ともにソース部がチャネル部に対して高いエネルギーとなるため、電子・正孔ともに加速した電荷をチャネルに注入できる構造が実現でき、同一の材料系で容易に超高速のＣＭＯＳＦＥＴを作製することが可能となる。 - 特許庁