interface state densityとは 意味・読み方・使い方

To provide a method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device improved in reliability of a gate oxide film, and reduced in an interface state density.例文帳に追加

ゲート酸化膜の信頼性の向上と界面準位密度を低減するための、炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a thin metal oxide film by which the thin metal oxide film can be formed with a low interface state density.例文帳に追加

界面準位密度が低い金属酸化物薄膜を成膜することができる金属酸化物薄膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁

Thus, the gate oxide film is made even, the interface state density at the interface of the gate oxide film and epitaxial layer can be reduced, and the excellent MOSFET with channel resistance reduced can be achieved.例文帳に追加

したがって、ゲート酸化膜が均一で、且つゲート酸化膜とエピタキシャル層の界面における界面準位密度を低減でき、チャネル抵抗が低減された優れたＭＯＳＦＥＴが実現できる。 - 特許庁

Further, annealing processing is carried out to form an interface bond state in which the Ga-N bond is dominant in a nitriding layer 5, thereby the interface level density can be made to be much lower.例文帳に追加

また、アニール処理することにより、窒化処理層５においてＧａ−Ｎ結合が支配的となった界面結合状態を形成し、界面準位密度を一段と低減させることができる。 - 特許庁

To provide a simple method by which a semiconductor light emitting element for which the interface state density at its end face can be suppressed stably over a long period.例文帳に追加

端面での界面準位密度を長期間にわたって安定に抑制することができる半導体発光素子を簡便な方法で製造すること。 - 特許庁

To readily and in approximation compute interface state density on the interface of an SOI(silicon-on-insulator) thin-film and an insulating layer, in an SOI substrate, even when impurity concentration in the SOI thin-film cannot be obtained accurately.例文帳に追加

ＳＯＩ薄膜中の不純物濃度が正確に求められない場合にも、ＳＯＩ基板のＳＯＩ薄膜と絶縁層との界面における界面準位密度を簡便にかつ近似的に算出する。 - 特許庁

Since this treatment allows the interface state density at the interface between the silicon carbide layer 12 and the gate insulating film to be lowered, the electron mobility in an off-cut direction A is higher than that in a vertical direction to the off-cut direction A.例文帳に追加

これにより、炭化珪素層１２とゲート絶縁膜の界面において界面準位密度が低下するため、オフカット方向Ａに垂直な方向よりもオフカット方向Ａのほうが電子移動度が高くなる。 - 特許庁

An interface state density caused by dangling bonds is a little on the interface between the silicon carbide epitaxial layer 3 and the gate insulating films 5a and 5b, so that the silicon carbide semiconductor apparatus 1 can be improved in a driving force.例文帳に追加

また、炭化珪素エピタキシャル層３とゲート絶縁膜５ａ，５ｂの界面には、未結合手に起因する界面準位が少ないので、炭化珪素半導体装置１の駆動力を向上させることができる。 - 特許庁