isolation fieldとは 意味・読み方・使い方

Field shield isolation region including a field shield gate 44 is formed for separating elements on a SOI substrate 10.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１０上に、フィールドシールドゲート４４を含むフィールドシールド分離領域が素子分離のために形成される。 - 特許庁

A field insulating film 75 for isolation is formed so that the field insulating film may surround the impurity regions 71a and 71b.例文帳に追加

不純物領域７１ａおよび７１ｂを取囲むように、素子分離用のフィールド絶縁膜７５が形成される。 - 特許庁

Furthermore, a memory device having an isolation collar 400 and a capacitor is provided, and when a field effect switch is at an off-state, a depletion region is superposed on the isolation collar 400, and the depletion region will not be superposed on the isolation collar, when the field effect switch is at an on-state.例文帳に追加

さらに、分離カラー４００およびキャパシタを有する記憶デバイスを備え、電界効果スイッチがオフ状態であるとき、空乏領域は分離カラーに重なり、電界効果スイッチがオン状態であるとき、空乏領域は分離カラーに重ならない。 - 特許庁

An element isolation section includes the element isolating film formed on two regions and made of a silicon oxide film formed on a surface of a silicon substrate, and a field channel isolation layer formed between element isolation films, formed on the two regions and made of a reverse conductivity type layer to the conductivity type of an active element.例文帳に追加

素子分離部が、２つの領域に形成され、シリコン基板表面に形成されたシリコン酸化膜より成る素子分離膜と、２つの領域に形成された素子分離膜間に形成され、前記能動素子の導電型とは逆の導電型層から成るフィールドチャネル分離層よりなる。 - 特許庁

To prevent deterioration in overcurrent protecting power even in the case where a shallow trench isolation(STI) structure is used as a field isolation structure.例文帳に追加

フィールド分離構造としてシャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）構造を適用した場合においても、過電流保護能力が低下しないようにする。 - 特許庁

Consequently, an electric charge 220 is not allowed to build up in the upper isolation layer but rather bleeds from the field shield into the lower isolation layer and into the substrate below.例文帳に追加

その結果、電荷は、上側絶縁分離層内に蓄積されるのではなく、フィールド・シールドから下側絶縁分離層内へ、そしてその下の基板内に流れ込む。 - 特許庁

The electric field intensity of the insulating film 44a is thus decreased to prevent the drop in breakdown voltage of the high-breakdown-voltage NMOSFET 20, the breakage of the inter-layer insulating film 5, and the isolation breakdown voltage deterioration of the element isolation groove (trench 4a).例文帳に追加

絶縁膜４４ａの電界強度を低下させることで、高耐圧ＮＭＯＳＦＥＴ２０の耐圧低下や層間絶縁膜５の破壊および素子分離溝（トレンチ４ａ）の分離耐圧劣化を防止できる。 - 特許庁

Element isolation between a cell region R1 and a diode forming region R2 is performed by a PN isolation portion composed of a p-type region 9b and an n-type region 8b disposed on an electric field relaxation region R3.例文帳に追加

電界緩和領域Ｒ３に備えたｐ型領域９ｂとｎ型領域８ｂとにより構成されるＰＮ分離部により、セル領域Ｒ１とダイオード形成領域Ｒ２の間の素子分離を行う。 - 特許庁