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half value thicknessとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 半価層; 半減厚
「half value thickness」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 13件
This method includes: repeatedly recording an isolated wave signal in a recording medium by a predetermined method; simultaneously detecting the half value width and the peak value of this isolated wave signal; and calculating a magnetic layer film thickness and magnetic layer film thickness fluctuation from the data stream of a half value width and the peak value.例文帳に追加
記録媒体に所定の方法で繰り返し孤立波信号を記録、この孤立波信号の反値幅とピーク値を同時に検出し、半値幅とピーク値のデータ列から磁性層膜厚、及び磁性層膜厚変動を算出する記録媒体の評価方法による。 - 特許庁
It is determined whether or not the remained thickness of the half-cutting is in a proper range making a measurement value of the maximum folding force as evaluation reference utilizing that strong correlation is present between the remained thickness of the half-cutting and the measured maximum folding force.例文帳に追加
ハーフカットの残厚と測定された最大折り力との間に強い相関関係があることを利用し、最大折り力の測定値を評価基準にしてハーフカットの残厚が適正範囲であるか否かを判定する。 - 特許庁
Therefore, a diamond thin film is obtained which film has a modified film thickness range in which a half value width of a diamond spectrum evaluated by a Raman spectroscopy of 0.1 μm or more along the direction of a film thickness of the diamond thin film is approximately constant, and the half value width is 85% or less of the maximum half value width of a film thickness remainder.例文帳に追加
ダイヤモンド薄膜の膜厚方向に沿って、0.1μm以上のラマン分光法で評価したダイヤモンドスペクトルの半価幅がほぼ一定である改質された膜厚み領域を有し、その半価幅は膜厚み残部の同最大半価幅の85%以下であるダイヤモンド薄膜が得られる。 - 特許庁
A thickness measurement means 6 measures the thickness of a semiconductor wafer 26 to be marked, and a depth calculation means 38 calculates the target depth of a marking dot before grinding of the semiconductor wafer by adding the target depth of the marking dot after grinding of the semiconductor wafer to a value derived by a half of the difference in the thickness of the semiconductor wafer 26 measured by the thickness measurement means 6 and a reference thickness.例文帳に追加
厚さ測定手段6が、マーキングを行うべき半導体ウェハー26の厚さを測定し、深さ算出手段38は、厚さ測定手段6が測定した半導体ウェハー26の厚さから基準厚を差し引き2で割った値に、半導体ウェハー研磨後の目標とするマーキングドットの深さを加算して、半導体ウェハー研磨前の目標とするマーキングドットの深さを算出する。 - 特許庁
Because the thickness of the half-wave plate 632 is set to the value above described, the conversion efficiency of three-color polarization on the half-wave plate 632 when the polarization conversion element is disposed in the incident light correspondence state can be set to be ≥0.8 and the polarization conversion element having practicality can be provided.例文帳に追加
1/2波長板632の板厚を上記の値に設定しているので、偏光変換素子を入射光対応状態で設置したときの1/2波長板632での三色偏光変換効率を0.8以上にすることができ、実用性を有する偏光変換素子を提供できる。 - 特許庁
Also, when the amorphous silicon thin film with a thickness of 200 nm or more is to be crystallized, the half value width of a laser pulse is applied for 100 ns or longer.例文帳に追加
また、200nm以上の膜厚の非晶質シリコン薄膜を結晶化に関してはレーザーパルスの半値幅を100ns以上で照射することで実現している。 - 特許庁
The piezoelectric thin film 16 is an aluminum nitride thin film with a thickness of 0.5-3.0 μm which shows c-axis orienting and in which locking curve half value width (FWHM) of (0002) diffraction peak is at most 3.0°.例文帳に追加
圧電体薄膜16は、c軸配向を示す厚さ0.5〜3.0μmの窒化アルミニウム薄膜であって、(0002)回折ピークのロッキング・カーブ半値幅(FWHM)が3.0゜以下である。 - 特許庁
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「half value thickness」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 13件
The semiconductor device is equipped with a substrate (11), and a dielectric thin film (12) which is epitaxially formed on the substrate (11) and has a rocking curve half-value width of 1° or below, and 0.7 to 10.0 nm in thickness.例文帳に追加
基板(11)と、前記基板上にエピタキシャル成膜されたロッキングカーブ半値幅が1度以内で膜厚が0.7nm以上10.0nm以下の誘電体薄膜(12)とを具備する半導体装置である。 - 特許庁
Its thickness (d) is determined by satisfying a prescribed relation with the refractive index (n) of the material of the defect layer, to obtain a transmissivity spectral half-value width Wt, with which ample extinction ratio can be obtained, even if the half-value width is about 1 nm for spectrum when an LD is an incident light.例文帳に追加
欠陥層3としてPLZTの焼結材を用い、研磨することによって、欠陥層3を薄膜化し、その厚さdを欠陥層の材料の屈折率nとの関係で所定の式を満足させることにより、LDを入射光として用いた場合のスペクトルの半値幅が1nm程度の大きさがあっても、十分な消光比が取れるだけの透過率スペクトル半値幅Wtを得ることができる。 - 特許庁
A layer of a nitride of group III elements containing at least Al having ≤1×10^11/cm^2 dislocation density and ≤200 sec half value width of an X-ray rocking curve in a (002) plane is formed on a base material having ≥600 μm thickness to form the epitaxial substrate.例文帳に追加
厚さが600μm以上の基材上に、転位密度が1×10^11/cm^2以下であり、(002)面におけるX線ロッキングカーブ半値幅が200秒以下であり、少なくともAlを含むIII族窒化物層を形成してエピタキシャル基板を作製する。 - 特許庁
To provide a method of measuring a dielectric constant by suppressing deterioration of a non-load Q value in particular, even when thickness is 50 μm or less by measuring the dielectric constant of a dielectric thin layer arranging a conductor on upper and lower faces at high precision and to provide a both-end open type half wavelength resonator.例文帳に追加
上下面に導体が配置された誘電体薄層の誘電定数を高い精度で測定でき、特に厚さが50μm以下となっても無負荷Q値の低下を抑制する誘電定数測定方法および両端開放形半波長共振器を提供することを目的とする。 - 特許庁
By utilizing surface Plasmon resonance generated on a metal nano thin film periodic structure surface and an integrated structure for which the semiconductor nanoparticles are confined in a polymer ultrathin film whose thickness is controlled at a nanometer level, the emission spectrum is narrowed to be equal to or less than a half-value width 6 nm, and an emission behavior without a threshold to input light is obtained.例文帳に追加
金属ナノ薄膜周期構造表面に発生する表面プラズモン共鳴と、ナノメートルレベルで厚み制御された高分子超薄膜中に半導体ナノ粒子を閉じ込めた集積構造とを利用することで、半値幅6nm以下の発光スペクトル挟帯化、および入力光に対ししきい値のない発光挙動を得ることができる。 - 特許庁
A developer scattering preventing member coming into contact with a developer layer on a developer carrier whose layer thickness is regulated is arranged so that the edge of the free end may not come into contact with the rising range of a magnetic brush by a developing main pole while the free end comes into contact with an image carrier, and the half value width of the developing main pole is set to ≤30°.例文帳に追加
層厚規制された現像剤担持体上の現像剤層に接する現像剤飛散防止部材が、その自由端は像担持体に接しながら、自由端の先端は現像主極による磁気ブラシの立上がり範囲に接触しないように配置されており、現像主極の半値幅が30°以下に設定される。 - 特許庁
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