damaged by wetとは 意味・読み方・使い方

Next, only the largely damaged region of the HfSiON film 15 is selectively removed with the wet-etching process by conducting the cleaning process for about 90 seconds using the aqueous solution of hydrofluoric acid in the concentration of about 5%.例文帳に追加

次に、濃度が５％程度のフッ酸水溶液で９０秒程度の洗浄を行うことにより、ＨｆＳｉＯＮ膜１５のうちダメージが大きく与えられた領域のみが選択的にウェットエッチング除去される。 - 特許庁

To provide a nonaqueous hair treating agent which can give wet feeling, softness, and uniform touch even to the hair damaged (injured) by a chemical treatment such as a curly hair correction treatment.例文帳に追加

縮毛矯正処理などの化学的処理などによりダメージ（損傷）を受けた毛髪に対しても、しっとり感、柔軟性および均一な感触を付与することができる非水系毛髪処理剤を提供する。 - 特許庁

Subsequent wet etching removes a damaged layer in an inner wall of the mesa groove 8 caused by the preceding etching and transforms the mesa groove 8 in a region close to a surface of the P-type semiconductor layer 3 so that a width of the mesa groove 8 increases toward the surface of the P-type semiconductor layer 3.例文帳に追加

その後、前記エッチングにより生じたメサ溝８の内壁のダメージ層を、ウェットエッチングにより除去すると共に、Ｐ型半導体層３の表面に近い領域において、Ｐ型半導体層３の表面に近づくに従って幅が大きくなるようにメサ溝８を加工する。 - 特許庁

Wet etching by the mixed liquid of hydrobromic acid and bromine and water within a range of hydrobromic-acid concentration of 0.50±0.25 mol/l and bromine concentration of 0.02±0.01 mol/l is used for removing the damaged layer of a mesa which is formed through dry etching.例文帳に追加

ドライエッチングにより形成したメサの損傷層除去に、臭化水素酸濃度０．５０±０．２５モル／リットル、臭素濃度０．０２±０．０１モル／リットルの範囲の臭化水素酸と臭素と水の混合液によるウェットエッチングを用いる。 - 特許庁

Thereafter, an emitter opening 114 is formed in an insulating layer 112 positioned on the single-crystal structure 111a and the damaged part of the single-crystal structure 111a positioned in the opening 114 is removed by thermally oxidizing the upper part of the structure 111a, and removing an oxide film 115 by wet etching.例文帳に追加

単結晶構造部１１１ａ上に位置する絶縁膜１１２に、エミッタ開口部１１４を形成し、エミッタ開口部１１４内に位置する単結晶構造部１１１ａの上部を熱酸化して酸化膜１１５をウェットエッチングを行なうことによって除去することで単結晶構造部１１１ａのダメージを取り除く。 - 特許庁

To provide a gate formation method of a semiconductor device capable of minimizing tunnel oxide film loss, preventing a semiconductor substrate from being damaged, and improving cell characteristics by removing a nitride film in a wet etching process when performing the gate etching of a SANOS structure where a dielectric film is formed by a high-dielectric substance.例文帳に追加

誘電体膜を高誘電物質で形成したＳＡＮＯＳ構造のゲートエッチングの際、窒化膜をウェットエッチング工程で除去することにより、トンネル酸化膜損失を最小化し、半導体基板の損傷を防止してセル特性を向上させることが可能な半導体素子のゲート形成方法の提供。 - 特許庁