「interface state density」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device for reducing interface state density and suppressed in characteristic fluctuation and leakage current, and its manufacturing method.例文帳に追加

界面準位を低減し、特性変動及びリーク電流の少ない半導体製造装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor which is capable of effectively reducing the state density of the interface between a sapphire substrate and a nitride semiconductor.例文帳に追加

サファイアと窒化物半導体の間の界面準位を有効に低減させる窒化物半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device improved in reliability of a gate oxide film, and reduced in an interface state density.例文帳に追加

ゲート酸化膜の信頼性の向上と界面準位密度を低減するための、炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a thin metal oxide film by which the thin metal oxide film can be formed with a low interface state density.例文帳に追加

界面準位密度が低い金属酸化物薄膜を成膜することができる金属酸化物薄膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁

Thus, the gate oxide film is made even, the interface state density at the interface of the gate oxide film and epitaxial layer can be reduced, and the excellent MOSFET with channel resistance reduced can be achieved.例文帳に追加

したがって、ゲート酸化膜が均一で、且つゲート酸化膜とエピタキシャル層の界面における界面準位密度を低減でき、チャネル抵抗が低減された優れたＭＯＳＦＥＴが実現できる。 - 特許庁

Further, annealing processing is carried out to form an interface bond state in which the Ga-N bond is dominant in a nitriding layer 5, thereby the interface level density can be made to be much lower.例文帳に追加

また、アニール処理することにより、窒化処理層５においてＧａ−Ｎ結合が支配的となった界面結合状態を形成し、界面準位密度を一段と低減させることができる。 - 特許庁

To provide a simple method by which a semiconductor light emitting element for which the interface state density at its end face can be suppressed stably over a long period.例文帳に追加

端面での界面準位密度を長期間にわたって安定に抑制することができる半導体発光素子を簡便な方法で製造すること。 - 特許庁

To readily and in approximation compute interface state density on the interface of an SOI(silicon-on-insulator) thin-film and an insulating layer, in an SOI substrate, even when impurity concentration in the SOI thin-film cannot be obtained accurately.例文帳に追加

ＳＯＩ薄膜中の不純物濃度が正確に求められない場合にも、ＳＯＩ基板のＳＯＩ薄膜と絶縁層との界面における界面準位密度を簡便にかつ近似的に算出する。 - 特許庁

Since this treatment allows the interface state density at the interface between the silicon carbide layer 12 and the gate insulating film to be lowered, the electron mobility in an off-cut direction A is higher than that in a vertical direction to the off-cut direction A.例文帳に追加

これにより、炭化珪素層１２とゲート絶縁膜の界面において界面準位密度が低下するため、オフカット方向Ａに垂直な方向よりもオフカット方向Ａのほうが電子移動度が高くなる。 - 特許庁

An interface state density caused by dangling bonds is a little on the interface between the silicon carbide epitaxial layer 3 and the gate insulating films 5a and 5b, so that the silicon carbide semiconductor apparatus 1 can be improved in a driving force.例文帳に追加

また、炭化珪素エピタキシャル層３とゲート絶縁膜５ａ，５ｂの界面には、未結合手に起因する界面準位が少ないので、炭化珪素半導体装置１の駆動力を向上させることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which can efficiently reduce interface state density at an interface between a substrate and a gate insulation film while inhibiting characteristic deterioration in a constituent material of the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の構成材料の特性劣化を抑制しつつ、基板とゲート絶縁膜との界面の界面準位密度を効率的に低減することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Accordingly, mobility of a carrier can be improved by reducing interface state density, and the characteristic of the semiconductor device can be sufficiently improved.例文帳に追加

したがって、界面準位の密度を減少することによりキャリアの移動度を向上することができ、半導体装置の特性を十分に向上することができる。 - 特許庁

However, the zirconium oxynitride silicon gate dielectric may be designed so as to have advantages in the silicon dioxide, such as high insulation breakdown characteristics, a low interface state density and high stability.例文帳に追加

しかし、オキシ窒化ジルコニウム・シリコン・ゲート誘電体は、二酸化シリコンの利点、例えば高い絶縁降伏特性、低い界面状態密度及び高い安定性を持つように設計することも出来る。 - 特許庁

Thus, constituent atoms constituting the carrier injection layer can be prevented from separating off the surface of the carrier injection layer and the density of interface state of an interface between the carrier injection layer and the surface protective film can be reduced.例文帳に追加

このことによって、キャリア注入層の表面からキャリア注入層を構成する構成原子が脱離すること及び酸化や汚染に起因する、キャリア注入層と表面保護膜との界面に形成される界面準位の密度を低減できる。 - 特許庁

A MOS interface of low interface state density is formed through an oxygen radical treatment, and an insulating film is consecutively formed through the deposition of SiO in an oxygen radical atmosphere, causing less damage in a series of processes, and the above processes are applied to a substrate of large area by the use of a substrate scanning-type device.例文帳に追加

酸素ラジカル処理により低界面順位密度のＭＯＳ界面を形成し、更に低ダメージなＳｉＯ蒸着による絶縁膜形成を酸素ラジカル雰囲気中で連続しておこなう一連のプロセスを、基板走査型の装置により大面積基板に適用可能ならしめる。 - 特許庁

To suppress an occurrence of a crystal defect, an interface state density or the like at a main surface side of a semiconductor substrate in a method for manufacturing an element isolation in a semiconductor memory or a semiconductor arithmetic processing unit.例文帳に追加

本発明は半導体記憶装置や半導体演算処理装置における素子分離の製造方法に関し、半導体基板の主表面側における結晶欠陥や界面準位等の発生を抑制することを目的とする。 - 特許庁

To eliminate an S/S density step difference even when dimmer is insufficient by changing a threshold value of detecting a buffer full state depending on an amount of read data, a type of an interface, and a communication speed or the like so as to make a stop time by the S/S constant.例文帳に追加

読み込むデータ量、インターフェイス種類、通信速度等によりバッファフルを検出するしきい値を変え、Ｓ／Ｓで停止している時間を一定に保つことで調光が不十分であったとしてもＳ／Ｓ濃度段差を出さない。 - 特許庁

To provide a method and device for testing a semiconductor device capable of evaluating an exact interface state density and its energy distribution of the semiconductor device having an insulating film permitting the tunnel current to easily flow.例文帳に追加

トンネル電流が流れやすい絶縁膜を有する半導体装置について正確な界面準位密度及びそのエネルギー分布を評価することを可能とする半導体装置の試験方法及び試験装置を提供することを提供する。 - 特許庁

By using a completely new insulating film called this phosphorus nitride film, an insulating film can be formed which has low tension/low interface state density as compared with the conventional insulating film, and high reliability process suitable for compound semiconductor can be constituted.例文帳に追加

この窒化リン膜という全く新奇な絶縁膜を用いることにより、従来の絶縁膜に比して、低応力・低界面準位密度の絶縁膜の形成を可能とし、化合物半導体に適した高信頼性プロセスを構築することが可能となる。 - 特許庁

The thin-film transistor is an MOS type thin-film transistor formed on an insulating substrate, wherein the interface state density of the gate insulating film of silicon oxide composing the thin-film transistor is 2×10^11/cm^2 eV or lower, and the insulating substrate is a plastic substrate.例文帳に追加

また、本発明の薄膜トランジスタは、絶縁基板上に形成されたＭＯＳ型の薄膜トランジスタであって、その薄膜トランジスタを構成する酸化シリコンからなるゲート絶縁膜の界面準位密度が２×１０^１１／ｃｍ^２ｅＶ以下であり、絶縁基板がプラスチック基板である。 - 特許庁

By this setup, an SiO2 insulating film forming region which serves as a source to generate hydrogen that produces a surface potential level is reduced to an irreducible minimum, atomic hydrogen is less generated even in a radiation environment, and an interface state density is restrained from being generated, so that a semiconductor device of this constitution can be prevented from deteriorating in characteristics.例文帳に追加

これにより界面準位を生成する水素の発生源となるSiＯ_2 絶縁膜の形成領域を必要最低限の領域のみとし、放射線環境下でも原子状水素の発生を低減し、界面準位の生成を抑制して特性劣化を防止する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device in which interface state mass density can be inhibited at a low value by forming a first gate insulating film by a plasma oxidation and excellent device characteristics having a quick stable response time can be obtained.例文帳に追加

本発明は、第１ゲート絶縁膜の形成をプラズマ酸化によって行うことにより、界面準位密度を低く抑えることができ、応答時間が早く安定した良好なデバイス特性を得ることができる半導体装置の製造方法を提供を提供することを課題とする。 - 特許庁

In this case, by setting the power density of laser beams to approximately 280 mJ/cm^2, an altered layer 11a modified to a gallium-rich state is formed near the interface, where the composition of gallium in the gallium nitride for composing the first contact layer 51 is larger than its stoichiometry ratio.例文帳に追加

このとき、レーザ光のパワー密度を約２８０ｍＪ／ｃｍ^２に設定することにより、第１コンタクト層５１を構成する窒化ガリウムにおけるガリウムの組成がその化学量論比と比べて大きい、ガリウムリッチな状態に変質した変質層１１ａが界面近傍に形成する。 - 特許庁

To reduce the thickness of a silicon oxynitride film used for the gate insulating film of a CMOS transistor or the tunnel oxide film or a flash memory, and in addition, to improve the reliability of the film, by making the stress resistance of the film secured, while increase in interface state density, the deterioration in carrier mobility, etc., are suppressed.例文帳に追加

絶縁膜に関し、ＣＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜やフラッシュ・メモリのトンネル酸化膜などに用いるシリコン酸窒化膜を薄膜化し、しかも、界面準位密度の増加やキャリヤ易動度の劣化などを抑制しつつストレス耐性を確保できるようにして信頼性を向上させる。 - 特許庁

Then, the power density of the laser beam is set at some 280 mJ/cm^2, and thus, an altered layer 11a which is altered into a gallium-rich state in which a gallium in the gallium nitride constituting a first contact layer 51 has a composition larger than that in a stoichiometric ratio thereof is formed in the vicinity of the interface.例文帳に追加

このとき、レーザ光のパワー密度を約２８０ｍＪ／ｃｍ^２ に設定することにより、第１コンタクト層５１を構成する窒化ガリウムにおけるガリウムの組成がその化学量論比と比べて大きい、ガリウムリッチな状態に変質した変質層１１ａが界面近傍に形成する。 - 特許庁

In the method of testing the semiconductor device to determine an interface state density of a MIS transistor formed on a semiconductor substrate 1 by using the charge pumping method, first, a value of a first current made to flow to the semiconductor substrate by applying a first measurement signal composed of continuous pulse waves to a gate of the MIS transistor is measured.例文帳に追加

チャージポンピング法を用いて、半導体基板上に形成されたＭＩＳ型トランジスタの界面準位密度を求める半導体装置の評価方法において、まず、パルス波が連続してなる第１の測定信号をＭＩＳ型トランジスタのゲートに印加して前記半導体基板に流れる第１の電流値を測定する。 - 特許庁

The use of silicon oxide containing excessive oxygen can release oxygen from the insulation layer and decrease oxygen defects in the oxide semiconductor layer and interface state density between the base insulation layer or the protective insulation layer and the oxide semiconductor layer; thus, a semiconductor device with less variation in electrical characteristics and high reliability can be manufactured.例文帳に追加

酸素が過剰な酸化シリコンを用いることにより、絶縁層から酸素が放出され、酸化物半導体層中の酸素欠損及び下地絶縁層もしくは保護絶縁層と酸化物半導体層の界面準位密度を低減することができ、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 - 特許庁