ground amplificationとは 意味・読み方・使い方

The emitter terminal of the amplification transistor is connected through a feedback resistor RE to the ground GND as a second power source.例文帳に追加

増幅トランジスタのエミッタ端子は，帰還抵抗ＲＥを介して第２の電源としてのグランドＧＮＤに接続されている。 - 特許庁

To provide a signal amplification circuit that does not amplify a noise even when the noise is superimposed on a signal ground potential.例文帳に追加

シグナルグランド電位にノイズが重畳された場合でも、このノイズを増幅しない信号増幅回路を提供する。 - 特許庁

Regular fine shakes are observed at the respective points (s3) and a Vi value as the index of amplification characteristics of a maximum ground surface speed at the time of a large shake is calculated (s4).例文帳に追加

各地点で常時微動を観測し（ｓ３）、強震時の地表面最大速度の増幅特性の指標であるＶｉ値を算出する（ｓ４）。 - 特許庁

Based on the amplification characteristics of the ground of the arbitrary estimation position 15, the conversion to the level of the earthquake movement on the earth's surface is made.例文帳に追加

任意の推定位置１５の地盤の増幅特性に基づいて、地表面での地震動の大きさに換算する。 - 特許庁

The branching filter 30 supplies the signal to a ground wave amplification terminal 3 of a distributor or to a CATV extension terminal 5 at a level of n-1/n of the input signal.例文帳に追加

分岐器３０は、分配装置の地上波増設端子３あるいはＣＡＴＶ増設端子５に入力のｎ−１／ｎのレベルで供給する。 - 特許庁

The first virtual ground A is supplied to a transmission circuit 41, an exciting circuit 42, a phase-inverting circuit 43, an differential amplification circuit 44, and a filtering circuit 45; and the second virtual ground B is supplied to a switching rectifier circuit 71.例文帳に追加

第１仮想グランドＡを、発信回路４１、励磁回路４２、位相反転回路４３、作動増幅回路４４、フィルタ回路４５に供給し、第２仮想グランドＢをスイッチング整流回路７１に供給する。 - 特許庁

The Vi value obtained through the regular fine shake observation is corrected by experience, and the SI value on the ground surface is estimated from the corrected Vi value which is so corrected as to show the amplification characteristics of the maximum ground surface speed corresponding to the SI value.例文帳に追加

常時微動観測から得られるＶｉ値を経験に基づいて補正し、ＳＩ値に対応する地表面最大速度の増幅特性を表すように補正した補正Ｖｉ値から、地表面でのＳＩ値を推定する（ｓ７）。 - 特許庁

The second ground connection pattern is connected to only a reverse-surface ground pattern 40 of the high-frequency module through a via hole, and connected to neither an internal layer ground 55 connected to a semiconductor element 24 for power amplification nor an internal layer ground 57 connected to duplexers 4a and 4b before being connected to the reverse-surface ground pattern 40.例文帳に追加

前記第２のグランド接続パターンは、高周波モジュール２２の裏面グランドパターン４０にのみビアを介して接続されており、裏面グランドパターン４０に接続されるまで、電力増幅用半導体素子２４と接続される内層グランド５５やデュプレクサ４ａ、４ｂと接続される内層グランド５７とは接続されないことを特徴とするものである。 - 特許庁