An n^- drift region 1 is formed in the substrate S.例文帳に追加

ｎ^-ドリフト領域１が基板Ｓ内に形成されている。 - 特許庁

Further, three regions (N^- drift region 12sm, an N^-- drift region 12s and an N drift region 12m) having different density are arranged in an N^- drift region 12.例文帳に追加

さらに，Ｎ^- ドリフト領域１２中に濃度が異なる３つの領域（Ｎ^- ドリフト領域１２ｓｍ，Ｎ^--ドリフト領域１２ｓ，Ｎドリフト領域１２ｍ）を設けることとしている。 - 特許庁

A drain region 15 is formed at a surface layer section of the drift region 12.例文帳に追加

ドリフト領域１２の表層部には、ドレイン領域１５を形成する。 - 特許庁

The drift region 33 includes a high resistance lower drift region 33b, separated from a surface of pn junction with the body region 34.例文帳に追加

ドリフト領域３３は、ボディ領域３４とのｐｎ接合面から離反した領域に高抵抗な下部ドリフト領域３３ｂを含む。 - 特許庁

At least one part of the n-type channel region has a lower concentration than the concentration of the drift region 11, or has a thinner layer than the thickness of the drift region.例文帳に追加

さらにチャネル領域の少なくとも一部の濃度がドリフト領域１１の濃度より低く、あるいは薄いp型層を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes an anode region 6, a cathode region 2, and a drift region 4.例文帳に追加

半導体装置１００は、アノード領域６とカソード領域２とドリフト領域４を備えている。 - 特許庁

An n type shell region 5 is provided between the drift region 1 and the base region 2.例文帳に追加

ｎ型のシェル領域５は、ドリフト領域１とベース領域２の間に設けられている。 - 特許庁

The drift region 19 is separated from the emitter region 8 by the body region 12.例文帳に追加

ドリフト領域１９は、ボディ領域１２によってエミッタ領域８から分離されている。 - 特許庁

The IGBT100 includes an emitter region 8, a body region 12 and a drift region 19.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１００は、エミッタ領域８と、ボディ領域１２と、ドリフト領域１９を備える。 - 特許庁

The n-type region where the p-type anode region 3 is not formed is an n-type drift region 2.例文帳に追加

このｐアノード領域３が形成されないｎ領域がｎドリフト領域２である。 - 特許庁

A body region 11 and a drift region 12 are formed in an active region 9.例文帳に追加

アクティブ領域９には、ボディ領域１１とドリフト領域１２とを形成する。 - 特許庁

In the drift region 4, a plurality of crystal defects are formed at both positions shallower and deeper than an intermediate depth D2 of the drift region 4.例文帳に追加

ドリフト領域４には、ドリフト領域４の中間深さＤ２より浅い位置と深い位置の両者に複数の結晶欠陥が形成されている。 - 特許庁

ION MOBILITY SPECTROMETER PROVIDED WITH IMPROVED DRIFT REGION AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

改良ドリフト領域を備えたイオン移動度分光計とその製造方法 - 特許庁

A silicon substrate 11 forms an N- type drift region.例文帳に追加

シリコン基板１１はＮ^- 型のドリフト領域を形成する。 - 特許庁

The drift region is equipped with a tall, n-doped epitaxial layer.例文帳に追加

ドリフト領域は、高いｎ−ドーピングされたエピタキシャル層を備える。 - 特許庁

The termination trench 161 reaches the drift region 112.例文帳に追加

終端トレンチ１６１は、ドリフト領域１１２に達している。 - 特許庁

This device has an N- drift layer 50 on a N+ region 52.例文帳に追加

この装置は、Ｎ^+領域（５２）上にＮ^-ドリフト層（５０）を有する。 - 特許庁

A semiconductor device includes a substrate 1, a first drift layer 2, a second drift layer 3, a first well region 4a, a second well region 4b, a current control region (JFET region) 15, and an electric field relaxing region (JTE region) 8.例文帳に追加

半導体装置は、基板１と、第１ドリフト層２と、第２ドリフト層３と、第１ウェル領域４ａと、第２ウェル領域４ｂと、電流制御領域（ＪＦＥＴ領域）１５と、電界緩和領域（ＪＴＥ領域）８とを備える。 - 特許庁

The trench 7 penetrates the body region 6 and its bottom reaches the drift region 5.例文帳に追加

トレンチ７は、ボディ領域６を貫通し、その底部がドリフト領域５に達している。 - 特許庁

An n^+-type drain diffusion region 7D is formed at the other side of the drift region 11.例文帳に追加

上記ドリフト領域１１の他方の側方にＮ^＋型ドレイン拡散領域７Ｄを形成する。 - 特許庁

An n^+-type drain diffusion region 7D is formed on the other side of the drift region 11.例文帳に追加

ドリフト領域１１の他方の側方にはＮ^+型ドレイン拡散領域７Ｄを形成する。 - 特許庁

The semiconductor region 44 contains impurities higher in intensity than that of the drift region 26.例文帳に追加

半導体領域４４は、ドリフト領域２６よりも不純物を高濃度に含んでいる。 - 特許庁

Moreover, in the n^- drift region 14a, an n^+ drain region 16 is formed.例文帳に追加

また，Ｎ^- ドリフト領域１４ａ中には，Ｎ^+ ドレイン領域１６が形成されている。 - 特許庁

The n-type drift electric path region 38a is the conductive-type non-inversion region.例文帳に追加

ｎ型のドリフト電路領域３８ａはその導電型非反転領域となっている。 - 特許庁

A p type base region 2 is selectively provided on a surface of an n^- type drift region 1.例文帳に追加

ｎ^-型のドリフト領域１の表面に、ｐ型のベース領域２が選択的に設けられている。 - 特許庁

A carrier attenuation region is formed in a drift region of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置のドリフト領域にはキャリア減衰領域が形成されている。 - 特許庁

A p-type base region 2 is provided on a surface layer of an n^-type drift region 1.例文帳に追加

ｎ^-型のドリフト領域１の表面層に、ｐ型のベース領域２が設けられている。 - 特許庁

A surface layer on a reverse side of the n-type drift region 1 is provided with a p-type collector region 7.例文帳に追加

ｎ型ドリフト領域１の裏面の表面層には、ｐ型コレクタ領域７が設けられている。 - 特許庁

A drift region 105 is secured between the second diffusion region 110 and gate trenches 112.例文帳に追加

第２拡散領域１１０とゲートトレンチ１１２の間には、ドリフト領域１０５が確保されている。 - 特許庁

A p-type base region 2 is provided in a surface layer of an n^- type drift region 1.例文帳に追加

ｎ^-型のドリフト領域１の表面層に、ｐ型のベース領域２が設けられている。 - 特許庁

The diffusion region 14 is of an n-type, and high in impurity concentration relative to the drift region 22.例文帳に追加

拡散領域１４は、ｎ型であり、ドリフト領域２２よりも不純物濃度が高い。 - 特許庁

At a surface layer section of the drift region 11, an N^+-type drain region 14 is formed.例文帳に追加

ドリフト領域１１の表層部には、Ｎ^＋型のドレイン領域１４が形成されている。 - 特許庁

A p-type collector region 103 is formed on a surface part of the n-type drift region 101.例文帳に追加

ｎ型ドリフト領域１０１の表面部にｐ型コレクタ領域１０３が形成されている。 - 特許庁

Since the concentration of the n-type impurity of an n+-type drift region 18b is higher than that of the n-type impurity of n-type drift regions 18a, 12a, and 12b, the resistance of the n+-type drift region 18b is lower than that of the regions.例文帳に追加

ｎ^+型ドリフト領域１８ｂのｎ型不純物濃度は、ｎ型ドリフト領域１８ａ、１２ａ、１２ｂのｎ型不純物濃度より高いので、ｎ^+型ドリフト領域１８ｂの抵抗は、これらの領域の抵抗より低い。 - 特許庁

Along the gate insulation film 42, the drift region 26, the first additional semiconductor region 36, the drift region 26, the body region 32, and the emitter region 34 are arranged sequentially.例文帳に追加

ゲート絶縁膜４２に沿って、ドリフト領域２６、第１付加半導体領域３６、ドリフト領域２６、ボディ領域３２、エミッタ領域３４が順に並んでいる。 - 特許庁

The drift region 1 has such a resistivity that a depletion layer extended from a collector region 10 provided on the rear surface of the n^- type drift region 1 toward the shell region 5 does not reach the shell region 5.例文帳に追加

ドリフト領域１は、ｎ^-型のドリフト領域１の裏面に設けられたコレクタ領域１０からシェル領域５に向かって拡がる空乏層がシェル領域５に到達しない抵抗率を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element, especially a power semiconductor element, with a drift route/drift region having a low on resistance.例文帳に追加

低いオン抵抗を有するドリフト経路／ドリフト領域を有する、半導体素子、特にパワー半導体素子を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 300 is provided with an n^+ source region 31, an n^+ drain region 11, a p^- body region 41 and an n^- drift region 12.例文帳に追加

半導体装置３００は，Ｎ^+ ソース領域３１，Ｎ^+ ドレイン領域１１，Ｐ^- ボディ領域４１およびＮ^- ドリフト領域１２を備えている。 - 特許庁

The semiconductor device 100 comprises an n^+-type source region 31, an n^+-type drain region 11, a p^--type body region 41 and an n^--type drift region 12.例文帳に追加

半導体装置１００は，Ｎ^+ ソース領域３１，Ｎ^+ ドレイン領域１１，Ｐ^- ボディ領域４１およびＮ^- ドリフト領域１２を備えている。 - 特許庁

A base region 13 is formed on the drift region 12 and column region 14, and a source region 15 is formed in a surface layer thereof.例文帳に追加

ドリフト領域１２及びコラム領域１４の上にはベース領域１３が形成され、その表面層にはソース領域１５が形成される。 - 特許庁

It also comprises a column region 4 formed on a region underlying the base region 108 in the drift region 102.例文帳に追加

ドリフト領域１０２内におけるベース領域１０８下方の領域に形成されたコラム領域４を備える。 - 特許庁

In the semiconductor device having parallel p-n layers with n-type drift regions 2 and p-type partition regions 3, the drift region 2 and the partition region 3 being alternately arranged, a second trench 4 into which a gate electrode 7 is to be embedded is formed above the n-type drift region 2 or the p-type partition region 3.例文帳に追加

ｎ型ドリフト領域２とｐ型仕切領域３とを交互に配置した並列ｐｎ層を有する半導体装置において、ｎ型ドリフト領域２またはｐ型仕切領域３の上部に、ゲート電極７を埋め込むための第２トレンチ４が設けられている。 - 特許庁

A semiconductor device comprises an n-type drift region 21, a plurality of p-type base regions 1 formed on a part of the surface of the drift region 21, and a p-type carrier extraction region 2 formed on a part of surface of the drift region 21 among a plurality of base regions 1.例文帳に追加

ｎ型のドリフト領域２１と、ドリフト領域２１の表面の一部に配置された複数のｐ型のベース領域１と、この複数のベース領域１の間のドリフト領域２１の表面の一部に配置されたｐ型のキャリア引き抜き領域２とを有した半導体装置である。 - 特許庁

In the IGBT 10, the distance between the emitter region 26 and the drift region 23 in the one direction is shorter than the distance between the emitter region 26 and the drift region 23 in the vertical direction.例文帳に追加

IGBT１０では、前記一方方向におけるエミッタ領域２６とドリフト領域２３の間の距離が、縦方向におけるエミッタ領域２６とドリフト領域２３の間の距離よりも短いことを特徴としている。 - 特許庁