isolation technologyとは 意味・読み方・使い方

More specifically, limitation of photolithographic technology is solved to enhance the switching rate and frequency response of an FET by decreasing the isolation distance between the drain electrode and the source electrode thereby decreasing the channel width.例文帳に追加

詳しくは、ドレイン電極とソース電極を分離する距離を減らしそしてチャネルの幅を減らしてＦＥＴの切り換え速度と周波数応答を向上させるような光リソグラフ技術の限界を解決することである。 - 特許庁

To provide SRAMs and logic circuits on the same integrated circuit, using combinations of a HOT (hybrid orientation technology) process and STI (shallow trench isolation region) between individual devices.例文帳に追加

Ｈ０Ｔ（ハイブリッド配向技術）プロセスおよび個々のデバイス間のＳＴＩ（シャロウトレンチアイソレーション領域）の組み合わせを使用して、同じ集積回路上のＳＲＡＭおよびロジック回路を提供する。 - 特許庁

To appropriately use a piping connecting direction displacement/telescopic joint and a piping connecting direction displaceable joint, such as a ball joint and a universal joint, conventionally used in base isolation piping technology.例文帳に追加

免震配管技術において従来より使用されているボールジョイント、ユニバーサルジョイントなどの配管接続方向変位・伸縮可能継手、配管接続方向変位可能継手の使用方法を適切にする。 - 特許庁

To provide a technology capable of effectively reducing links in order to evade concentration of links to a specified node and also evading the isolation of nodes.例文帳に追加

本発明は、特定のノードへのリンクの集中を避けるために、リンクを効果的に削減し、かつ、ノードの孤立を避けることが可能な技術を提供するものである。 - 特許庁

The switching device for switching transmission/receiver channels of a multimedia terminal is formed by selective isolation switches that can be integrated using an MMIC technology.例文帳に追加

マルチメディア端子の送受信チャネルを切り替えるスイッチング装置は、ＭＭＩＣ技術により集積可能な選択的アイソレーション・スイッチによって形成される。 - 特許庁

To enable detection by a single detecting circuit in an LSI adopting the ground-line isolation technology and two or more power supply system circuits, even when a bidirectional ESD stress is impressed on two power supply system circuits.例文帳に追加

接地線分離技術および複数の電源系回路を採用したLSI において、２つの電源系回路に双方向のESD ストレスが印加された場合でも１つの検出回路で検出可能とする。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device which cancels an insulation fault in the nonvolatile semiconductor memory device which carried out isolation formation with an STI technology, and to provide a method of manufacturing it.例文帳に追加

ＳＴＩ技術によって素子分離形成した不揮発性半導体記憶装置において絶縁不良を解消した不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an abrasive and a method of polishing a substrate, which can efficiently perform removal of an excessively formed film layer and planarization of a silicon oxide film and an embedded film of a metal or the like with high-level quality and with easy process control in a recess CMP technology such as for shallow trench isolation formation and for embedded metal wiring formation and in a planarization CMP technology for an interlayer insulation layer.例文帳に追加

シャロー・トレンチ分離形成、金属埋め込み配線形成等のリセスＣＭＰ技術及び層間絶縁膜の平坦化ＣＭＰ技術において、酸化珪素膜、金属等の埋め込み膜の余分な成膜層の除去及び平坦化を効率的、高レベルに、かつプロセス管理も容易に行うことができる研磨剤及び研磨方法を提供する。 - 特許庁