gate channel couplingとは 意味・読み方・使い方

To provide a field effect transistor structure which has a reduction in the overlap capacitance between a gate electrode and source/drain regions and in the resistance of a channel coupling that is set by a manufacturing process.例文帳に追加

ゲート電極とソース／ドレイン領域の間のオーバラップ容量を低減し製造プロセスにより設定されるチャネル連結部の抵抗も低減した電界効果トランジスタ構造を提供する。 - 特許庁

In an organic transistor element, a channel of an organic semiconductor coupling a source electrode and a drain electrode intersects a gate electrode coated with an insulation layer through the insulation layer wherein the gate electrode coated with the insulation layer is stringy.例文帳に追加

ソース電極とドレイン電極を連結する有機半導体からなるチャネルが、絶縁層で被覆されたゲート電極と、前記絶縁層を介して交差してなり、且つ前記絶縁層で被覆されたゲート電極が糸状である有機トランジスタ素子。 - 特許庁

A second gate 20, whose potential is fixed in order to control the potential of the silicon layer 12 by capacity coupling, is provided, in addition to a first gate 13 for forming a channel arranged between a source 15 and a drain 14.例文帳に追加

ＭＩＳトランジスタのソース１５、ドレイン１４間に配置されたチャネル形成のための第１のゲート１３とは別に、シリコン層１２の電位を容量結合により制御するための電位固定された第２のゲート２０が設けられる。 - 特許庁

In addition to a first gate 13 for channel formation which is provided between a source 15 and a drain 14 of the MIS transistor, a second gate 20 is provided whose electric potential is fixed for controlling the electric potential of the silicon layer 12 by capacity coupling.例文帳に追加

ＭＩＳトランジスタのソース１５、ドレイン１４間に配置されたチャネル形成のための第１のゲート１３とは別に、シリコン層１２の電位を容量結合により制御するための電位固定された第２のゲート２０が設けられる。 - 特許庁

In a DRAM chip Chip, sense amplifier cross coupling parts CC use p^+ gate PMOS parts Qp0, Qp1 of a p^+ polysilicon gate, having low impurity concentration in a channel and n^+ gate NMOS parts Qn0, Qn1 of an n^+ polysilicon gate, and the PMOS has a high substrate voltage and the NMOS has a low substrate voltage.例文帳に追加

ＤＲＡＭチップＣｈｉｐにおいて、センスアンプクロスカップル部分ＣＣにチャネル中の不純物濃度の低いＰ^+ポリシリコンゲートのＰ^+ゲートＰＭＯＳＱｐ０，Ｑｐ１とＮ^+ポリシリコンゲートのＮ^+ゲートＮＭＯＳＱｎ０，Ｑｎ１を用い、さらにＰＭＯＳの基板電圧を高く、ＮＭＯＳの基板電圧を低くする。 - 特許庁

The difference of the threshold voltage Vth occurs only by the difference of the coupling coefficient CC, so that the difference of the threshold voltage Vth can be kept constant even the channel dope, the thickness of the oxidized gate films, or the film thickness of the poly/poly layer film 6 fluctuate.例文帳に追加

２つのＭＯＳトランジスタＱ２，Ｑ３のしきい値電圧Ｖthの差はカップリング係数ＣＣの違いによってのみ生じるため、チャネルドープやゲート酸化膜厚、あるいはポリ/ポリ層間膜６の膜厚がばらついてもしきい値電圧Ｖthの差は一定に保たれる。 - 特許庁

An introduction amount of As within the N-type impurity into the N-type extension region 113 is set in a range below a critical point where an abnormal short channel effect caused by coupling of the As to elements in the high-permittivity gate insulating film 110 is substantially suppressed.例文帳に追加

Ｎ型イクステンション領域１１３に対するＮ型不純物のうちのＡｓの導入量を、当該Ａｓと高誘電率ゲート絶縁膜１１０中の元素との結合によって生じる異常な短チャネル効果が実質的に抑制される臨界点以下である範囲に設定する。 - 特許庁

Thereafter, in a period from when a mechanical shutter is closed to terminate light exposure to when a signal is read from the pixel, an electrical potential of an FD part is reduced, and a potential of a channel under a gate of a transmission transistor 22 is shallowed by capacitance coupling of a parasitic capacitance C at the time.例文帳に追加

その後、メカニカルシャッタが閉じて露光が終了してから画素から信号を読み出すまでの期間では、ＦＤ部の電位を下げ、そのときの寄生容量Ｃによる容量結合によって転送トランジスタ２２のゲート下のチャネルのポテンシャルを浅くする。 - 特許庁