gas flow sputteringとは 意味・読み方・使い方

When the sputtering gas is introduced, the ratio of a flow rate of a reactive gas introduced through the first sputtering gas introduction pipe 2a with respect to the total sputtering gas is controlled higher than that introduced through the second sputtering gas introduction pipe 2b.例文帳に追加

第１のスパッタガス導入管２ａから導入するスパッタガス全体に占める反応性ガスの流量の割合を、第２のスパッタガス導入管２ｂから導入するスパッタガス全体に占める反応性ガスの流量の割合よりも多くしてスパッタガスを導入する。 - 特許庁

Thereby, a thin film is formed on the surface of the flexible substrate by the gas-flow sputtering technique.例文帳に追加

これにより、フレキシブル基板の表面にガスフロースパッタリング法により薄膜が形成される。 - 特許庁

The photocatalyst thin film of titanium oxide is preferably produced by film forming of a gas-flow sputtering.例文帳に追加

この光触媒酸化チタン薄膜は、ガスフロースパッタリングにより成膜されることが好ましい。 - 特許庁

During the scan film deposition, using two kinds of gases with different sputtering rates as sputtering gases, the gas flow rates of the two gases are controlled by first and second mass flow controllers 4a, 4b, respectively.例文帳に追加

このスキャン成膜中に、スパッタガスとしてスパッタレートの異なる２種類のガスを用いて、２つのガスのガス流量を第１、第２のマスフローコントローラ４ａ、４ｂによってそれぞれ制御する。 - 特許庁

Then, the flow rate ratio of nitrogen gas to argon gas is raised, and the same sputtering process is carried out, by which a titanium nitride film 4 is formed.例文帳に追加

次に、アルゴンガスに対する窒素ガスの流量比を上げて同様のスパッタリングを行うことにより、窒化チタン膜４を形成する。 - 特許庁

At least a portion of a sputtering gas after sputtering is exhausted at the upstream of a cluster discharge opening of a cluster production chamber against a gas flow so that the amount of the sputtering gas contained in a gas exhausted from the discharge opening becomes less than the amount introduced into the cluster production chamber.例文帳に追加

スパッタリング後のスパッタガスの少なくとも一部を、クラスター生成室のクラスター取出口よりもガス流に対して上流側で排出することにより、該取出口から排出されるガス中に含まれるスパッタガスの量を、クラスター生成室に導入した量より少なくする。 - 特許庁

To provide a film-forming method by gas-flow sputtering, which can employ a target made from a nonconductive material, and to provide an apparatus therefor.例文帳に追加

、非導電性材料製ターゲットをも適用し得るガスフロースパッタリング成膜方法及び装置を提供する。 - 特許庁

The scan film deposition is carried out while the gas flow rate of the first gas with a low sputtering rate is always increased, and the gas flow rate of the second gas with a high sputtering rate is always reduced correspondingly to the secular change of the target shape caused by the erosion of the target 5, thus a film thickness change is prevented.例文帳に追加

ターゲット５のエロージョンに起因するターゲット形状の経時変化に対応させて、スパッタレートの小さい第１のガスのガス流量を常に増加させ、スパッタレートの大きい第２のガスのガス流量を常に減少させながらスキャン成膜を行うことで、膜厚変化を防ぐ。 - 特許庁