deposit thin layerとは 意味・読み方・使い方

The method includes a dual deposition process wherein the first step is to deposit a very thin layer and dope very heavily by ion implantation.例文帳に追加

この方法は、２つの堆積プロセスで構成され、第１工程では、薄い層を堆積し、イオン注入により激しくドーピングする。 - 特許庁

To control the threshold voltage of a thin film transistor without performing any additional step at the time of causing the silicon layer of the transistor to deposit by a physical vapor growth method.例文帳に追加

薄膜トランジスタのシリコン層を物理的気相成長法によって堆積する際に、追加工程なしに閾値電圧を制御する。 - 特許庁

In this situation, the degree of oxidation of each layer is successively decreased by decreasing the plasma discharge output from the first layer to the uppermost layer step by step when manufacturing each layer to deposit a compound thin film with the gas barrier properties mainly comprising silicon oxides.例文帳に追加

その場合、各層の製膜時にプラズマ放電出力を第１層から最上層にかけて段階的に減少させて各層の酸化度を順次減少させ、酸化珪素を主体とする複層ガスバリア性薄膜を形成する。 - 特許庁

Next, the metal layer is cooled in an inert atmosphere to deposit the carbon that is solid-melted in the metal layer on the surface of the metal layer, so that the thin carbon film 104 made of the graphene is grown on the surface of the metal layer 103.例文帳に追加

次に、不活性な雰囲気で金属層を冷却して金属層に固溶していた炭素を金属層の表面に析出させることで、金属層１０３の表面にグラフェンからなる炭素薄膜１０４を成長させる。 - 特許庁

The forming method of the multi-ply layer for manufacturing the thin film transistor comprises a step for forming a first layer on a transparent substrate employing a first physical deposit method, and another step for continuously forming a second layer on the first layer employing a second physical deposit method without causing any vacuum collapse.例文帳に追加

本発明の方法は、薄膜トランジスタを製造するための多層を形成する方法であって、第１層を第１の物理蒸着法を用いて透明基板の上に形成するステップと、真空破壊されることなく、第２層を第２の物理蒸着法を用いて該第１層の上に連続的に形成するステップとを含む。 - 特許庁

To provide a method of optimizing the supply amount of a raw material precursor to deposit a thin film while highly accurately realizing film thickness control at an atom layer level by an atomic layer deposition (ALD method).例文帳に追加

原子層堆積法（ＡＬＤ法）により原子層レベルでの膜厚制御を高精度に実現しながら薄膜を堆積するために、原料プレカーサの供給量を最適化する方法を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method comprises a process to deposit a thin film 12 on the surface of a base material 11, a process to form an exposing position reference mark 21 having the particular shape on the thin film, a process to form a resist layer 13 on the thin film and exposing position reference mark and a process to execute pattern exposure of the resist layer using an electron beam drawing apparatus.例文帳に追加

基体11の表面に薄膜12を堆積する工程と、薄膜上に特定の形状を有する露光位置参照マーク21を形成する工程と、薄膜及び露光位置参照マーク上にレジスト層13を形成する工程と、レジスト層を電子ビーム描画装置を用いてパターン露光を行う工程とを有する。 - 特許庁

Regarding the method for producing a metal-containing thin film using a ruthenium-containing thin film as a lower layer metal film, an organic ruthenium complex is subjected to a chemical vapor deposition process, so as to produce a ruthenium-containing thin film, and then, an organic metal complex is formed on the ruthenium-containing thin film by a CVD process, so as to deposit a metal-containing thin film.例文帳に追加

本発明の課題は、有機ルテニウム錯体を化学気相蒸着法によりルテニウム含有薄膜を製造させた後、次いで、そのルテニウム含有薄膜の上に、有機金属錯体をＣＶＤ法により金属含有の薄膜を形成させることを特徴とする、ルテニウム含有薄膜を下層金属膜とした金属含有薄膜の製造法によって解決される。 - 特許庁