「isolation technology」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a highly reliable semiconductor device by providing a trench isolation technology to prevent the formation of secondary structural materials such as a nitride.例文帳に追加

窒化物などの副次的な構成物の形成を防止したトレンチ分離技術を提供し、以て信頼性を向上させた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To fabricate a transistor in which reverse short channel effect does not take place by suppressing formation of a recess through etching of the sidewall part of an isolation pattern formed on a semiconductor pattern when a pad oxide film, a sacrifice oxide film, and the like, are removed by etching thereby solving the problem in an STI(shallow trench isolation) technology.例文帳に追加

パッド酸化膜、犠牲酸化膜等のエッチング除去時に半導体基板に形成した素子分離パターンの側壁部がエッチングされて窪みが形成されるのを抑制してＳＴＩ技術の課題を解決し、逆狭チャネル効果を生じないトランジスタの形成を可能にする。 - 特許庁

More specifically, limitation of photolithographic technology is solved to enhance the switching rate and frequency response of an FET by decreasing the isolation distance between the drain electrode and the source electrode thereby decreasing the channel width.例文帳に追加

詳しくは、ドレイン電極とソース電極を分離する距離を減らしそしてチャネルの幅を減らしてＦＥＴの切り換え速度と周波数応答を向上させるような光リソグラフ技術の限界を解決することである。 - 特許庁

To provide SRAMs and logic circuits on the same integrated circuit, using combinations of a HOT (hybrid orientation technology) process and STI (shallow trench isolation region) between individual devices.例文帳に追加

Ｈ０Ｔ（ハイブリッド配向技術）プロセスおよび個々のデバイス間のＳＴＩ（シャロウトレンチアイソレーション領域）の組み合わせを使用して、同じ集積回路上のＳＲＡＭおよびロジック回路を提供する。 - 特許庁

To appropriately use a piping connecting direction displacement/telescopic joint and a piping connecting direction displaceable joint, such as a ball joint and a universal joint, conventionally used in base isolation piping technology.例文帳に追加

免震配管技術において従来より使用されているボールジョイント、ユニバーサルジョイントなどの配管接続方向変位・伸縮可能継手、配管接続方向変位可能継手の使用方法を適切にする。 - 特許庁

To provide a technology capable of effectively reducing links in order to evade concentration of links to a specified node and also evading the isolation of nodes.例文帳に追加

本発明は、特定のノードへのリンクの集中を避けるために、リンクを効果的に削減し、かつ、ノードの孤立を避けることが可能な技術を提供するものである。 - 特許庁

The switching device for switching transmission/receiver channels of a multimedia terminal is formed by selective isolation switches that can be integrated using an MMIC technology.例文帳に追加

マルチメディア端子の送受信チャネルを切り替えるスイッチング装置は、ＭＭＩＣ技術により集積可能な選択的アイソレーション・スイッチによって形成される。 - 特許庁

To enable detection by a single detecting circuit in an LSI adopting the ground-line isolation technology and two or more power supply system circuits, even when a bidirectional ESD stress is impressed on two power supply system circuits.例文帳に追加

接地線分離技術および複数の電源系回路を採用したLSI において、２つの電源系回路に双方向のESD ストレスが印加された場合でも１つの検出回路で検出可能とする。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device which cancels an insulation fault in the nonvolatile semiconductor memory device which carried out isolation formation with an STI technology, and to provide a method of manufacturing it.例文帳に追加

ＳＴＩ技術によって素子分離形成した不揮発性半導体記憶装置において絶縁不良を解消した不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an abrasive and a method of polishing a substrate, which can efficiently perform removal of an excessively formed film layer and planarization of a silicon oxide film and an embedded film of a metal or the like with high-level quality and with easy process control in a recess CMP technology such as for shallow trench isolation formation and for embedded metal wiring formation and in a planarization CMP technology for an interlayer insulation layer.例文帳に追加

シャロー・トレンチ分離形成、金属埋め込み配線形成等のリセスＣＭＰ技術及び層間絶縁膜の平坦化ＣＭＰ技術において、酸化珪素膜、金属等の埋め込み膜の余分な成膜層の除去及び平坦化を効率的、高レベルに、かつプロセス管理も容易に行うことができる研磨剤及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for reducing the transmission loss of an input signal, while preventing latchup by a parasitic element caused, when forming a control circuit on the same semiconductor substrate as that of an IGBT (insulating gate bipolar transistor), by using a junction isolation technology.例文帳に追加

接合分離技術を用いてＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）と同一半導体基板上に制御回路を形成する際に発生する寄生素子によるラッチアップを防止しつつ、入力信号の伝送損失を低減する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing agent and a polishing method allowing efficient and uniform polishing at high speed without scratch and also allowing easy process management in the CMP technology of smoothening an interlayer dielectric film, BPSG film, and insulation film for shallow trench isolation.例文帳に追加

層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、研磨を研磨傷なく、効率的、高速、均一にかつ研磨プロセス管理も容易に、行うことができる研磨剤及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a CMP polishing agent capable of efficient and high-speed polishing with reduced influence of pattern density dependency and easy polishing process management without polishing scratches, with respect to CMP technology for smoothening an interlayer dielectric film, a BPSG film, and a shallow-trench-isolation insulation film.例文帳に追加

層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、パターン密度依存の影響を少なく、効率的、高速に、研磨傷なく、かつ研磨プロセス管理も容易に、研磨できるＣＭＰ研磨剤を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device is composed of two capacitors C1 and C2 comprising a polysilicon capacitor and an n-type transistor formed, for instance, on a semiconductor substrate 11 comprising a p-type silicon substrate with its element separated, for instance, by an STI (Shallow Trench Isolation) technology.例文帳に追加

この半導体装置は、例えばＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ ＴｒｅｎｃｈＩｓｏｌａｔｉｏｎ）技術により素子分離された例えばｐ型のシリコン基板からなる半導体基板１１に、ポリシリコンキャパシタからなる２つのキャパシタＣ１およびＣ２とｎ型トランジスタとを備えて構成されている。 - 特許庁

To provide an output power control technology whereby the forward isolation in a standby state of a high frequency power amplifier (power module) can be improved, wherein the high frequency power amplifier controls an output power by making a bias voltage applied to a control terminal of a high frequency power amplifier element constant so as to change an operating voltage (power voltage) in response to a signal for instructing an output level.例文帳に追加

高周波電力増幅素子の制御端子に印加されるバイアス電圧を一定にして、出力レベルを指示する信号に応じて動作電圧（電源電圧）を変化させて出力電力を制御する高周波電力増幅器（パワーモジュール）において、スタンバイ状態におけるフォワードアイソレーションを向上させることができる出力電力制御技術を提供する。 - 特許庁

To provide a technology capable of easily forming elements by filling a gap between elements with a brittle light-transmissive insulator, executing substrate separation such as sapphire after that and executing the element isolation of a portion of the brittle light-transmissive insulator by dicing, in a nitride-based semiconductor light-emitting element.例文帳に追加

本発明は、窒化物系半導体発光素子において素子間が脆性透光性絶縁体部によって充填され、しかる後に、サファイアなどの基板剥離を実施し、脆性透光性絶縁体部の部分をダイシングにより素子分離することにより、容易で素子化しやすい技術を提供することを目的とする。 - 特許庁

A first mask for defining a first well region is formed on a first conductivity type semiconductor substrate, second conductivity type impurity ions are implanted onto the semiconductor substrate 100 by ion implantation technology of large inclination angle using the first mask and impurity ions are implanted onto the semiconductor substrate 100 every time when the semiconductor substrate 100 reaches a position having a specified directional angle during rotation of 360° thus forming a first well isolation region 104.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板上に第１ウェル領域を定義するための第１マスクが形成され、第１マスクが用いられる大きい傾斜角度のイオン注入技術で半導体基板１００上に第２導電型の不純物イオンが注入され、半導体基板１００が３６０°回転する間所定の方向角を有する位置に到達した時ごとに、半導体基板１００上に不純物イオンが注入され、第１ウェル隔離領域１０４が形成される。 - 特許庁