gan sとは 意味・読み方・使い方

An auxiliary light emitting section F is attached to the GaN- based light emitting element having a laminated structure S composed of GaN- based crystalline layers and an element structure containing a light emitting section F in the structure S.例文帳に追加

ＧａＮ系結晶層からなる積層構造Ｓを有し、該積層構造Ｓに発光部Ｅが含まれた素子構造を有するＧａＮ系発光素子に、副発光部Ｆを付与する。 - 特許庁

In the standard cell S, a p-type and an n-type dummy gate electrodes GAp, GAn which will always be in OFF state are arranged.例文帳に追加

スタンダードセルＳには、常時オフ状態となるＰ型及びＮ型のダミーゲート電極ＧＡｐ、ＧＡｎが配置される。 - 特許庁

A desired growth layer 2 is hard to be grown in crystal using a nitride gallium (GaN) on the striped peculiar area S.例文帳に追加

このストライプ状の特異領域Ｓの上には、窒化ガリウム（ＧａＮ）から形成する目的の成長層２が、非常に結晶成長し難い。 - 特許庁

On a crystal substrate B, a laminated structure S comprising a GaN-based crystal layer is formed across a buffer layer or directly while including a light emission part.例文帳に追加

結晶基板Ｂ上に、バッファ層を介してまたは直接的に、ＧａＮ系結晶層からなる積層構造Ｓを、発光部を含んで形成する。 - 特許庁

Gate length of the respective dummy gate electrodes GAp, GAn is prolonged toward the inside of the standard cell S, exceeding end portions of diffusion areas ODp, ODn.例文帳に追加

この各ダミーゲート電極ＧＡｐ、ＧＡｎのゲート長は、拡散領域ＯＤｐ、ＯＤｎの端部を越えて、スタンダードセルＳの内方に向かって長く延ばされる。 - 特許庁

A photosensitive layer S3 receiving light L1, which is a reception object from an upper part, emitting photoluminescence light L2 and is formed of a GaN material is installed in the stacked matter S.例文帳に追加

積層体Ｓ中には、上方からの受光対象光Ｌ１を受けてフォトルミネセンス光Ｌ２を発するＧａＮ系材料からなる光感応層Ｓ３を設ける。 - 特許庁

A stacked matter S, which contains a p-n junction structure via a buffer layer 2 (or directly) and is formed of a GaN material is grown on a crystal substrate 1, and a light reception element is obtained.例文帳に追加

結晶基板１上に、バッファ層２を介して（または直接的に）ｐｎ接合構造を含みＧａＮ系材料からなる積層体Ｓを成長させて受光素子とする。 - 特許庁