conduction‐band electronの英語

In a region on the interface between the buffer layer 13 and the electron gas layer 14, the end of the conduction band is less than the Fermi energy, and an electron gas can be accumulated.例文帳に追加

バッファ層１３と電子ガス層１４との界面において伝導帯端がフェルミエネルギーを下回る領域には、電子ガス蓄積することができる。 - 特許庁

C20 fullerene, whose interaction of electron lattice is stronger than C60, is used and taken in the gaps of the materials whose bandgap between a valence electron band and a conduction band is big so as to be polymerized to one dimension chain.例文帳に追加

フラーレンとしてＣ_60よりも電子格子相互作用の強いＣ_20フラーレンを採用し、このＣ_20フラーレン分子を一次元鎖状に重合するために、価電子帯と伝導帯とのバンドギャップの大きな物質の隙間にＣ_20を取り込む。 - 特許庁

The electron barrier layer 16 includes an MgBeZnSeTe single layer or the MgSe/BeZnTe superlattice, and has a composition ratio, where the lower end of the conductor of the electron barrier layer 16 becomes a level higher than that of the lower end of the conduction band of the active layer 15.例文帳に追加

電子障壁層１６はＭｇＢｅＺｎＳｅＴｅ単層、またはＭｇＳｅ／ＢｅＺｎＴｅ超格子からなり、電子障壁層１６の伝導体下端が活性層１５の伝導帯下端よりも高い準位となるような組成比となっている。 - 特許庁

The n-type second clad layer 12B has a higher conduction band sub-level lower end than an active layer 14 to thereby secure a sufficient electron barrier for carrier confinement and also suppress type II light emission.例文帳に追加

ｎ型第２クラッド層１２Ｂにおいて、伝導帯サブレベル下端を活性層１４よりも高くすることにより、キャリア閉じ込めに十分な電子障壁を確保し、さらにタイプＩＩ発光を抑制する。 - 特許庁

The band gap of the well layer 14w is narrowed to secure a sufficient effective barrier height ΔEc between the quantum level of an electron in the well layer 14w and the conduction band of the barrier layer 14b.例文帳に追加

井戸層１４ｗのバンドギャップを狭くして、井戸層１４ｗの電子の量子準位と障壁層１４ｂの伝導帯の下端との実効的障壁高さΔＥｃを十分に確保する。 - 特許庁

Then, electron affinity of the diamond layer 6 is small as compared with, for instance, a silicon layer, whereby the gap between the energy level at the lower end of a conduction band of the diamond layer 6 and the energy level where electrons are present in the electron supply part 7 is reduced.例文帳に追加

このとき、ダイヤモンド層６の電子親和力は、例えばシリコン層に比べ小さいため、ダイヤモンド層６の伝導帯下端のエネルギー準位と電子供給部７において電子が存在するエネルギー準位とのギャップは小さくなっている。 - 特許庁

By constructing a conduction band energy level of the intermediate layer 40 so as to be higher than that of the cladding layer 10 of the n-type semiconductor, the diffusion of an electron 1 from the cladding layer 10 of the n-type semiconductor to the optical waveguide layer 20 which is a non-doped layer is prevented.例文帳に追加

この中間層４０の伝導帯エネルギー準位を、ｎ型半導体のクラッド層１０よりも高くなるように構成することによって、ｎ型半導体のクラッド層１０からノンドープ層である光導波層２０への電子１の拡散が防止される。 - 特許庁

The device excites electrons with two photons to thereby provide a large polarization even without separating the degeneracy of the energy bands of a heavy electron hole and a light electron hole, and can excite the electrons to a high energy level in a conduction band to thereby dispense with a negative electron affinity for external emission of the electrons from the compound semiconductor.例文帳に追加

この装置によると、２光子で電子が励起されるために重い正孔と軽い正孔のエネルギーバンドの縮退を解かないでも大きな偏極度が得られ、電子を伝導帯内の高いエネルギーレベルにまで励起できるために化合物半導体の外部に電子を放出させるために負の電子親和性を得る必要がない。 - 特許庁